Bi代石榴石膜晶化机理研究

通过对Ｂｉ代石榴石膜的成核、晶体生长速率和法拉第效应的分析，给出最大成核温度范围（６３０℃～６８０℃）和细化晶粒的途径，膜的磁光性能、结构和成份测试结果与理论分析一致。     

新型掺Bi的YIG磁光薄膜

对用于磁光法拉第旋转器件的掺Ｂｉ的ＹＩＧ薄膜进行了介绍与分析，这种新型磁光薄膜（ＹｂＴｂＢｉ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２是采用液相外延技术在ＣａＭｇＺｒ：ＧＧＧ晶片的（１１１）方向生长的，通过合理的配方及工艺生长出了成份均匀，光吸收小，在波长λ＝１．３１μｍ和λ＝１．５５μｍ时，插损分别为０．３ｄＢ和０．２ｄＢ，法拉第旋转角分别为２４００°／ｃｍ和１６００°／ｃｍ的薄膜，经抛光至２９０μｍ的厚度，法拉     

非晶态TbFeCo磁光膜的HREM研究

磁光介质的性质与其微观结构有密切的关系,H.J.leamy等曾研究过RE-TM非晶态材料的柱状微结构[1]。但未涉及Tb Fe Co膜,且所采用的复型技术显得不适用。在与磁光介质性能劣化相联系的实用化上,Tetsuo Zijima等研究过RE-TM膜的稳定性,其着重点限于氧的扩散和Co在Tb Fe Co膜中的作用,未对晶化引起劣化给予仔细的研究[2]。本文对磁控溅射Tb Fe Co磁光膜的老化及晶化引起的微结构变化进行了HREM研究。由XMA测得该膜的成分为Fe36.5Co48.8Tb14.7(WT％)     

纳米晶巨磁光BiAlDyIG薄膜的磁光性能研究

基于对ＢｉＡｌＤｙＩＧ巨磁光材料的紫蓝光波段法拉第角频谱分析，采用新型热分解法工艺合成优质ＢｉＡｌＤｙＩＧ磁光薄膜，经快速循环晶化处理的结果表明，由于晶粒细化，其平均有效法拉第角比常规热处理后的样品大０．５°左右，且随循环数增加而增大。同时由于Ａｌ３＋在四面体和八面体位的取代，导致居里温度下降（１４０～１６０℃），这些结果对提高磁光盘信噪比以及增大记录密度是极有意义的     

一种改进石榴石磁光膜（盘）性能的新型热处理技术的研究

本文给出了一种快速周期退火这一新技术。用它对 RF 磁控溅射法制备的石榴石磁光膜进行热处理光学均匀性变好,晶粒尺寸减小(30nm),法拉第效应增强,矫顽力增大。膜结构的 X 射线衍射分析表明,多周期退火的样品仅呈现单相石榴石,较少周期退火的样品除石榴石相外,还有 DyFeO_3相析出。对上述结果作了理论分析。     

掺Rb纳米晶DyIG磁光薄膜研究

用热分解法制备的Bi，Al替DyIG磁光薄膜虽然是纳米晶，但由于其晶界分布不均匀、晶粒较大且均匀性差，当用于磁光记录时，晶界将产生较大的噪音。而掺Rb的Bi，Al替DyIG磁光薄膜不仅可以降低晶化温度，而且晶粒明显细化，最大晶粒尺寸从100nm下降到50nm左右，平均晶粒尺寸下降为30nm左右。并且晶粒的均匀性明显改善，掺入的Rb以Rb2O固溶体的形式存在于磁光薄膜表面，填补了薄膜表面的凹凸不平，使薄膜表面反射率增加，信噪比增大。因此掺Rb可使纳米晶Bi，Al替DyIG磁光薄膜的性能大大提高。     

Co2Ag98颗粒膜中磁光克尔效应的增强

通过Ａｒ离子束溅射仪制备了Ｃｏ２Ａｇ９８磁性颗粒膜样品,并且分别在１００、２５０、４００、５００℃下进行了退火,利用磁光克尔谱仪、椭圆偏振光谱仪对上述系列样品的光学常数、复介电函数、磁光克尔参数在室温下进行了测量。实验结果表明随着退火温度的升高,磁光克尔旋转角θκ和椭偏率εκ增大,并且在Ａｇ的等离子有收边附近出现在大的类共振增强峰,峰的位置随退火温度的升高发生红移。通过实验数据分析,主种类共振磁光     

用于光纤通信系统的磁光隔离器及其磁光材料

介绍了磁光隔离器及其在光纤通信系统中的应用，并讨论了其相应的磁光材料的发展和最新进展。     

NixSiO2（1—x）颗粒膜的光学和磁光特性研究

用磁控溅射法制备了一系列NixSiO2(1-x)样品,并对部分样品作快速退火处理,室温下采用椭圆偏振光谱仪和磁光谱仪分别为1．5－4．5eV的光子能量区了样品的复介常数谱和极向复磁光克尔谱,研究了这种金属－绝缘体型颗粒膜的化学和磁光性质,发现调整适合的金属含量或对样品作退火处理,可以观察到复介电常数的实部从正到负的连续变化,而且在一定光子能量区,其值为零;介电张量的非对角元和光学常数对其磁光克尔角的增强起重要作用。     

Bi代石榴石磁光膜／金属反射层／玻璃多层结构磁光盘的优化设计

从磁光读出和热磁写入两者结合的角度提出一个新的优化目标函数．并用其完成了Ｂｉ代ＤｙＧａＩＧ／金属反射层／玻璃多层结构磁光盘的优化设计。结果表明新优化目标函数更具实际意义。     

薄膜中晶粒正常生长过程的研究

通过建立一个理论模型研究了薄膜中正常晶粒生长过程中晶粒的变化情况。晶粒按照边长数被分成不同的组,可以通过晶粒消失与晶界转换两种方式来改变边长的数目,在不同组之间进行转换。晶粒的长大与缩小由边长数与晶粒大小决定。计算机模拟的结果表明平均晶粒尺寸随时间呈线性增长,晶粒尺寸分布与已报道的结果基本一致。     

溅射功率对TbFeCo磁光薄膜特性的影响

研究直流磁控溅射中溅射功率对ＴｂＦｅＣＯ磁光薄膜成分均匀性、厚度均匀性、克尔旋转角θｋ和矫顽力Ｈｃ的影响。实验结果表明对于全金属互化物相（１００％ＩＭ）ＴｂＦｅＣｏ合金靶，若采用适当的溅射功率，不但能够实现高速率溅射，而且可获得较好的成分和厚度均匀性，同时溅射所得薄膜具有大的克尔旋转角和合适的矫顽力。此工艺参数被用于磁光盘的生产。     

Crystallization and Grain Growth Kinetics for Precipitation‐Based Ceramics: A Case Study on Amorphous Ceria Thin Films from Spray Pyrolysis

The introductory part reviews the impact of thin film fabrication, precipitation versus vacuum‐based methods, on the initial defect state of the material and microstructure evolution to amorphous, biphasic amorphous‐nanocrystalline, and fully nanocrystalline metal oxides. In this study, general rules for the kinetics of nucleation, crystallization, and grain growth of a pure single‐phase metal oxide thin film made by a precipitation‐based technique from a precursor with one single organic solvent are discussed. For this a complete case study on the isothermal and non‐isothermal microstructure evolution of dense amorphous ceria thin films fabricated by spray pyrolysis is conducted. A general model is established and comparison of these thin film microstructure evolution to kinetics of classical glass‐ceramics or metallic glasses is presented. Knowledge on thermal microstructure evolution of originally amorphous precipitation‐based metal oxide thin films allows for their introduction and distinctive microstructure engineering in devices‐based on microelectromechanical (MEMS) technology such as solar cells, capacitors, sensors, micro‐solid oxide fuel cells, or oxygen separation membranes on Si‐chips.     

Magneto-optical Studies of Spin Phenomena in CdMnTe Doped with Co and Cr

We investigate the magneto-optical and magnetic properties of two quaternary diluted magnetic semiconductor alloys, Cd_1−x−y Mn _x Cr _y Te and Cd_1−x−y Mn _x Co _y Te, with fixed Mn concentration x ∼ 0.37 and, respectively, with concentrations of Cr in the range 0 < y < 0.07 and Co in the range␣0 < y < 0.009. The introduction of Cr and Co leads to very different behaviors, including the occurrence of ferromagnetic order in the case of Cd_1−x−y Mn _x Cr _y Te. We discuss the possible origins leading to the observed behaviors.     

GdFeCo/AlN/DyFeCo静磁耦合多层薄膜磁化方向转变的研究

对 Gd Fe Co/Al N/Dy Fe Co静磁耦合多层薄膜变温磁化方向变化进行了研究。结果表明读出层 Gd Fe Co随温度上升从平面磁化转变成垂直磁化 ,转变过程中受饱和磁化强度 (Ms)和有效各向异性常数影响 ,但主要受饱和磁化强度 (Ms)的影响。在高温时读出层的磁化强度很小 ,退磁场能减小 ,在静磁耦合作用下 ,使 Gd Fe Co读出层的磁化方向发生转变 ,而且磁化方向的转变在较小的温度范围内变化较快。     

金属诱导非晶硅薄膜低温晶化

介绍了一种非晶硅 (a- Si)薄膜低温晶化的新工艺 :金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。研究了各种 a- Si/金属双层膜退火后的晶化情况。利用 X射线衍射分析了结晶硅膜的结构 ,通过光学显微镜观察了 Al诱导 a- Si薄膜晶化后的表面形貌 ,并初步探讨了金属诱导非晶硅薄膜低温晶化的机理     

YIG石榴石磁光薄膜材料的最新进展

介绍了YIG磁光薄膜材料的研究发展趋势以及薄膜材料的制备方法,指出薄膜制备方法对薄膜的性能有很大的影响。且Ce∶YIG磁光薄膜的研究代表了此类薄膜的研究方向。     

Magneto-Optical Properties of Wider Gap Semiconductors ZnMnTe and ZnMnSe Films Prepared by MBE

The II-VI based magnetic semiconductors with a direct and wide optical bandgap are expected to show high potential for optical applications utilizing short wavelength laser diodes (LDs), such as 532-nm green and 475-nm blue LDs. We have confirmed that the Faraday rotation θ_F in the ZnMnTe and ZnMnSe films deposited on quartz glass (QG) and sapphire (SA) substrates by using molecular beam epitaxy (MBE) is large near the absorption edge. This paper reports the magneto-optical properties of ZnMnTe and ZnMnSe films synthesized on the QG and SA substrates, and shows the result of a direct Faraday rotation observation successfully made for the ZnMnTe films under 1.28-kHz alternating magnetic fields. The optical absorption characteristics of the ZnMnTe films grown on the SA substrates by MBE are discussed by comparing them with the optical absorption properties and photoluminescence spectra of the II-VI ZnTe parent single crystals.     

磁控溅射法制备Bi2Te3热电薄膜的研究

Bi2Te3薄膜是室温下热电性能最好的热电材料,利用磁控溅射在长有一薄层SiO2的n型硅样品上制备Bi/Te多层复合薄膜,经后续退火处理生成Bi2Te3。通过分析Bi2Te3薄膜的生长和退火工艺,探讨Bi/Te中Te的原子数分数对薄膜热电性能的影响。采用XRD和SEM对薄膜的结构、形貌和成分进行分析,并测量不同条件下的Seebeck系数。薄膜Seebeck系数均为负数,表明所制备样品是n型半导体薄膜,且最大值达到-76.81μV.K-1;电阻率ρ随Te的原子数分数增大而增大,其趋势先缓慢后迅速。Bi2Te3薄膜的热电性能良好,Te的原子数分数是60.52%时,功率因子最大,为1.765×10-4W.K-2.m-1。