IR公司肖特基二极管

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出四款新型FlipKY特基二极管。据称与业界普通标准的肖特基器件相比，它们的体积更小，工作效率更高。这些新型0．5A和1．0A器件采用节省空间的芯片级封装（CSP），最适于空间受限的手持和便携设备，如移动电话、智能电话、MP3播放器、PDA和微型硬盘驱动器，应用范围包括电流调节、ORing及升压和续流电路。     

Vishay肖特基整流器

Vishay Intertechnology公司提供高压大电流双肖特基整流器，采用TO-220AB封装，具有高达100V的反相电压和60A的前向电流。Vishay半导体公司的MBR60100CT用于AC／DC和DC／DC转换器的次级整流以及在台式和笔记本、服务器和电信交换     

高压肖特基二极管

日本研制出一种能承受220伏电压的肖特基势垒二极管,而一般肖特基二极管只能承受30～100伏的电压. 新器件采用了高可靠的平面结构,用铝作电极.它     

双高压肖特基整流器

日前，Vishay Intertechology，Inc．(VSH)宣布推出三款新型双高压肖特基整流器，这些整流器具有最高可达200V的反向电压、20A正向额定电流，最高可在175℃的温度下工作。出色的200V正向电压肖特基整流器足采用碳化硅技术以低成本工艺制造的，这些基于硅的新型器件旨在实现输出电压高达48V的交流／直流及直流／直流转换器的次级整流，以及续流和极性保护应用。     

超高速半导体器件 肖特基二极管

肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管)是上世纪问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0．4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用塑封形武。     

SiC肖特基势垒二极管

本文简要地介绍了半导体ＳｉＣ材料的特性，并与Ｓｉ、ＧａＡｓ，ＧａＰ等材料作了比较，同时介绍了ＳｉＣ９肖特基势垒及ＳｉＣ肖特基势垒二极管的伏－安特性。     

IR扩展肖特基整流器系列

功率半导体专家国际整流器公司 (ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ ,简称ＩＲ)推出经济实惠的标准表面贴装(ＳＭＡ、ＳＭＢ及ＳＭＣ)及轴向引线 (ＤＯ 2 0 1及ＤＯ 2 0 4 )封装ＭＢＲ系列肖特基整流器 ,扩大了功率管器件系列。设计人员现在可以利用更多元化的肖特基整流器 ,配合ＩＲ其他功率半导体产品 ,包括ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ、栅驱动集成电路及Ｐ Ｎ结型二极管 ,实现完整的功率系统方案。肖特基二极管用于 12Ｖ以下输出整流级、开关电源、其他功率系统、电池反向保护、续流电路及高频或过冲 /下冲箝位电路。肖特…     

平面肖特基二极管的制作

为研究制作THz频段下工作的肖特基二极管器件,系统研究了平面肖特基二极管的制作工艺。通过分子束外延(MBE)生长了掺杂浓度分别为5×1018 cm-3的缓冲层和2×1017 cm-3的外延层,并研究温度对厚度的影响,使得膜层厚度控制良好,晶格完整。通过参数控制,减小了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的SiO2钝化层应力,使压指结构的翘曲情况得以改善。研究了不同退火温度下欧姆接触的情况,使接触电阻率减小到0.8×10-7 ?/cm2。用电子束光刻和干法刻蚀制作了亚微米级的阳极区域,结合GaAs湿法刻蚀的速率控制,完成了表面沟道的制作,制作出完整的平面肖特基二极管。通过I-U曲线理论计算,二极管的截止频率达到太赫兹量级,为后续工作奠定了基础。     

NiSi-Si肖特基中势垒二极管

本文介绍了NiSi-Si中势垒的获得与特性.提出了NiSi-Si势垒肖特基二极管的基础制造工艺.解决了NiSi-Si势垒实用化中的两个具体问题——粘附层金属和表面保护层的选择.制造出了参数性能优良的NiSi-Si中肖特基势垒二极管.     

肖特基二极管的新发展

介绍肖特基二极管的结构特点和最新发展动向及应用。     

国际整流器公司推出多款输入整流器产品

功率半导体器件领袖国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)日前推出三款新型输入功率转换应用系列产品—SAFEIR、QUIETIR及SMALLIR。 SAFEIR二极管及晶闸管产品能使整机避免浪涌(surge)和尖峰(spike)等线路干扰问题,从而提高安全储备,进一步保护用户的设备装置。QUIETIR软恢复(soft-recovery)二极管产品能降低发射和传导噪声,也有助于降低正向压降。SMALLIR输入装置以小巧的D-Pak及D~2 Pak表面贴装的封装形式推出,用来配合市面上的开关及     

砷化镓肖特基势垒光电二极管

美国某公司试制成带宽为100千兆赫的平面型砷化镓(GaAs)肖特基势垒光电二极管.基片是平面的半绝缘性GaAs,在它上面用液相外延法形成0.4微米厚的N~+GaAs层和0.3微米厚的NGaAs层.NGaAs层的自由电子密度为1×10~(17)/厘米~3;对肖特基势垒和     

功率肖特基二极管的优化设计

本文由描述功率肖特基势垒二极管电学特性的基本方程出发,结合对典型整流电路效率、器件正向压降、反向耐压及温度特性等参数的数值分析,给出器件设计折衷优化的理论依据.     

品质卓越的国际整流器公司

International Rectifier(国际整流器公司,简称IR公司)是世界上最主要的功率半导体器件公司。 功率半导体器件主要用于处理电能(频率变换、功率变换和控制)。或者说是把粗电精炼成符合应用需要的精电。它比传统的处理方法可节约大量的电能。 节约能量不仅对功率很大工