硼浓度对沉积在刀具上的金刚石膜表面的影响

在热丝CVD装置中，以氢气、丙酮、硼酸三甲脂为原料，在YG6上制备了含硼金刚石薄膜．研究丙酮中硼含量对薄膜表面晶形及晶粒度的影响．结果表明，薄膜中渗入适量的硼不改变薄膜表面晶形，细化晶粒．有利于薄膜附着力的提高；而过高的硼含量恶化金刚石薄膜质量，降低薄膜附着力．     

硼浓度对沉积在刀具上的金刚石膜表面的影响

在热丝CVD装置中,以氢气、丙酮、硼酸三甲脂为原料,在YG6上制备了含硼金刚石薄膜.研究丙酮中硼含量对薄膜表面晶形及晶粒度的影响.结果表明,薄膜中渗入适量的硼不改变薄膜表面晶形,细化晶粒.有利于薄膜附着力的提高;而过高的硼含量恶化金刚石薄膜质量,降低薄膜附着力.     

双辉渗金属高速钢的研究

利用中国独创的双层辉光离子渗金属技术，在普通低碳钢及低合金钢表面渗入所需合金元素，再经渗碳，形成具有钢成分的渗层，即在钢的表面形成高速钢，称为双层辉光离子渗速钢。合金元素供给源采用粉末冶金法制成，可根据实际需要调整其组分配比，从而获得一系列具有不同成分的高速钢渗层。     

铜表面气体渗硅后的滑动摩擦磨损研究

本文对用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气体在铜表面进行化学热处理获得的含硅表层进行了摩擦磨损研究．结果表明，在铜表面生成的含硅层可以降低摩擦系数；在低负荷干摩擦条件下，含硅表层的磨损率有较大程度的改善     

氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜

分别采用直流辉光、微波和电子回旋共振3种氧等离子体对CVD金刚石膜表面进行了刻蚀.利用扫描电子显微镜对三种等离子体刻蚀后金刚石膜表面的形貌进行了观察分析.通过对刻蚀后形貌差异的比较,探讨了它们各自的刻蚀机理,并从等离子体鞘层理论出发建立了刻蚀模型.     

氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜

分别采用直流辉光、微波和电子回旋共振3种氧等离子体对CVD金刚石膜表面进行了刻蚀．利用扫描电子显微镜对三种等离子体刻蚀后金刚石膜表面的形貌进行了观察分析．通过对刻蚀后形貌差异的比较,探讨了它们各自的刻蚀机理,并从等离子体鞘层理论出发建立了刻蚀模型．     

纳米金刚石微粉热浸渗技术对金属材料耐磨性能的影响

分别对两种材料的试样进行渗碳、渗纳米金刚石处理，发现渗纳米金刚石处理的试样比渗碳处理的试样硬度可提高7％和11％．利用T—11摩擦磨损试验机分别对其进行耐磨性能的测试后发现，通过纳米金刚石微粉热浸渗处理的试样比渗碳处理的试样耐磨性能提高得多．对其金相分析，发现钢材经纳米金刚石微粉热浸渗后出现了现在还不知名的新相和新的铁基合金．纳米金刚石微粉热浸渗技术提高了金属材料的硬度和耐磨性能，为易磨损零件的使用寿命的延长提供了一条可靠的途径．     

化学气相沉积金刚石薄膜的介电性能研究

目的研究CVD金刚石薄膜的介电性能．方法采用直流电弧等离子体CVD制备金刚石薄膜,测定其结构和介电性能（频率与电导、介电常数及损耗因子的关系）．结果CVD金刚石薄膜的介电性能主要取决于样品的多晶性质,以及表面和晶界处的非金刚石相和杂质成分．在500℃下对样品进行退火可以除去其中的大部分非晶石墨相,但不能去除所有的非晶石墨相和杂质．结论CVD金刚石薄膜如果要在电子器件上获得应用,在样品的制备和后处理方面还有许多工作要做．     

Preparation and Characterization of High Quality Diamond Films by DC Arc Plasma Jet CVD Method

OneoftheimpoftantprogressesinCVDdiamondresearchesisthepreparationofopticalgradetransparentdiamondfilmsinrecentyears[l-2].ThephysicalandchemicalpropertiesofthesefilmsarenearlythesameasthatofthenaturaltypeIladiamond,soopticalgradediamondfilmshavepotent...     

高速钢激光相变硬化层的韧性试验研究

本文采用声发射法，对Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ高速钢的激光相变硬化层进行了韧性测定，分析了激光相变强化工艺对高速钢韧性的影响。结果表明，激光强化能显著提高Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ钢的韧性。     

金刚石薄膜场发射述评

介绍了金刚石薄膜的场发射机理,从理论和实验上分析了改进其场发射特性的观点和方法,结果证明:减小金刚石晶体尺寸以及在金刚石薄膜中掺杂一定量的杂质原子有助于改善金刚石薄膜的场发射性能.     

燃焰法CVD金刚石薄膜生长过程的实验研究

采用燃焰法在硅基片表面进行了金刚石薄膜沉积实验．介绍了用金刚石微粉研磨基片表面对金刚石成核及生长的影响．根据不同沉积时间基片表面的扫描电子显微照片，分析了金刚石薄膜的生长过程，得出了金刚石薄膜的生长过程是以岛状生长模式形成连续膜的结论．     

金刚石线锯切割晶体硅模式研究

通过单颗金刚石刻划晶体硅实验和金刚石线锯切割晶体硅片表面形貌观察,分析研究了金刚石线锯切割晶体硅的模式。结果表明：在较大正压力下刻划时,金刚石主要以脆性模式切割晶体硅,划痕呈破碎崩坑状,在单颗金刚石刻划实验条件下可看到脆性解理条纹;而在较小的压力下,金刚石主要以塑性模式切割晶体硅,划痕相对平直光滑;金刚石线锯切割晶体硅片时,硅片表面呈现大量由脆性断裂留下的不规则凹坑和较长的光滑划痕,显示出以脆性模式与塑性模式混合切割模式。分析其原因可能是由于切割过程中线锯正下方对晶体硅的压力较大,以脆性模式进行多颗粒反复刻划;而与此同时,线锯侧面金刚石颗粒以小得多侧向压力对切割暴露出的硅表面进行蹭磨刻划,因此产生塑性模式刻划。     

薄膜型金刚石辐射剂量计的光电性能

金刚石具有宽禁带、强抗辐射性、与人体软组织接近的原子序数等一系列高质量辐射剂量计所需的性质，正日益受到关注。采用微波等离子体在不同条件和不同制备方法下合成金刚石薄膜，并制作出三明治结构的辐射剂量计。研究金刚石薄膜辐射剂量计的暗电流-电压特性，X光电响应特性及响应动力学。暗电流I-V特性测试结果表明，此剂量计具有欧姆特性。X光电响应测试结果表明，膜的取向和纯度是影响辐射剂量计X光响应灵敏度的主要因素。在纯度相近的情况下，[100]取向膜做成的器件X光响应灵敏度高于[111]取向膜；在同一取向下，纯度越高，灵敏度越高，“Priming”效应越弱。剂量计响应电流与辐射剂量间有较好的线性关系。通过标校后此金刚石薄膜剂量计能用于辐射剂量的定量检测。     

偏流对金刚石膜生长的影响

采用电子辅助热灯丝化学气相沉积(EA-CVD)方法沉积大面积金刚石膜,在金刚石膜的沉积过程中,偏流对金刚石膜沉积的影响会直接影响着金刚石膜的生长和质量。用Raman、SEM等手段对金刚石膜的生长特性进行了表征。     

高速线材导卫辊轮新材料研究

研究了多元合金化材料(在低高速钢中添加V,Nb,N,Re等元素)的组织结构和性能.结果表明,由于添加元素Nb推迟α-Fe的再结晶温度,添加W,Mo,V,Nb,C,N形成复合碳、氮化物等因素,经1250℃淬火,550℃3次回火2 h,试验钢有明显的二次硬化效果,硬度HRC 64.8.550℃保温16 h后的硬度为HRC 62.6,有很好的热稳定性.耐磨性接近于普通高速钢,W,Mo含量仅为普通高速钢的50%,是一种节能型高性能耐磨材料.     

离子束辅助沉积非晶硅薄膜红外光学特性研究

为了得到非晶硅（a-Si）薄膜红外光学常数与工艺参数之间的关系,采用Ar离子束辅助电子束热蒸发技术制备a-Si薄膜,并利用椭偏仪和分光光度计测量了薄膜的光学常数,分析了薄膜沉积速率、基底温度和工作真空度对a-Si薄膜折射率和消光系数的影响.实验结果表明：影响a-Si薄膜光学常数的主要工艺因素是沉积速率和基底温度,工作真空度的影响最小.当沉积速率和基底温度升高时,薄膜的折射率先增大后减小;当工作真空度升高时,薄膜的折射率增大.在波长1~5μm之间,a-Si薄膜的折射率变化范围为2.47~3.28.     

金属铝诱导低温晶化非晶硅薄膜研究

采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜，然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火，成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。利用XRD、RAMAN、SEM等测试方法，研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导晶化的过程实验结果表明，铝膜厚度较厚的样品在500℃下退火1h晶化为较好的多晶硅薄膜，而铝膜较薄的样品热处理后仍为非晶硅薄膜。