抑制浪涌电流用NTC热敏电阻器

研制一种新型抑制浪涌电流用ＮＴＣ热敏电阻器，其特点为：结构简单，正常工作时元件自身的阻值很小，可将浪涌电流抑制到十分之一以内。适宜用于开关电源中。     

抑制浪涌电流用硅单晶热敏电阻器

为解决氧化物型抑制浪涌用热敏电阻电阻率高、温度系数小的矛盾,采用N型或者P型硅单晶扩散掺金,研制成一种新型的抑制浪涌电流用硅单晶热敏电阻器。该电阻器温度灵敏度高(a=6.0%1)、残留电阻小(小于1伲⒑纳⑾凳?5mW、时间常数为50s。与抑制浪涌电流用的氧化物NTCR相比,其制造工艺简单、成本低、一致性好,且易实现片式化和集成化。讨论了这种元件的热敏机理。     

抑制浪涌电流用NTCR可靠性研究

研究了造粒、烧结工艺、原材料、配方组成对抑制浪涌电流用NTCR可靠性的影响。通过合理选择造粒颗粒和烧结温度、选用高质量的原材料,并在配方中添加微量SiO2、CrO3、Sb2O3作为玻璃料可使抑制浪涌电流NTCR的失效率从100ppm降为8ppm.     

瞬变电流（浪涌）的产生和抑制

本文介绍了瞬变电流的产生和几种常见的抑制措施。     

新型抑制浪涌电流电路的设计

提出了一种新型抑制浪涌电流电路,给出了实际设计方案.     

脉冲功率电源中浪涌电流与电压的分析及抑制

针对功率脉冲电路放电过程中存在的电流和电压冲击问题,建立了电路的分布参数模型和二极管的PSPICE模型。分析了放电过程中的浪涌电流和电压的产生的机理,采用PSPICE软件对电路放电的瞬态过程进行了仿真,提出了抑制浪涌电流和电压冲击的方法。仿真结果表明:适当增加二极管回路的阻尼电阻,可以降低或消除浪涌电流;在二极管两端并上适当的电阻,可以降低浪涌电压。     

过热保护器用新型PTCR热敏电阻器

研制出一种用在过热保护器的高性能ＰＴＣＲ热敏电阻器，用这种电阻器制成的过热保护器与普通的温控器相比较可靠性更高，而且具有控温准确、体积小、成本低等特点。     

一种机载DC/DC浪涌电流抑制电路的设计

为了满足EMC要求,通常需在机载二次DC/DC的输入端并联大容量电容,导致开机瞬间形成很大的浪涌电流,从而引起系统异常。常规的抑制方法是在输入端串联电感、NTC热敏电阻,或者串联MOS管并简单控制其缓慢开通。但这些方法存在输入电压振荡、高温时抑制失败,或者启动延时长且不能抑制重复快速浪涌等缺点。基于MOS管的密勒效应,设计了一种能够延长MOS管开通上升时间的电路,使电容电压上升速率变缓,从而抑制浪涌电流。仿真及验证结果表明,该电路具有启动延时仅有10 ms、可抑制最高60 Hz的重复快速上电浪涌、上电速率可调等优点。     

整流电路中的开机浪涌电流及限制

浪涌电流是远远超出正常工作电流的瞬间电流,是发生在一瞬间的剧烈电流脉冲。在整流滤波电路内部,浪涌电流会对整流器、滤波电容等器件产生强烈的冲击,造成在通电瞬间电源开关打火或跳闸,对设备造成损坏。在设计电路时必须避免这些现象发生。文章是对开机浪涌电流限制的具体情况介绍。     

机载设备的浪涌抑制

首先分析了机载设备浪涌的特点,对GJB181-1986和GJB181A-2003的浪涌指标进行了详细的分析对比.在此基础上提出了对电压浪涌的抑制方法,分别实现了对机载设备的过压浪涌、欠压浪涌的抑制,并提出了同时实现过压浪涌和欠压浪涌抑制而不中断负载工作的方法.最后对电流浪涌的抑制方法进行了介绍.     

Co-Mn-Ni-Mg-Fe-O系材料的高温热稳定性能

采用Ｃｏ－Ｍｎ－Ｎｉ－Ｍｇ－Ｏ系和Ｃｏ－Ｍｎ－Ｎｉ－Ｆｅ－Ｏ系这两种热处理电学特性相反的热敏材料进行复合得到Ｃｏ－Ｍｎ－Ｎｉ－Ｍｇ－Ｆｅ－Ｏ五元系材料，经热处理后电阻值的变化得到互补，使热敏电阻经高温热处理后稳定性有了很大的提高。     

锂掺杂NiMn系NTC热敏电阻的制备与性能研究

介绍对ＮｉｘＭｎ３－ｘＯ４ＮＴＣ热敏电阻材料进行锂掺杂的两种方法，并对掺杂后的电阻性能进行了研究。结果表明：掺杂后仍可获得尖晶石结构的半导瓷，但阳离子分布改变；在晶粒间界处发生偏析；掺Ｌｉ后电阻率、材料常数Ｂ基本不变，但电学稳定性提高。     

NTC热敏薄膜的研究进展

综述了负温度系数(NTC)热敏薄膜目前最常用的四种制备工艺,即:蒸发法(evaporation),磁控溅射法(magnetron sputtering),脉冲激光沉积法(PLD)和金属有机物热分解法(MOD),分析了这几种工艺的优缺点及国外的研究进展。并简要介绍了NTC热敏薄膜在传感器等方面的应用和发展前景。     

Zn掺杂对Ni-Mn-Cu-O系NTC热敏电阻的影响

采用传统固相反应法制备了Zn掺杂的Ni0.5Mn2.38–x Cu0.12Znx O4(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8)系列MF58型NTC热敏电阻工业化产品,使用XRD、SEM、XPS等技术手段表征了所制陶瓷烧结体的晶体结构、微观结构和成分,重点考察了Zn元素含量对热敏电阻电学性能和老化值的影响。结果表明:随着Zn含量的增加,Ni0.5Mn2.38–x Cu0.12Znx O4固溶体的晶体结构从立方尖晶石转变成四方尖晶石,样品的电阻率和热敏常数B值呈现逐步增加的趋势,同时老化值显著减小,当x=0.8时,其在150℃放置6天后的老化值可低至0.33%。     

草酸盐均匀共沉淀法制备Ni-Mn-O系NTC热敏陶瓷粉体

采用均匀共沉淀法制备了Ni-Mn草酸盐前驱体,使用XRD、SEM、激光粒度分析和TG等分析手段对最佳条件下所获得的前驱体进行表征,将该前驱体煅烧成型后,再烧结成致密陶瓷体并测量其电学性能。结果表明:最佳的共沉淀工艺条件如下:n(草酸二乙酯)/n(金属盐)=2,反应温度为80℃,反应时间为4 h。该最佳条件下制备的前驱体形成了与MnC2O4.2H2O结构相似的(Ni,Mn)C2O4.nH2O的固溶体,其呈现近八面体形貌,尺寸分布均匀,为2~10μm,基本无团聚现象。前驱体约在700℃失重完全,并可形成具有高活性的尖晶石结构的Ni0.6Mn2.4O4物相。其在1 200℃烧结可获得致密的陶瓷体,电阻率约为2 030.cm,B值为3 930 K。     

一种新型NTC厚膜电阻的制备及电性能研究

以新型BaCoⅡ 0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3材料为基体,以CuO为烧结助剂,在790、800、810℃烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和阻温特性测试仪,研究了CuO含量对电阻相组成、微观结构及电性能的影响。结果表明:烧结温度为800℃的NTC厚膜电阻主要物相为具有复合立方钙钛矿结构的BaCoⅡ0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3,并有少量Bi2O3剩余;该组电阻表面颗粒均匀细小,致密性随CuO含量的增加而趋于增加。对烧结温度为790℃的电阻来说,其室温电阻R25和B25/85随CuO含量的增加而逐渐降低;该电阻的R25、B25/85及活化能Ea分别为0.98~13.40kΩ、931~1855K和0.08~0.16eV。     

新型Sb掺杂SnO2基NTC热敏材料的研制

为了提高SnO2基NTC热敏材料的电学性能稳定性,采用共沉淀法合成了Sb掺杂SnO2材料,[Sn1-xSbxO2+δ(x=0.02,0.04,0.05和0.07)]。利用XRD对其进行了相分析,利用电阻–温度特性测试仪研究其电阻温度特性。结果表明:500℃煅烧后获得了具有高纯四方相、晶粒尺寸小于10nm的Sb掺杂SnO2材料;x(Sb)为2%、4%、5%和7%的热敏电阻的材料常数B分别为6616,6207,5730和2197K。     

空调控温传感器短路失效分析与控制

结合空调控温传感器的结构特点,分析了导致NTC热敏电阻短路失效的旁路并联电阻模型,通过样品解剖和能谱检测,证实了电极银离子迁移是导致热敏电阻形成旁路并联电阻失效的主要机理。另外,还根据导致银离子迁移的条件,从使用和生产两个方面提出减少银离子迁移的控制措施,并介绍了评价金属离子迁移的相关标准。     

Al_2O_3-WO_3材料的激光合成研究

采用大功率ＣＯ２激光器合成出了Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料。测量其阻－温特性表明合成样品具有线性的ＮＴＣ热敏电阻特性，微观分析结果证明激光合成样品由Ａｌ２Ｏ３、ＷＯ３、Ａｌ２（ＷＯ４）３、ＡｌｘＷＯ３四相组成，而起导电作用的是ＡｌｘＷＯ３这一非平衡反应产物。常规烧结工艺合成Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料所得试样没有线性的ＮＴＣ热敏电阻特性。     

用于控制RFID－NVM中电荷泵电流冲击的电路结构

本文提出了一种新的电路结构用于控制RFID非挥发存储器中电荷泵启动阶段的电流冲击。通过引入一个由参考电流源和电流镜组成的电路模块,此结构可以把电荷泵的周期平均电流恒定控制在任何想要的值之下,例如2.5微安。因此它可以防止RFID标签芯片的整流输出电压在电荷泵的启动阶段不被破坏。此结构可以有效地把整流输出上多于50％的压降减小到几乎为0,然而却占用更少的芯片面积。另外,用于计算此结构中电荷泵启动时间的理论公式也一并被提出。