SrS:Ce,K蓝色薄膜电致发光器件中的记忆效应

近些年来,人们已经发现减土硫化物如SrS和CaS可能是用于彩色薄膜电致发光(TFEL) 的较好的基质材料。为了实现具有大量家元和较高亮度的矩阵显示,一个重要并且必需的特性是在ZnS:Mn TFEL器件中所观察到的那种固有的记忆效应。但直到现在仅有几篇关圩碱土硫化物TFEL器件记忆效应的报导。本文报导了SrS:Ce,K蓝色TFEL器件的固有的记忆效应。这种TFEL器件由一个夹在两个绝缘层之间的SrS:Ce,K EL发光层组成。SrS:Ce,K层夹在两个ZnS层中间,ZnS层的作用是保护SrS:Ce,K层。为了制备有效的SrS:Ce,K发光膜,采用     

薄膜EL器件

这是有关用作显示器件的薄膜 EL 器件的发明.近来,碱土类硫硒碲化合物为基质、Ce激活发光层的薄膜 EL 器件,由于它能得到较高亮度的蓝色发光而受到重视。这种薄膜EL 器件,通常是在 SrS 和 SrSe 碱土类硫硒碲化合物(用溅射方法或真空蒸发方法形成)中,把其中一种化合物作为基质,用 Ce 激活的薄膜用来做发光层。以 SrS 或 SrSe 为基质,用 Ce 激活的发光层作为薄膜 EL 器件,能够得到 ZnS 基质发光EL 器件所不可能达到的高亮度蓝色发光。     

采用多源沉积技术制备的SrS∶CeCl_3器件的无辐射区

一、引言TFEL 器件很有可能实现大屏幕显示。由于离亮度和长寿命,使用 ZnS:Mn 荧光粉的单色 EL 屏已商品化。目前的研究工作是采用不同的荧光粉来研制多:色 EL 器件。稀土掺杂的碱土硫化物,如 SrS:Ce 和 CaS:Eu 适用于蓝色和红色发光 TFEL 显示     

SrS:CeCl_3薄膜的高亮度蓝色EL

用于薄膜电致发光(EL)器件的 SrS:CeCl_3发光层的结晶性能直接受与其邻近的底层膜的影响。在一种以强立方(111)取向 ZnS 薄膜作为底层的 EL 薄膜器件中实现了明亮的蓝色发射,在5KHz 正弦电压激发下,器件的最大亮度力100nt。根据 x 射线衍射图和发光层的光致发光光谱讨论了 EL特性。     

控制真空条件并添加硫使发蓝——绿光电致发光器件的亮度改进

在蓝-绿发射SrSe:Ce荧光粉层的制备时,用电子束蒸发方法添加硫可以非常有效地改善电致发光的亮度。观察到荧光粉层结构的改变。硫的含量增加了而氧的含量降低了,结晶度得到了改进。为了制出能比常规橙——黄发射TFEL显示更多信息的多色TFEL器件,蓝色EL荧光材料亮度的改进是很必要的。1984年,Barrow等指出SrS可用作发蓝光荧光粉的基质,并用CeF_3作掺杂剂,结果表明SrS:CeF_3的亮度比ZuS:TmF_3材料要高100倍,而后者曾是最亮的发蓝光的荧光粉。但是,碱土金属硫化物(如SrS和CaS)具有化学的不稳定性和吸湿特性,这就使加工过程存在一定的困难并导致化学当量的偏差和不良的结晶性。为了解决这些问题,我们试用了硫共蒸发法,并采用了具有良好结晶性的衬底层,由此成功地得到亮度的改善。荧光粉层的精细结构尚未报导。此外,为进一步改善发光性能,对荣光层结构的研究是必不可少的。本文报导了控制真空条件并填加硫的方法改善了SrS:Ce EL器件的亮度.还细致地讨论了SrS:Ce荧光粉层结构的改变。     

含有SrS:Ce,Cl/Zu Mn双磷光体层的白色薄膜电致发光EL器件

Zn:Mn 薄膜交流 EL 平板显示器件在高亮度、长寿命和稳定性等方面所取得的进展使人们对这种显示器件的兴趣进一步增加。由于 ZnS:EL 屏的发光颜色局限于橙黄色。因此,人们为了研制多色薄膜 EL 器件而进行不了懈的努力。然而,在研制白色薄膜 EL 器件方面所做的尝试却很少。至今已报导过的较好的白色薄膜 EL 磷光体 ZnS:PrF_3,在5kHz 电压驱动下只能给出350cd/m~2的较低亮度。最近的研究表明,稀土掺杂的碱土硫化物对于多色薄膜 EL 器件来说是一种有希望的材料,尤其是 SrS:Ce 已成为蓝色 FL 的一种     

SrS薄膜制备工艺中硫的热解效应

一、前言在薄膜电致发光(TFEL)器件发光层中,主要使用的是以 ZnS 为基质的橙色 ZnS:Mn,绿色 ZnS:Tb 以及红色 ZnS:Sm 发光材料。随后又出现了蓝绿色 SrS:Ge,红色 CaS:Eu 等稀土激活的 SrS、CaS 类碱土金属硫化物。其目的在于扩展彩色 EL 显色范围。     

用电子束蒸发和射频磁溅射制备ZnS:Tb,F电致发光薄膜的差别

一引言近十年来,经细致的研究后,ZnS:Mn电致发光(EL)薄膜器件已经达到实用阶段。但ZnS:Mn荧光体只能给出橙黄色辐射光。最近,人们集中于彩色EL器件的研究,如绿色 ZnS:Tb,F_(?)蓝色SrS:Ce和红色CaS:Eu。它们当中,绿色ZnS:Tb,F薄膜是最突出的,并达到实用水平。ZnS:Tb,F荧光膜最初在1968年由Kahng提出,因这种发光中心是以Tb F_3分子形式掺入,所以称之为分子中心。制备方法是用两个蒸发源,一     

用ZnS薄膜作为空穴缓冲层的高效率有机发光二极管

用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的 OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al) 的发光性能得到改善.ZnS 缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为 5 nm 时,器件的亮度增加了2倍多;当ZnS缓冲层厚度为5、10 nm时,器件的发光电流效率增加40%.研究结果表明 ZnS 薄膜是一种好的缓冲层材料,它能够提高器件的发光效率,改善器件的稳定性.     

几种蓝色发光薄膜电致发光器件

近年来,为实现全色平板显示器,人们对薄膜电致发光器件进行了积极的研究。实际应用的最大障碍是缺少蓝色发光器件。作为一种蓝色发光的 EL 器件,人们对 Tm 掺杂的 ZnS 薄膜进行了研究,但是这类器件所能达到的最大发光亮度很低(10—12cd/m~2)其次,ZnS:Tm EL 器件的发光颜色也不合     

稳定的白色SrS:Ce,K,Eu TFEL

本文报道了一种发白光的 SrS:Ce,K,Eu 薄膜电致发光(TFEL)器件,在超出阈值电压40V,频率为1kHz 的驱动下,亮度可达325cd/m~2,效率为0.151m/W.对以SrS 为基质的 TFEL 器件的亮度一电压衰减特性进行了测量。发现 SrS:Eu 器件比     

高亮度SrS：Ce,Ga,F薄膜电致发光器件

在Ga掺杂的SrS:Ce荧光粉膜中，Ga的作用是良好的助熔剂。当在高于750℃的温度下进行快速退火时，用溅射法制成的SrS:Ce,Ga，F膜的晶型由柱形变的球形。此外，晶体的粒径从50nm扩大到500nm。对在800℃时退火的SrS:Ce,Ga，F薄膜的光致发光测试表明该膜的衰减时间为25ns，这说明了Ce离子有效的地掺入了荧光粉中，因而改进了结晶度，使该荧光粉具有了优良的电致发光性能。在具有1.5μm厚的SrS:Ce,Ga,F的薄膜电致发光器件中，在60Hz下，亮度达到了155cd/m^2。此外，在BaTa2O2上绝缘层和SrS:Ce荧光粉层之间加一SiON膜层，器件可以获得高光效，光效达到e40=1.15lm/W。     

ZnS:Li_2O 薄膜的电致发光特性

本文报道了新型较高亮度的ZnS:Li2O蓝色薄膜电致发光,烧结了新型的蓝色发光材料ZnS:Li2O,用电子束蒸发制备出SiO2夹层结构的ZnS,Li2O蓝色电致发光器件,通过吸收光谱,电致发光光谱,激光光电压与发光强度的关系等研究了ZnS:Li2O薄膜发光特性,认为ZnS:Li2O薄膜电致发光可能是由Zn填隙和氧替硫引起的。氧替位能抑制通过硫空位产生的无辐射跃迁使蓝色发光增强。     

CaS:Eu有源层中的氧对TFEL器件发光特性的影响

作为多色薄膜电致发光器件的有源层,人们对稀土掺杂碱土硫化物进行了深入的研究.特别是 CaS:Eu 和 SrS:Ce,它们分别是红和蓝色 EL 器件的最佳材料。为了得到多色 TFEL 器件,人们对制备条件等问题,例如衬底温度、沉积速率和硫共蒸发等进行了研究。但器件的电致发光亮度仍不适应于     

溅射制备的SrS:Ce蓝——绿发光TFEL器件

用射频溅射技术制备出 SrS∶Ce 荧光粉薄膜,并用这种溅射薄膜制备了蓝—绿发光TFEL 器件,经研究发现这种器件的亮度和效率与薄膜生长过程中的气体压力、溅射靶的杂质含量、衬底温度和有源层厚度有函数关系,实验结果证明用溅射技术取代常规的电子束蒸发技术可以在<300℃的衬底温度     

SrS:Ce电致发光器件的电特性

分析了具有不同发光层厚度的SrS∶Ce电致发光（EL）器件的亮度、传输电荷、光致传输电荷和效率。Ce掺杂浓度恒定为0．05％，发光层厚度在380um到890um间变化。发现，具有较厚发光层器件亮度的增加，主要是由于在驱动脉冲电压前沿的发射增加。此外，在所有样品中比较了后沿特性。在较高的峰值电压时，由于发光层中形成了很强的空间电荷，EL器件效率下降。当发光层厚度在700um左右时，EL器件效率最高。研究了高电场下Ce~(3+)受直接激发（λ_(exc)=430um）产生的光致电荷（PQ）与峰值电压的关系。因此，PQ特性曲线可作为发光层中平均电场的灵敏参数。     

全色薄膜电致发光器件

兼有点阵和层迭式发光体的器件可以产生全色.蓝-绿色SrS:Ce,K器件经滤色可分成蓝色和绿色,然后重迭在红色CaS:Eu上.     

采用绝缘钛酸钡陶瓷片的ZnS:Mn低电压驱动薄膜电致发光器件

在作为绝缘层的BaTiO_3陶瓷基片上,采用二硫化碳作为硫源,用MOCVD法生长的ZnS:Mn发射层,业已制成ZnS:Mn 薄膜电致发光器件。ZnS:Mn发射层厚度为170纳米的电致发光器件,施加电压(正弦波,5千赫)为7伏时,以及发射层厚度为400纳米、施加电压为20伏时,所得到的亮度为1尼特。本文达到的最高亮度和发光效率分别为6300尼特及约11流明/瓦。有一个器件在60赫,100伏电压的驱动下,其亮度为200尼特。     

具有溅射SrS:Ce薄膜的蓝-绿色TFEL器件

用射频溅射法制备出以SrS:Ce荧光膜层为基础的发射蓝-绿光的薄膜器件。将器件的亮度和效率作为薄膜生长期间的气体压力,溅射靶中的杂质含量有源层厚度的函数,并对此进行了研究。生产出的器件在1kHz驱动下能产生超过300cd/m~2的亮度,它的CIE色坐标值为x=0.174,y=0.368。为了改进器件特性还讨论了实验结果。     

使用新型SrS荧光粉薄膜的白色电致发光器件

本文提出了在5kHz频率下发光亮度为150cd/m~2的白色薄膜电致发光(TFEL)器件。研究出了SrS:Pr,K;SrS:Ce,K,EU和又SrS:Ce,K/SrS:Eu三种荧光粉。对这三种荧光粉的电致发光特性进行了比较。用白色电致发光器件和彩色滤光片可获得全色薄膜电致发光器件。