厚膜气敏器件加热器的研究

<正> 1 前言 目前国内外烧结气敏器件虽然商品化,但由于器件电参数离散性大,对满足传感仪器探头的互换和大批量生产还有困难,为此厚膜敏感器件的研究与应用更被人们所重视,厚膜气敏器件采用厚膜印刷工艺,其电参数一致性好,适合大批量生产。它与一般的半导体器件不仅工艺不同,而且其工作原理也有很大差异。厚膜气敏器件工作时,需要     

下一代晶体管露脸

ATDF公司和HPL公司最近展示了面向多栅场效应晶体管(MuGFET)的45nm技术节点上的工艺能力，MuGFET这种先进的半导体器件最终可能取代传统的CMOS晶体管。     

CMOS-LED光电组合器件

<正> 新开创的CMOS—LED(发光二极管)光电组合器件,是数字化,通用化及耐用化的共同体现,它使固体数码显示进入了一个新的阶段。本文将简要介绍CMOS—LED光电组合器件的原理及应用。一、CMOS—LED光电组合件原理采用半导体集成工艺及光电结合技术,使电路系统和显示系统有机地组合成特定的固体块,并具备各种需要的电及光性能。我们称这种具有局部功能的固体块为光电组合器件。我厂制造的CL系列光电组合器件就是上述光电     

一种基于FPGA的数控振荡器设计与实现

数值控制震荡器（NCO）是一种通信领域广泛使用的装置。文章首先介绍了数值控制震荡器的工作原理，然后重点介绍一种基于现场可编程门阵列（FPGA）的NCO的电路设计。采用Verilog语言描述硬件电路，在QuartusⅡ平台上进行设计和仿真，并给出了电路的仿真波形，电路易于用FPGA器件实现，具有良好的应用前景。     

失配电流控制的高阶带隙基准工艺健壮性研究

分析了基于失配电流控制的高阶补偿带隙基准的补偿原理,并研究了工艺偏移对基准电压温度系数的影响。基于失配电流控制的补偿策略具有结构简单、控制精度高,而且可以通过调整失配电流和多晶电阻阻值,使带隙基准具有较低的温度系数,同时具有较强的工艺健壮性。模拟分析表明,在-25℃-125℃温度范围内,在 TT（Typical -Typical）工艺角下,带隙基准的温度系数为4．8ppm /℃,同时在其他工艺角下,带隙基准的温度系数都可控制在9．0ppm /℃以下。通过无锡上华科技（CSMC）0．18μm CMOS 工艺实验验证,采用这种简单失配电流控制的高阶补偿带隙基准,在3V 电源电压下,在-20℃-120℃温度范围内,带隙基准的温度系数最低为6．9ppm /℃。     

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传感器类型：数码摄像头的传感器相当于传统相机的胶片，传感器是数码摄像头的核心，也是最关键的技术，它是一种用来接收通过镜头的光信号，并且将这些光信号转换成为电信号的装置。目前数码摄像头的核心传感器有两种：一种是CCD(电荷耦合器件)；另一种是CMOS(互补金属氧化物半导体器件)。     

Andigilog开发出采用CMOS工艺的模拟温度传感器

一家模拟与混合信号器件供供商Andigilog已开发出一种采用CMOS工艺的模拟温度传感器，该公司声称，这颗编号为aSC7511的器件采用了其独特的温度感测技术，能监控近端及远程的系统温度并进行热管理，从而为基于英特尔奔腾4与AMD速龙、毒龙处理器的PC与笔记本电脑降低功耗。     

Microchip推出全新高精度仪表放大器

Mierochip Technology Inc．（美国微芯科技公司）推出旗下首款仪表放大器MCP6N11。全新仪表放大器采用Microchip独特的mCal技术。mCal技术是一个可实现低初始失调电压的片上校准电路，可以控制失调漂移，从而使器件在整个时间和温度范围内精度更高。MCP6N11采用低功耗CMOS工艺技术，不仅能实现低功耗，同时还提供500kHz的增益带宽积，其硬件关断引脚更可使器件更加省电。     

SiGeHBT及其在射频LNA中的应用

随着无线通信、蓝牙技术、雷达及航天技术的发展,对其射频部分的技术指标要求和成本要求越来越苛刻.新型异质结器件异军突起,不断满足其要求,SiGe HBT LNA就是其中之一.基于Si的制造工艺,SiGe HBT本身就具有很好的成本优势,能有效的将CMOS电路集成到一起,并且经过不断地研究,SiGe HBT已经在技术指标上得到了突飞猛进的发展,达到了未成预料到的结果,使其对GaAs、InP等器件提出了巨大挑战,这些优点都使得它成为主流工艺,为射频不可或缺的一部分.在本文中详细地讨论了SiGe HBT LNA的基本工作原理,以及其直流特性、交流特性、噪声特性等.并讨论了SOI衬底上的SiGe HBT LNA的应用和BiCMOS工艺上SiGe HBT LNA的应用.     

Memoir Systems：开创存储器变革新篇章

当前，存储器发展的一个方向是朝着“利用新的物理规律，研发新的存储器结构”迈进，如相变存储器，电熔断存储器，阻抗存储器．磁性随机存储器MRAM等等，这一方向极人地丰富了现有存储器的种类，展现了繁多的存储器特色，但有两个缺陷是致命的：与CMOS工艺兼容性，生产效率。最近有一个新的趋势渐渐浮出水面，那就是算法存储器（Algorithmic Memory）。这是一种新的思路，     

宽动态摄像机技术深层探讨

自从40多年前摄像机的出现至今，从最早的真空管摄像机到现在的以CMOS、CCD、DPS为感光器件的设想，而宽动态摄像机也在此基础上逐渐流行起来，关于不同技术的各种争论与讨论此起彼伏。[编者按]     

Silicon Labs推出可直接替代光电耦合器的数字隔离器

Silicon Laboratories（芯科实验室有限公司）推出光电耦合器的替代产品Si87xx数字隔离器,其基于主流CMOS工艺并具有创新的发光二极管（LED）仿真输入。新型Si87xx数字隔离器提供完美的引脚配置和封装,兼容多种光电耦合器产品,并具备卓越的抗噪声能力、更高性能和可靠性。SiliconLabs公司Si87xx光耦替代器件采用基于CMOS工艺的专利隔离架构,完全消除基于LED的光电耦合器特有的敏感性。通过提供更长的产品寿命和更高的可靠性,Si87xx隔离器允许系统制造商支持更长的终端产品质保期,并降低维修或更换产品的成本。     

可重编程逻辑阵列(GAL)的原理及应用(二)

<正> 2.1 GAL产品的型号及含义GAL是美国LATTICE半导体公司生产的可编程逻辑器件的专用商标。GAL器件采用高性能的CMOS工艺、可以电擦除,具有浮栅结构。这种先进的工艺使GAL器件具有可以重新配置的功能、类同     

一种SET/CMOS混合器件模型的建立及特性分析

本文基于一种单电子晶体管数学模型（改进的MIB模型），实现其SPICE宏模型。提出一种改进型SET／CMOS混合器件模型，并用SPICE对其I-V特性进行了仿真验证，仿真结果证实了电流与电压具有线性关系。此混合模型的线性电流区可以在积分器以及滤波器电路中得到应用。     

AES能量攻击的建模与分析

在CMOS工艺实现的数字电路中,瞬时能量消耗很大程度上取决于当前时刻处理数据的中间结果。基于这一原理对加密设备实施的能量分析（PA）攻击能有效地破解密钥。本文针对高级加密标准（AES）建立了电路模型,从理论上用不同的统计方法在仿真平台上验证了差分能量分析（DPA）和相关能量分析（CPA）对AES攻击的可行性,在此基础上给出了一种低成本的抗能量攻击方法。     

CCD 及其在自动化领域中的应用

电荷耦合器件(简称 CCD),是一种新型的半导体器件。它是一种用电荷来表示不同状态的动态移位寄存器,其电荷信息(少数载流子)的转移是以外加电压在热弛豫期间产生的表面势阱的变化而实现的。其制造工艺仍采用 MOS 半导体光刻技术,制成表面沟道或埋沟道的 CCD 器件(P 型或 N 型)。     

大容量小封装摇臂开关额定电流达30A

APA1000是一种100万门的ProASICPLUS闪存FPGA，采用基于LM的CMOS工艺和单片解决方案，不需要配置其它器件，容量为100万系统门，两端SRAM为198Kb，712个用户I／O，具有3．3V32位PCI，高达50MHz，有两个集成的PLL，外接系统性能高达150MHz，有业界最有效率的安全钥匙（FlashLock．），低阻抗闪存开关，小型效率可配置的逻辑单元，高性能低抖动可分开的全局网络，100％可连线性和利用率，每个输入可选择施密特触发器。     

基于钴硅化物电迁移现象的电熔丝器件的优化设计与研究

设计了一种完全兼容现有0.18μm标准CMOS工艺的,利用电迁移现象的,价格低廉的电熔丝器件结构.结果表明,在该结构下,通过优化参数,所获得的eFUSE器件结构,熔断后电阻高达107欧姆数量级,熔断率高达99%,解决了传统结构下中熔丝熔断后电阻太小,局部过热可能产生爆裂的问题.     

基于常规CMOS工艺的电子镇流器芯片设计

分析当前主流电子镇流器控制芯片的优缺点,提出了一种适用于功率在20W以下节能灯控制芯片的设计方案。采用常规的CMOS铝栅工艺。整个控制芯片由主芯片和高压管驱动两块芯片组成,两管间通过自举电容耦合。自举电容起的作用：（1）隔离高压（2）传输高压功率管的控制信号。此设计方案的难点是设计出符合上述设计要求的高压管驱动芯片。此款芯片采用6μm CMOS铝栅工艺模型,经仿真验证,现已通过MPW流片成功。测试各项指标都达到设计要求。     

保证ADC1210转换精度的简单电路

<正> ADC1210是一种较为便宜的12位A/D 芯片,是CMOS 器件。其原码输出模数转换如图1所示。当启动转换信号START 为低电平时,芯片内部寄