PTC热敏电阻材料阻-温特性的微机测试系统

<正> 一、引言正温度系数热敏电阻(PTCR)材料最基本的特性之一是电阻—温度特性,如图1所示。从中可以得到材料的基本参数。     

一种新型发热材料——介绍PTC元件

近几年,在国外一些家用电器和电子设备中,采用了一种新型半导体陶瓷作为发热元件和过荷过热保护装置.这种材料是以钛酸盐(钛、钡、锶、铅)为基本成份,掺以微量的稀土元素如镧(La)、钐(Sm)、铌(Nb)、钇(Y)和锑(Sb)等,用陶瓷工艺合成.它具有特异的温度-电阻特性,即当材料在某一温度(居里点)时,其电阻率剧增10~4以上.这种跃变是因材料本身具有特殊的导电结构所致.这一现象称为正温度系数特性(PTC特性).钛酸钡陶瓷具有PTC特性,早在五十年代就已发现,但其实用化,普及化,还是近几年的事情.     

陶瓷传感元件在家用电器中的应用(二) PTC陶瓷热敏电阻器

据日本电子工业振兴会调查,各种传感器中需求量最大的是温度传感器。在家用电器中,温度传感器约占90%。热敏电阻器普遍用作温度传感器。按电阻随温度的变化特性,热敏电阻可分为负温度系数热敏电阻(NTC)正温度系数热敏电阻(PTC)、临界温度热敏电阻(CTR)。陶瓷材料在上述三种热敏电阻中均占有重要地位,尤其是PTC热敏电阻。目前大量使用的基本上是钛酸钡(BaTiO_3)系半导体陶瓷。     

钛酸钡基PTCR的电压效应测量方法的研究

PTC(正温度系数)热敏电阻器存在电压效应,此电压效应对PTC热敏电阻器的工作特性有明显的影响,本文讨论了用“脉冲放电法”测量PTC热敏电阻的电压效应的工作原理。用自行设计的电路测量了PTC热敏电阻器的电压效应。实验证明陶瓷PTCR(正温度系数热敏电阻器)的确存在电阻的电压效应。随着外加电压的升高,PTCR的电阻值明显下降。     

敏感电阻器的种类与特点

目前,敏感电阻的种类较多,比较常见的有热敏电阻、光敏电阻,压敏电阻、力敏电阻、磁敏电阻,湿敏电阻和气敏电阻,下面就分别简要介绍。一、热敏电阻。热敏电阻是一种电阻值对温度非常敏感的电阻器,这种电阻一般由单晶、多晶等半导体材料制成,其种类较多,如根据阻值的温度系数、可分为阻值随温度升高而减少的负温度系数热敏电阻和阻值随温度升高而增加的正温度系数热敏电阻;如按阻值随温度变化的大小及变化速废;可分     

微测辐射热计用氧化钒薄膜制备及特性

热敏薄膜电阻制备是非致冷微测辐射热计红外焦平面的一项关键技术。对目前在非致冷微测辐射热计研制中得到成功应用的氧化钒薄膜的特性、制备及表征技术进行综述。氧化钒存在多种物相和结构 (VOx:0 相似文献   

钛酸钡系PTCR半导体陶瓷界面态分析

对形成钛酸钡系半导瓷PTCR效应的界面态进行了探讨,分析了在居里点以上由于界面态和介电常数的共同作用引起的材料电阻率猛增几个数量级的原因;同时对钛酸钡系PTCR半导瓷界面态的组成进行了研究,并提出一种直接测量界面态密度的方法。     

MgO掺杂对ZnO基线性电阻陶瓷性能的影响

以ZnO为基添加Al2O3和MgO制备了导电陶瓷;研究了MgO掺杂含量对ZnO陶瓷电阻率、电阻温度系数和相对密度的影响;测试分析了ZnO导电陶瓷在室温小电流时的伏安特性.结果表明,ZnO-Al2O3-MgO系陶瓷具有线性的伏-安(V-I)特性;添加MgO能增大电阻率且可改善电阻温度系数,当x(MgO) =5％时,小电流电阻率为178 Ω·cm,电阻温度系数为－1.5×10-3/℃;适量的MgO含量有利于烧结致密化.     

钽基电阻薄膜的进展

<正> 一、前言从50年代中期以后,钽逐渐成为电子元件的重要材料之一。那时,因为钽的抗蚀性强、易于阳极氧化、以及其氧化膜具有优良的介电性能,所以首先用来制造钽电容器。由于在块状形式下,钽的电阻率很小(ρ=13μΩ·cm),而电阻的温度系数(TCR)又很大,所以不适于作为电阻材料。然而,在薄膜形式下,出现了钽晶的四方结构(常     

外延生长砷化镓中高阻层的性质

在比较低的砷压条件下生长的汽相外延GaAs高阻层中,发现了几种有兴趣的性质,比如:(ⅰ)大的正电阻率温度系数(PTCR),(ⅱ)大的光电导,和(ⅲ)电流控制的负阻,提出了可能的解释。     

PTC起动器中国进行时

正温度系数热敏效应PTC(Positive Temperature Coefficient)于1950年由Walter Heywang在多晶半导体钛酸钡掺杂稀土元素的陶瓷材料的实验中被发现,1964年G.H.Jonker进一步完善了这一重要陶瓷材料的特性理论。于上世纪70年代开始,基于这一效应的PTC热敏电阻产品得到了...     

用于微测辐射热计的氧化矾热敏材料的温度特性

氧化矾作为非制冷微测辐射热计的热敏材料,电阻率p和电阻温度系数TCR(Temperature Coefficient of Resistance)是表征其性能的重要参数.通过对用离子束溅射得到的氧化矾薄膜在相同时间不同温度下的N2+H.退火实验,我们发现氧化矾薄膜的电阻率p和电阻温度系数TCR之问存在着密切的正相关关系,AES结果表明它们的变化对应着氧化矾热敏材料的O/v比例(或氧空位浓度)的变化.这三个参量随着退火温度的改变而变化,在350～500℃的退火温度范围内,我们发现电阻率p,电阻温度系数TCR以及O/V比例随着温度的变化均出现一个峰值.通过对氧化矾的电阻温度特性的分析,我们讨论了氧化矾薄膜的导电机制.我们认为,用本方法制备的氧化矾薄膜在室温下导电的载流子主要来自于相对较深能级杂质的电离.     

利用非线性半导体电阻的非线性运算部件——非线性元件特性的控制与运算部件线路的综合

本文叙述了非线性半导体电阻的基本特性,阐明了控制其非线性系数与电压间关系的可能性,并引述了作者在减低电阴温度系数方面的一些实验结果。同时,文中建议一个分析非线性半导体电阻与线性电阻各种可能组合的普遍方法。最后,阐述了利用非线性半导体电阻的函数转换器的构成原理;给出了几种典型函数转换器线路的综合方法,利用这一方法作出的正弦函数转换器,具有线路简单、宗量变化范围宽(由-π到 π)等特点。     

一种具有V形阻温特性的PTC材料

本文介绍一种具有V形电阻温度特性的钙钛矿型(ABO_3)结构的半导瓷材料(简称为V-PTC材料)。这种材料在居里温度以下,具有与NTC热敏电阻相当的电阻温度系数(负值),而在居里温度以上,又具有标准的PTC特性。其制造方法有两种:Yb_2O_3掺杂法和SrPbTiO_3主晶相法。该材料可用于制作具有抑制电源冲击电流和异常过电流保护双重功能的元件,应用于电源电路中。     

TiO_2添加量对PTCR启动器恢复特性的影响

为了研究TiO2添加量对PTCR启动器恢复特性的影响,采用改变TiO2掺杂量的方法,对不同TiO2掺杂量的PTCR启动器恢复特性进行了研究。结果表明,在一定的掺杂范围内,随着TiO2添加量的增加,PTCR材料的电阻温度系数a 从34.95%℃1减小到29.67%℃1,升阻比b 值从4.0106增加到4.3106,启动器恢复时间从60 s减小到54 s。     

用随机阻抗网络模拟纳米热致变色VO2薄膜的电阻温度特性

用反应离子束溅射法制备了低相变点(45℃)纳米二氧化钒(VO2)薄膜,并利用随机阻抗网络模型来模拟其电阻-温度特性.在模拟过程中,该薄膜被等效为一个由半导体相和金属相微粒随机分布组成的复合系统.氧化钒薄膜电阻温度特性的模拟结果与实验测量值在整个温度变化范围(10～75℃)十分吻合.这一结果表明,氧化钒薄膜在温度变化过程中发生相分离,且半导体相微粒和金属相微粒之间相互竞争导致了氧化钒薄膜电阻的突变.     

文摘选辑

(一) 单晶和薄膜材料 258 钛酸钡的弹光效应——(Toda K.)《Japan Jour. Appl. Phys.》19 7 1311—5 1980 从理论和实验研究了BaTiO_3在立方-四方相变点(～113℃)附近的弹光效应,提出了一种理论认为电子极化、应变与软声子之间的非线性耦合导致了弹光系数的温度依赖性,测定了极化的BaTiO_3单晶的弹光系数P_11与温度的关系,立方相的P_11与温度密切有关而四方相的,P_11与温度的关系很小。 259 钛酸钡从熔体中的结晶化——不同熔剂影响——(Roy B N)《lour Crvst     

怎样选用元器件讲座（十三）：MZ2型PTC限流元件

PTC限流元件是一种具有恢复特性的正温度系数热敏电阻。PTC限流元件的主体材料是钛酸钡(BaTiO3),掺以能改善居里点温度的物质和极微量的导电杂质(如稀土元素镧),经研磨、挤压成型、高温烧结而成的复合钛酸盐的N型半导体陶瓷。图1为PTC限流元件的外型图。限流元件PTC在达到一个特定的温度前,电阻值随温度变化非常缓慢。当超过这个温度时,PTC的阻值急剧增大,发     

硅正电阻温度系数热敏电阻器

为获得一种在常温下具有正温特性的热敏电阻,采用硅单晶材料,利用其迁移率随温度变化的规律设计并制成了硅正电阻温度系数热敏电阻器。测量表明,其电阻值随温度升高而增大。温度系数为(0.6％～0.8％)℃~(-1),在-50～+100℃温度范围内具有准线性。硅正电阻温度系数热敏电阻器特别适合于各种半导体器件和传感器的温度补偿。     

掺杂Ag元素对溶胶–凝胶一步法制备BaTiO_3基PTCR陶瓷性能的影响

为改善PTCR陶瓷材料的电学性能,采用AgNO3作为Ag掺杂原料,用溶胶–凝胶一步法合成了含Ag元素的BaTiO3基PTCR陶瓷,着重讨论了银含量对半导体陶瓷电学性能的影响规律。结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(r)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(aR)和耐电压(Vb)。本实验中掺杂0.05%Ag(摩尔分数)时,获得的PTCR陶瓷性能较好:r≈28 W·cm,a25>16%℃1,Vb>180 V·mm1。