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利用射频反应溅射Cd-In合金靶沉积的CdIn_2O_4薄膜是n型高兼并半导体,其红外反射率随溅射气体中氧浓度的不同而有异,相同氧浓度下沉积的薄膜经过退火处理后红外反射率也会发生变化。原因是不同氧浓度下沉积薄膜的氧空位不同,其自由载流子浓度也就不同,从而使薄膜有不同的吸收系数。实验结果与理论计算值符合较好。 相似文献
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射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜是n型缺陷简并半导体,并以氧空位作为施主态,载流子浓度高达4.46×10~(26)m~(-3)。从热处理前后CTO膜的透射谱中观察到明显的Burstein移动。光致发光谱的测量表明,晶态CTO膜的本征跃迁能隙约为2.156eV,并由CTO膜的电学和光学测量数据计算出热处理前后的光隙能E_(opt)为2.35eV—2.64eV和传导电子的有效质量m_e~*为0.22m_e—0.5m_e。 相似文献
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用局部旋转密度近似的方法研究GaN材料的电学性质与光学性质,用Cr跃迁金属替代GaN半导体中的N原子,其原子浓度为1.56%.这种材料用孤立和部分填充的中间带表征,是高效太阳电池的候选材料.对中间带的轨道成分进行分析表明,中间带主要由跃迁金属的t-群轨道构成.吸收系数的理论计算结果表明,半导体材料的次带吸收会导致太阳能转换效率的增加. 相似文献
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射频反应溅射CdIn2O4膜制备过程中氧浓度对光学性质的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
采用射频反应溅射方法在Ar+O2气氛中制备了CdIn2O4薄膜,报道了在没氧浓度下该膜的透射率和随波长的变化关系。发现氧浓度越高,膜透射率赵低,而消光系数1、折射率相应地越大。对这些结果从CIO膜的晶格常数、载流子浓度等角度进行了理论分析。 相似文献
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以改良Hummers法制备的氧化石墨(GO)为碳源,采用水热法将制备的纳米SnO_2覆载在氧化石墨表面,经球磨和热还原后得到SnO_2@r GO复合材料。利用SEM,Raman,XRD对SnO_2@r GO的形貌、组成及结构进行了表征。以SnO_2@r GO为活性物质制备钠离子电池负极,对电池的循环稳定性、库伦效率进行了测定。结果表明,纳米SnO_2较好地分布在氧化石墨层表面形成复合材料,其比表面积达到102.1 m~2/g。电化学测试显示,当电流密度为100 mA/g时,SnO_2@r GO钠离子电池比容量达到339 m A·h/g,循环100次后的电池效率还能达到98.75%。以SnO_2@r GO作为钠离子电池负极材料,可提高电池的容量保持率和循环稳定性。 相似文献
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CuInSe_2作为一种高效光伏转换材料受到极大的重视。CuInSe_2的禁带宽度为1.04eV,与地面太阳光谱匹配较好,是一种直接跃迁材料,具有高吸收系数,只要几微米的厚度就可以制成高效电池,从而降低了对材料扩散长度的要求。CuInSe_2与CdS有良好的晶格匹配,可以得到效率高于10%的全薄膜p-GuInSe_2/n-CdS电池。研究表明,6—8微米厚的CuInSe_2/ 相似文献
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采用超声雾化喷涂法沉积得到 Sn O2 薄膜和掺氟离子 Sn O2 薄膜。通过改变掺杂量和选择合适的工艺条件可控制掺氟 Sn O2 薄膜的方块电阻 ,其最小方块电阻值达 10 Ω/□。用 5 5 0 nm单色光测得其透过率为 85 %— 90 %。用 X射线衍射仪及扫描电子显微镜分析 Sn O2 薄膜的微结构和成份 ,薄膜为择优取向晶化。薄膜具有很好的抗腐蚀性能。在已完成 pn结及电极制作工序的单晶硅太阳电池上沉积一层厚 70 nm的未掺杂 Sn O2 薄膜 ,构成光学减反射层 ,其电池的短路电流 Isc提高约 5 %— 10 %。 相似文献
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李宏刚 《小型内燃机与摩托车》2008,37(3):69-72
本文进行EGR的基础研究,单纯从CO2的加入入手,主要以进气掺烧CO2减排汽油机NOx的特性为研究对象,在HODNA G200单缸四冲程发动机上进行系列实验.并通过理论和实验分析了进气掺烧不同流量CO2对NOx、HC、CO和CO2的排放以及燃烧过程的影响.研究结果表明,汽油机进气掺烧适量CO2减排NOx效果明显,对HC排放影响不大,CO排放略有增加,发动机输出功率有所下降. 相似文献
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为了获得生物燃气及生物燃气掺氢的燃烧特性,文章通过高速纹影系统在定容燃烧弹中研究了CH_4/CO_2在不同CO_2比例、不同当量比、不同初始压力以及不同掺氢比下的层流燃烧特性。研究结果表明:生物燃气的层流燃烧速度随着CO_2掺混比例的增大而降低,随着初始压力的升高而降低;生物燃气掺氢后的层流燃烧速度随着掺氢比的增大而增大;对于生物燃气及生物燃气掺氢而言,火焰的稳定性随着初始压力及掺氢比的增大而降低,随着当量比增大而增大,生物燃气中CO_2的比例对火焰稳定性的影响不大。 相似文献