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抑制浪涌电流用NTC热敏电阻器 总被引:5,自引:1,他引:4
研制一种新型抑制浪涌电流用NTC热敏电阻器,其特点为:结构简单,正常工作时元件自身的阻值很小,可将浪涌电流抑制到十分之一以内。适宜用于开关电源中。 相似文献
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研制出一种用在过热保护器的高性能PTCR热敏电阻器,用这种电阻器制成的过热保护器与普通的温控器相比较可靠性更高,而且具有控温准确、体积小、成本低等特点。 相似文献
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为了满足EMC要求,通常需在机载二次DC/DC的输入端并联大容量电容,导致开机瞬间形成很大的浪涌电流,从而引起系统异常。常规的抑制方法是在输入端串联电感、NTC热敏电阻,或者串联MOS管并简单控制其缓慢开通。但这些方法存在输入电压振荡、高温时抑制失败,或者启动延时长且不能抑制重复快速浪涌等缺点。基于MOS管的密勒效应,设计了一种能够延长MOS管开通上升时间的电路,使电容电压上升速率变缓,从而抑制浪涌电流。仿真及验证结果表明,该电路具有启动延时仅有10 ms、可抑制最高60 Hz的重复快速上电浪涌、上电速率可调等优点。 相似文献
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浪涌电流是远远超出正常工作电流的瞬间电流,是发生在一瞬间的剧烈电流脉冲。在整流滤波电路内部,浪涌电流会对整流器、滤波电容等器件产生强烈的冲击,造成在通电瞬间电源开关打火或跳闸,对设备造成损坏。在设计电路时必须避免这些现象发生。文章是对开机浪涌电流限制的具体情况介绍。 相似文献
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锂掺杂NiMn系NTC热敏电阻的制备与性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍对NixMn3-xO4NTC热敏电阻材料进行锂掺杂的两种方法,并对掺杂后的电阻性能进行了研究。结果表明:掺杂后仍可获得尖晶石结构的半导瓷,但阳离子分布改变;在晶粒间界处发生偏析;掺Li后电阻率、材料常数B基本不变,但电学稳定性提高。 相似文献
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采用传统固相反应法制备了Zn掺杂的Ni0.5Mn2.38–x Cu0.12Znx O4(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8)系列MF58型NTC热敏电阻工业化产品,使用XRD、SEM、XPS等技术手段表征了所制陶瓷烧结体的晶体结构、微观结构和成分,重点考察了Zn元素含量对热敏电阻电学性能和老化值的影响。结果表明:随着Zn含量的增加,Ni0.5Mn2.38–x Cu0.12Znx O4固溶体的晶体结构从立方尖晶石转变成四方尖晶石,样品的电阻率和热敏常数B值呈现逐步增加的趋势,同时老化值显著减小,当x=0.8时,其在150℃放置6天后的老化值可低至0.33%。 相似文献
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采用均匀共沉淀法制备了Ni-Mn草酸盐前驱体,使用XRD、SEM、激光粒度分析和TG等分析手段对最佳条件下所获得的前驱体进行表征,将该前驱体煅烧成型后,再烧结成致密陶瓷体并测量其电学性能。结果表明:最佳的共沉淀工艺条件如下:n(草酸二乙酯)/n(金属盐)=2,反应温度为80℃,反应时间为4 h。该最佳条件下制备的前驱体形成了与MnC2O4.2H2O结构相似的(Ni,Mn)C2O4.nH2O的固溶体,其呈现近八面体形貌,尺寸分布均匀,为2~10μm,基本无团聚现象。前驱体约在700℃失重完全,并可形成具有高活性的尖晶石结构的Ni0.6Mn2.4O4物相。其在1 200℃烧结可获得致密的陶瓷体,电阻率约为2 030.cm,B值为3 930 K。 相似文献
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一种新型NTC厚膜电阻的制备及电性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以新型BaCoⅡ 0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3材料为基体,以CuO为烧结助剂,在790、800、810℃烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和阻温特性测试仪,研究了CuO含量对电阻相组成、微观结构及电性能的影响。结果表明:烧结温度为800℃的NTC厚膜电阻主要物相为具有复合立方钙钛矿结构的BaCoⅡ0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3,并有少量Bi2O3剩余;该组电阻表面颗粒均匀细小,致密性随CuO含量的增加而趋于增加。对烧结温度为790℃的电阻来说,其室温电阻R25和B25/85随CuO含量的增加而逐渐降低;该电阻的R25、B25/85及活化能Ea分别为0.98~13.40kΩ、931~1855K和0.08~0.16eV。 相似文献
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空调控温传感器短路失效分析与控制 总被引:1,自引:1,他引:0
何小琦 《电子产品可靠性与环境试验》2004,(4):32-35
结合空调控温传感器的结构特点,分析了导致NTC热敏电阻短路失效的旁路并联电阻模型,通过样品解剖和能谱检测,证实了电极银离子迁移是导致热敏电阻形成旁路并联电阻失效的主要机理。另外,还根据导致银离子迁移的条件,从使用和生产两个方面提出减少银离子迁移的控制措施,并介绍了评价金属离子迁移的相关标准。 相似文献
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采用大功率CO2激光器合成出了Al2O3-WO3陶瓷材料。测量其阻-温特性表明合成样品具有线性的NTC热敏电阻特性,微观分析结果证明激光合成样品由Al2O3、WO3、Al2(WO4)3、AlxWO3四相组成,而起导电作用的是AlxWO3这一非平衡反应产物。常规烧结工艺合成Al2O3-WO3陶瓷材料所得试样没有线性的NTC热敏电阻特性。 相似文献