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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 187 毫秒
1.
采用光学表面分析(OSA)方法,研究了硅片湿法清洗工艺中清洗液SC1的浓度配比和温度对硅片表面颗粒和缺陷的影响.研究结果表明,当NH4OH浓度较小,则硅片表面颗粒数增加,而缺陷减少;当SC1温度降低为45℃时,硅片表面颗粒增加数仅为60每片(颗粒尺寸大于等于0.2 μm),且无缺陷产生.优化工艺参数后,明显改善了硅片湿法清洗工艺的质量.  相似文献   

2.
对多结化合物太阳电池用的p型Ge抛光片的清洗技术做了研究.Ge抛光片的清洗可以采用酸性清洗液和碱性清洗液相结合的方式.酸性清洗液的主要作用是去除晶片表面的有机物;碱性清洗液的主要作用是去除晶片表面的颗粒.清洗液的温度和组分影响着抛光片的清洗效果.通过实验结果确定了p型Ge抛光片的清洗方案,采用这一清洗方案清洗的Ge抛光片,表面质量可以达到"开盒即用"的水平.运用晶片清洗机理分析了各种清洗液的功能和作用.  相似文献   

3.
半导体硅片清洗工艺发展方向   总被引:6,自引:0,他引:6  
对半导体硅片传统的RCA清洗办法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细的论述,同时在此基础上,对新的清洗办法(改进的RCA清洗办法)进行了一定的说明,指出了硅片清洗工艺的发展方向。  相似文献   

4.
吴莎 《信息技术》2009,(7):82-84
评述了一种用特效清洗液清洗铁路油罐车的新工艺.通过试验筛选出一种对油污及蜡油的溶解吸收有特效的清洗液.并对清洗工艺进行了摸拟试验.结果表明:使用该清洗液对油罐清洗作业不仅可行,而且具有费用低,省时、省力和良好的清洗效果,不失为一种有效、经济、实用的清洗工艺.  相似文献   

5.
用基于改进的RCA清洗液结合兆声清洗法和离心喷射法清洗抛光的硅片,干燥后用激光扫描法测试抛光硅片表面颗粒.结果表明,改进的RCA清洗液结合兆声的清洗方法对于去除硅片表面的微小颗粒具有更高的效率.  相似文献   

6.
报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果.采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时,首先需用HF稀溶液浸泡硅片,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除;溶液的配比浓度由临界胶束浓度和硅片表面的污染程度确定,要确保清洗过程中溶液内部有足够的胶束存在,一般DGQ -1、DGQ-2的配比浓度在90%到98%之间;当温度接近表面活性剂溶液的浊点温度时,增溶能力最强,因而清洗液的温度定在60℃.  相似文献   

7.
新型半导体清洗剂的清洗工艺   总被引:4,自引:0,他引:4  
报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果.采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时,首先需用HF稀溶液浸泡硅片,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除;溶液的配比浓度由临界胶束浓度和硅片表面的污染程度确定,要确保清洗过程中溶液内部有足够的胶束存在,一般DGQ -1、DGQ-2的配比浓度在90%到98%之间;当温度接近表面活性剂溶液的浊点温度时,增溶能力最强,因而清洗液的温度定在60℃.  相似文献   

8.
太阳能级Si片清洗工艺分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
在实验基础上对太阳能级Si片碱性清洗工艺进行了分析,指出碱性清洗液在适宜的工艺环境下,配合超声清洗和表面活性剂的使用可以获得良好的清洗效果。结果表明,表面金属浓度分别达到Cu元素小于1.3×10~(14)atoms/cm~2,Fe元素小于5×10~(13)atoms/cm~2。碱性清洗液与Si晶体发生两步化学反应,平衡后OH~-离子浓度保持稳定,是以获得稳定的清洗效果同时提高清洗液的使用效率。  相似文献   

9.
提出了一种采用电化学去除硅片表面有机物的新的清洗方法,用金刚石膜电极作为阳极,电化学氧化硫酸铵溶液生成稳定的强氧化溶液,电解液的氧化性通过间接碘量法测量。通过大量实验,优化初始电解液的浓度以及初始温度等因素,得到氧化强度最佳的电化学清洗液。用自制氧化液进行硅片表面有机物的清洗实验,并与传统的RCA清洗方法进行对比。通过XPS分析可知,采用新的电化学氧化溶液清洗后的硅片表面有机物去除效果明显优于对比实验样品。  相似文献   

10.
用基于改进的RCA清洗液结合兆声清洗法和离心喷射法清洗抛光的硅片,干燥后用激光扫描法测试抛光硅片表面颗粒.结果表明,改进的RCA清洗液结合兆声的清洗方法对于去除硅片表面的微小颗粒具有更高的效率.  相似文献   

11.
柴倬  柴彬 《洗净技术》2004,2(2):21-25
化学清洗是工业清洗中的重要手段,成套清洗装置是必要的装备。本文详细介绍了多功能清洗平台这种清洗装置,它可以方便地完成多种设备的清洗工作。  相似文献   

12.
替代ODS清洗工艺的选择与对设备的要求   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨文奎 《洗净技术》2004,2(1):29-32
本文仅对清洗工艺的选择内容、清洗工艺的选定原则、清洗工艺试验和清洗质量评价,以及对清洗设备的要求和清洗设备的导入验收,从用户角度提出一些认识和看法。  相似文献   

13.
激光清洁法较之其它方法有其独特的优点。本文采用YAG脉冲激光器作光源,对几类表面附着物的清洁进行了实验研究。初步的实验结果表明,清洁效果令人满意。除材料本身性质外,选择合适的表面清洁的重要参数(激光波长和脉冲宽度)可以提高表面附着物的清洁效率并可降低激光对表面基质材料的危害。本文还讨论了与激光清洁过程有关的其它因素和解决方法。  相似文献   

14.
徐长远  韩喆  李超 《现代显示》2007,18(5):20-23
介绍了超声波清洗技术原理,研究了某款液晶显示器磨边后不同频率超声波清洗的效果,发现了该款液晶显示器取向层PI被超声波损伤的现象,基于理论分析和实验研究,提出了液晶显示器参数设计优化方案,同时研究了清洗用周转架底部吸收超声的状况提出了改进意见。  相似文献   

15.
简要介绍了随着工艺节点的缩小,传统RCA清洗方法在硅片清洗工艺中的局限性和弊端,进而提出了以CO2为介质的新型干冰微粒喷射清洗方法。从CO2的物理特性出发,论述了CO2流经喷枪后形成干冰微粒的机理,并简要分析了干冰微粒喷射技术对颗粒污染物和有机污染物的清洗机理。在此基础上,介绍了自主研发的一台基于干冰微粒喷射技术的半导体清洗设备,对该设备的结构和各部分的作用作了简要介绍,论述了使用该设备对硅片进行清洗的工艺流程。通过对比实验发现,采用压强为8 MPa、纯度为5N的CO2作为气源,喷嘴前压强设置为11 MPa,使用该设备可以达到很好的清洗效果。  相似文献   

16.
针对低架空高度、高密度封装BGA和CSP底部难以清洗干净的难题,将离心清洗工艺技术应用于PCBA的清洗中.探讨清洗溶剂选择原则,研究离心清洗工艺原理,设计和优化了离心清洗工艺流程,设置了离心清洗工艺参数,分析以上因素对高密度印制板组件清洗效果的影响规律.清洁度检测结果表明:清洗溶剂选择正确,清洗工艺流程合理,离心清洗工...  相似文献   

17.
离心清洗在印制电路板清洗中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
良好的清洗方法对产品的长期可靠性有具非常关键的作用。离心清洗的作用力可作用于元器件和电路板之间的任何空间,清洗作用力均匀,清洗洁净度高,清洗效果好,有效去除PCB残留物。离心清洗对元器件无损伤,满足高精度高可靠性PCB清洗要求。主要介绍了新型的离心清洗方法。  相似文献   

18.
文章介绍了集成微电路基板清洗领域的ODS替代清洗技术,着重介绍了十槽式超声波清洗机在高精度的集成电路清洗工艺中的具体应用。  相似文献   

19.
等离子清洗机的主要原理是利用清洗时高能电子碰撞反应气体分子,使之离解或电离,利用产生的多种粒子轰击被清洗表面或与清洗表面发生化学反应,从而有效地清除各种污染物。针对此,主要使用ANSYS有限元分析软件对批量式等离子清洗机与在线式等离子清洗机反应仓的气流和电磁场进行了仿真分析。实验结果表明,在线式等离子清洗机具有清洗效果好,清洗后不会产生有害污染物、效率高、节省劳动力和安全可靠等优点,具有更广泛的市场前景。  相似文献   

20.
微电子封装中等离子体清洗及其应用   总被引:6,自引:1,他引:5  
随着微电子工艺的发展,湿法清洗越来越局限,而干法清洗能够避免湿法清洗带来的环境污染,同时生产率也大大提高.等离子体清洗在干法清洗中优势明显,本文主要介绍了等离子体清洗的机理、类型、工艺特点以及在微电子封装工艺中的应用.  相似文献   

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