卫星用长波HgCdTe探测器的研究

报道了卫星用长波HgCdTe红外探测器的性能。提出用波段探测率D_(Δλ)~*的概念来表征在105K下特定波段10.5～12.5μm工作的探测器性能。D_(Δλ)~*的值在1～3×10~(10)cmHz~(1/2)W~(-1)范围内,可靠性试验结果表明,探测器的失效率小于2.5×10~(-5)。     

C—V法液晶弹性常数的测定

本文描述了近几年发展的电容—电压或电容频率测量技术,即相敏电容桥。该测量系统由计算机控制,测定频率范围为30Hz-10kHz、利用STN—0020/01SBE液晶材料在不同温度条件下测定了弹性常数K_(11)～14.9×10~(-12)N.K_(33)～15.3×10~(-2)。在玻璃板上镀金膜作为液晶分子平行取向排列层兼作为电极。本测试系统的误差和精度分别在电容值的测量误差为±5％,正弦波(30Hz—10KHz)的频率精度±1％、给出弹性常数K_(11)、K_(22)、K_(33)的误差为±5％～±10％。     

用光声谱法研究硅单晶中~(31)P~+离子注入

本文报道用光声谱法在近红外波段研究硅单晶中~(31)P~+离子注入效应,得到了注入剂量为10~(12)cm~(-2)-10~(15)cm~(-2)范围内的光声信号幅值随注入剂量变化的关系.对于先经退火后进行离子注入的样品,其剂量低到 5×10~(11)cm~(-2)的离子注入效应也能被检测到.在1×10~(12)-5 × 10~(13)cm~(-2)低剂量范围内,光声信号明显地随注入剂量而增加.因此,光声谱法是研究离子注入造成的晶格损伤的有效手段,有希望发展成为硅中离子注入剂量的无接触、快速、非破坏性的测量方法.     

S波段介质稳频调制器

本文介绍了一种采用A_7介质谐振器制成的S波段介质稳频调制器的设计和实验结果。采用加载带阻滤波稳频获得了良好的稳频效果。在-40℃～+50℃温度范围内,输出功率为10毫瓦时,频率稳定度为±0.4×10~(-4)～±1.46×10~(-4),输出功率≥40毫瓦时,频率稳定度为±3×10~(-4)。调频范围大于600千赫,电调灵敏度为200千赫/伏,调频非线性<6％;体积仅有(60×60×30)立方毫米,可以同时传送遥控(遥测)和话音。     

2.35μm碲镉汞光伏探测器离子注入工艺研究

利用p型Hg_(1-x)Cd_xTe(或简称MCT)组分x=0.44体晶材料,研究了B~+离子注入平面工艺制备2.35μm截止波长12元双线列光伏探测器。探测器主要性能D_λ~平均达4.4×10~(11)cmHz~(1/2)W,λ_p、λ_c比波段要求平均低约3.2％和5.1％。     

探测2微米红外辐射的碲镉汞光电二极管

最近研制了截止波长2～2.3微米的碲镉汞光电二极管阵列,于193K时探测度已达1.0×10~(12)～4.0×10~(12)厘米·赫~(1/2)/瓦。本文提出了有关这些(Hg,Cd)Te光电二极管阵列的结果。     

美国Barnes公司的热电探测器

该公司生产七种不同材料的单元和多元热电探测器,它们在低频下基本上不存在噪声,最高D~＊达1×10~9厘米赫~(1/2)瓦~(-1),在几百赫频率以下,这一D~＊值和信噪比保持恒定。T-300单元器件这种硫酸三甘肽器件是全密封在金属外壳内,在2～20微米波段内,其镀有增透膜的锗窗在任何3微米内可透射90％的入射辐射。亦可用其他窗材料。标准有效灵敏面为1×1毫米和2×2毫米。最小0.1×0.1毫米,最大5×5毫米,最大长宽比为5。它亦可做成线列、交错线列或面阵。表1是1×1毫米器件规格。     

温度稳定的低噪声前置放大器

叙述了用2P303zh 场效应晶体管的温度稳定低噪声前置放大器电路,介绍了各种类型负反馈电路的温度特性。在-10°～+40℃温度范围内,增益不稳定性为0.04～0.05％/℃,电压从9伏变到15伏时δK/K<2.5×10~(-2)。在1千赫下,源阻抗为5欧姆时,前置放大器噪声电平在4～5×10~(-9)伏赫~(-1/2)。     

溅射的碲镉汞光电二极管

在汞等离子体装置中进行三极溅射制成了红外(Hg,Cd)Te光电二极管探测器。采用共溅射技术,用加偏压的金属(金或铝)辅助靶,形成了p型和n型材料。用此法制得了2～14微米光谱区的高灵敏的异质结和同质结二极管。在10.6微米时,约2×10~(-3)厘米面积的光电二极管工作于77K时,呈现的比探测度D_λ~*(10.6,900赫,1赫)为1.5～4×10~(10)厘米·赫~(1╱2)瓦~(-1),零偏压下的电阻-面积乘积在1.2～3欧·厘米~2,外量子效率为55～60％。在10~5赫频率下测得的噪声电平约10~(-9)伏·赫~(-1╱2)。     

碲镉汞光导探测器与材料性能关系探讨

本文有针对性地考察了碲镉汞3～5μm12元光导探测器平均电阻R与材料电阻率ρ的关系。碲镉汞材料主要用快速淬火固态再结晶法生长,为与其比较,也少量使用了T_e熔剂和布里奇曼法料。退火的晶片厚度约1mm,77K霍尔数据表明,N型材料占被统计数(122片)的88%,材料参数多数为n=8×10~(14)～8×10~(15)cm~(-3)、μ=1×10~3～5×10~4cm~2/     

1～3微米光谱区用(Hg,Cd)Te光电二极管激光接收器

各种组分的(Hg,Cd)Te灵敏高速光电二极管探测器已制成,用于1～3微米的光谱区。这些探测器工作于室温,量子效率为40～70％,比探测度由1.3微米波长的3×10~(11)厘米·赫~(1/2)/瓦到3微米波长的5×10~9厘米·赫~(1/2)/瓦。冷却光电二极管探测器可改进性能。在77°K下2.2微米波长的比探测度测得为2×10~(12)厘米·赫~(1/2)/瓦,接近背景限。对探测器-前置放大器组件进行了响应时间测量,用的是0.9、1.06及1.54微米的脉冲辐射。响应时间约为10毫微秒,似乎与波长无关,但受RC乘积和放大器频带宽的限制。若光电二极管接一频带很宽的放大器,脉冲响应就被RC之积限制到0.5毫微秒,并测得另一时间常数(约为5毫微秒),据说它是由储存的载流子的渡越时间决定的。     

液氦温度下国产铌材超导微波表面电阻

本文介绍在液氦温度下对国产铌材(Nb2-1)超导微波表面电阻的实验研究。测量是在X波段TE_011模式腔上进行的。温度在4.2K时无载品质因数Q_0为4.3×10~6,相应的剩余表面电阻为1.8×10~(-4)Ω。     

无损检测仪器讲座：第一讲 射线检测仪器

一、射线检测原理射线——我们指的是波长比紫外光还短的电磁波,X光及γ光。X光波段的波长范围为10~(-8)～10~(-13)m,γ波段的波长范围为2×10~(-9)～2×10~(-13)m。它们能穿透物体从而获得物体内部的信息。射线穿透物体时,一部分光子或光子能量被物体吸收,产生散射的光子或二次电子,使穿透过去的光子数量及能量发生变化。令入射线的强度为I_0,贯穿后的出射线强度为I,则得 I=I_0e~(μd) (1)式中d为物体的厚度,μ称为材料对射线的吸收系数。如果物体的组织不均匀,或者内部有孔洞或夹杂,则物体各部分的吸收系数并不相同,因此检测到的各     

整流和开关二极管中子辐射效应

本文介绍核电子学线路及核仪器中应用相当广泛的整流和开关二极管在中子辐射后性能的变化,即正向压降和反向电流增加。中子辐射在半导体材料产生缺陷的载流子去除效应及少数载流子寿命的减少是其主要的损伤机理。实验表明,硅整流二极管中子辐射容限在3×10~(12)～4×10~(13)n/cm~2;;硅开关二极管的中子辐射容限在5×10~(15)～3×10~(16)n/cm~2;锗、砷化镓开关二极管的中子辐射容限较硅器件要低。     

"风云二号"卫星用水汽/热红外双波段探测器

报导了我国第一颗静止气象卫星"风云二号"卫星多通道扫描辐射计中使用的水汽/热红外双波段6.3～7.6μm、10.5～12.5μm四元碲镉汞红外探测器性能.探测器工作温度T=100K时,热红外波段探测率D*(10.5～12.5)为3.4×1010cmHz1/2/W,波段响应率R(10.5～12.5)为3.0×104(V/W);水汽波段探测率D*(6.3～7.6)为1.1×1011cmHz1/2/W,波段响应率R(6.3～7.6)为6.1×104(V/W).探测器经过环境应力筛选,密封筛选,电应力筛选,抗太阳辐照试验,电子、质子辐照试验以及高真空、低温工作寿命试验,获得了探测器可靠性寿命数据,器件失效率小于7.5×10-6/h.     

HgSe：Fe的红外光谱和自由载流子散射

测量了掺Fe浓度为1.5×10~(18)～7×10~(19)cm~(-3)的HgSe:Fe样品在中红外波段内的室温透过率和反射率,由此看出Fe浓度大于或小于4×10~(18)cm~(-3)时吸收系数,迁移率和吸收截面的性质明显不同,用Fe的空间有序化模型解释了实验结果。     

国外簡訊

美帝英帝生产的红外探测器及附件美帝spectronlcs公司生产的InSb光二极管红外探测器,最大尺寸为1厘米~2,峰值响应5微米,D_(500)~*为0.6～1×6×10~(10),尺寸范围2×10~(-5)～1厘米~2。这种器件有多元结构和单个结构,装于扁平封装,带金属或玻璃杜瓦并,可有滤光片或转接于机械致冷器的转接器。     

脉冲热透镜光谱分析方法的研究

本文描述了脉冲热透镜光谱测量装置,在435～450nm波段测定了Pr~(3+)离子在高氯酸水溶液/丙酮(1∶1)混合液中的热透镜吸收光谱,并在438nm波长下绘制了乙酰丙酮的定量分析工作曲线,检测限为2.5×10~(-6)M,相当于7.9×10~(-3)的吸收。     

用于平面型Gunn畴雪崩器件的SiO_2低温淀积技术

<正> 制作平面Gunn畴雪崩器件的材料是在掺Cr的高阻GaAs衬底上汽相外延一层n-GaAs,其电子浓度为1×10~(15)～1×10~(18)cm~(-3),厚度为6～15μm,迁移率为4000～7500cm~2/V·s。在这样的材料上生长SiO_2,常压下,当衬底温度大于630℃时,由于As的升华,使GaAs的晶体完整性受到损坏,而在较低温度下(如420～450℃)淀积时,SiO_2常出现破裂或脱落现象。 GaAs的热膨胀系数为5.9×10~(-6)℃~(-1),而SiO_2为0.4×10~(-6)℃~1,相差一个数量级以上;此外,SiO_2的应力,300K时为1～6×10~3N/cm。实验表明,在GaAs上淀积的SiO_2厚度超过5000(?)时便产生破裂。而P_2O_5在GaAs上淀积1500(?),却未观察到裂纹,因为P_2O_5的热     

InGaAsP/InP异质结界面态的变频C-V研究

本文利用自建的变频C-V测试系统测量分析了InGaAsP/InP异质结的界面态,结出其界面态密度和时间常数.实验结果表明,在界面同时存在快、慢界面态,其参数分别为快界面态:N_(s1)=7.3×10~(11)eV~(-1)·cm~(-2),τ_1=2.2×10~(-5)s慢界面态:N_(s2)=2.5×10~12eV~(-1)·cm~(-2),τ_Q=1.5×10~(-2)s