使用硼微晶玻璃片作为扩散源的一些体会

我们使用上海有色光学玻璃厂生产的硼微晶玻璃片作为P型扩散源,生产硅高频大功率晶体管.在使用过程中,我们感到硼微晶玻璃片有以下的优点:(1)扩散的均匀性和重复性好.同一批硅外延片,经扩散后,不同硅片上扩散层的方块电阻R_n很相近.不同批次的硅外延片,按照同一工艺条件进行扩散,也能得到很相近的方块电阻和结深.(2)使用方便.硼微晶玻璃片不需进行活化处理,性能稳定,不易粘片,不易粘石英     

硼微晶玻璃片简介

硼微晶玻璃片(PWB)是一种新型的平面固体扩散源。大量的实践证明,PWB具有热稳定性好、不易吸潮、工艺简单、不粘硅片、易于保存、扩散均匀性和重复性好、成本低、寿命长等一系列特点,因此,它是目前比较理想的硼扩散源。     

硼微晶玻璃片状扩散源工艺实践

一、引言 在半导体器件的生产中,扩散源性能的优劣直接关系到能否在整个硅片上获得一致的扩散,是能否在固定的工艺条件下重复生产出合格的管芯的关键。对扩散源的研究正随着生产的发展而不断深入。同时,人们对于一个良好的扩散源的标准也日趋明确。归纳起来主要应有如下几条: 1.有良好的均匀性,即在一炉中的各片子上都可以获得几乎相同的扩散。     

硼微晶玻璃源扩散均匀性的研究

研究表面,用片状硼微晶玻璃扩散源在一定的条件下也能形成B-Sis相层,并且只有在预沉积时形成B-Si相层且去掉这一相层进行主扩,才能获得高均匀性硼掺杂。本文研究了不同的工艺条件对扩散均匀性的影响结果。     

硼微晶玻璃源扩散在RCGTO中的应用

将硼微晶玻璃源均匀扩散条件及浓度控制方法用于ＲＣＧＴＯｐ基区扩散，研制成功２００Ａ／１０００ＶＲＣＧＴＯ。     

一种新型平面固体扩散源——硼微晶玻璃片在CG39型硅微波低噪声晶体管生产中的应用

本文叙述了硼微晶玻璃片(国外简称为 Boron~(+TM),国内简称为PWB)在硅微波低噪声浅结平面型晶体管扩散工艺中的使用方法和系统的几何尺寸;并给出了温度 T 与扩散电阻 R 口的关系曲线;热处理时间与扩散层电阻的关系曲线;比较了 PWB 和 BN 箱法扩散的直流特性。     

硼微晶玻璃片状扩散源在肖特基二极管中的应用研究

本文通过硼微晶玻璃片状扩散源在肖特基二极管中的使用过程,概述了７５×３ｍｍ硼微晶玻璃片状扩散源的扩散原理、扩散方法,实验过程;总结实验结果,给出了有关数据,讨论了存在的问题。     

硼微晶玻璃〔PWB〕片状扩散源在CMOSIC中的试用

一.概述: 1.名称:硼微晶玻璃片状扩散源简称PWB片状源或叫氧化硼片。 PWB是以硼—微晶—玻璃的汉语拼音第一个字母PWB命名的。 美国于1975年首先使用,称Boron~+片,国内于1979年试用并(钅监)定。由上海有色光学玻璃厂制造。 2.PWB片的主要成分及性质:     

太阳能电池片硼源扩散综述

对国内近十年来硼扩散技术的进展进行了介绍,引用不同科研人员的研究成果说明以下结论:采用旋涂SiO_2纳米浆料作为硼源,能够改善太阳能电池片扩散区域方块电阻的均匀性,粒径越小,均匀性越好;改善管内进气方式,增大硼源进气口距离太阳能电池片的距离,能够改善太阳能电池片扩散区域方块电阻的均匀性;在BBr_3液态源高温扩散过程中引入二氯乙烯,能够提高硼扩散的片内均匀性和片间均匀性。     

液态源大箱法硼扩散

一、引言 液态源硼扩散是应用比较普遍的一种扩散方法,典型的作法是采用气体携带法,用N_2把扩散源蒸汽携带到要扩散的样品附近,以实现扩散。此法的优点是适合于大批生产。在平面工艺发展的初期,固态源箱法扩散,在扩散工艺中,曾处于支配地位。它的优点是均匀性、重复性较好;不足之处是由于受扩散箱容积的限制,每次扩散片数不多。液态源气体携带法和固态源箱法各有千秋。我们把二者结合起来,取其所长,形成了一种液态源硼扩散的新方法——大箱法扩散。就是把整个石英管看成是扩散箱,先采用液态源气体携带法,使石英管充分饱和;然后在不通源,只通入保护N_2的情况下,放入样品进行扩散。石英管每饱和一次,可以连续使用4～5小时以上。且具有重复性好,操作简便的优点。在硅平面管生产中,几年来,我们采用这一方法作硼扩散,已取得良好的效果。     

用氮化硼作隔离扩散

济南半导体研究所二车间的同志们,对过去传统用的P型杂质源,硼酸三甲脂进行了认真的总结,认为硼酸三甲脂作扩散源,在浓度要求不高,批量不大,片子面积不大的情况下是能满足要求的。但用作集成电路的隔离层扩散,就显得不够了,主要问题是: 1.扩散后,杂质浓度的均匀性和重复性较差。     

硼扩散源及其在半导体器件中的应用

在半导体器件工艺中,多数情况是在硅衬底中掺 p 型或者 n 型杂质形成 pn 结。而最基本的 pn 结形成方法,一般采用杂质的热扩散法。通常,这种扩散工艺是由预沉积和再扩散两步工序组成的。首先是预沉积工序,它是在硅表面形成浅的高浓度杂质扩散区,其次是再扩散工序,它是使结更深地向硅衬底内推进,控制表面杂质浓度。认为控制了这个杂质浓度和结深就确定了半导体器件的性能,这种说法也并不过分。而且还可以说,预沉积将大大影响扩散的好坏。因此,本文简要说明一下关于预沉积中 p 型杂质(硼)扩散源的情况。同时,介绍一下最近 Owens-Illinois 公司研究的新的硼扩散源“Boro+~(TM)”(以下省略 TM)的优点。     

硼扩散源及其在半导体器件中的应用

在半导体器件的制造工艺中,向硅衬底中掺以P型或N型杂质形成PN结的时候居多,但是,本文应用的是形成PN结最基本的方法——杂质热扩散法。通常,这种扩散工艺由淀积和推进扩散二个阶段组成。首先,在淀积工艺中,在硅表面形成浅的高浓度杂质扩散区域,紧接着在推进扩散工艺中使结向更深的硅衬底内部浸透,控制表面杂质浓度。可以说,这种杂质浓度的控制和结深的控制左右着器件的性能。进而,这种扩散的好坏受到淀积工艺相当大的影响。因此,本文在说明了淀积工艺中P型杂质硼源概况的同时,着重介绍一下最近Owens-Illinois公司研究的新硼扩散源“硼~(+TM)(以下TM略去)的特点。     

硼铝乳胶源扩散的质量控制途径

乳胶源扩散是近年来得到应用的新工艺,它具有扩散参数均匀的特点,其应用不断推广。本文对影响硼铝乳胶源扩散质量的各种因素进行了试验,在此基础上探讨质量控制的方法。     

两步硼扩散代替硼铝扩散的探讨

本文介绍两步硼扩散工艺,它对改善台面功率晶体管的性能极有帮助.     

用多晶硅作实现的扩散源和互连层I~2L

用硼掺杂多晶硅作为I~2L器件P型区的扩散源同时起着导电层的作用,使P型区不用接触孔。与常规工艺相比,这种工艺具有较大的扇出能力和较小的尺寸,布线更为灵活。     

用全扩散法制作MCT

使用普通Ｐ型硅片，用全扩散工艺制作ＭＣＴ．除开通与关断ＭＯＳ外，全部器件用常规晶闸管工艺制造．试制品主要电特性达到设计要求，说明了利用全扩散工艺制造ＭＣＴ的可行性．文中讨论了适合于全扩散工艺的器件结构设计思路，报道了样品的测试结果，并对试制工作进行了简单分析．     

用单稳电路作同步分离

用一块J210和一块C032可以构成一个电视同步信号的分离电路(图1).J210为CMOS双单稳态触发器;C032为CMOS双或门,图1中用了一个或门. 调节W_1使第一个单稳延时10微秒,其Q_1端(⑥脚)输出的便是行同步信号.同时将Q_1送至第二个单稳的输入端((11)脚),第二个单稳工作于脉冲的下降边.第二个单稳的清除端Cr_2((13)脚)是由或门输出控制的,只有当Cr_2处于高电平时单稳才会被触发.