单阳极丝位置灵敏探测器

本文报道单阳极丝位置灵敏探测器(SWPC)的制作和性能研究。探测器的灵敏面积为250×70mm~2,两阴极间距离为10mm。在垂直入射的条件下,用5.9keVX射线~(55)Fe源测得的位置分辨为0.7mm(FWHM),最大积分非线性≤0.77%;用~(241)Amα源(约5MeV)测得的位置分辨为0.6mm(FWHM),最大积分非线性≤0.58％。     

厚耗尽层面垒探测器及其应用

描述了厚度为1.6mm灵敏面积为Φ10mm的全耗尽型面垒探测器的研制及性能,同时给出了这种探测器用于硬X射线（2keV相似文献   

用于高分辨率Si-PIN探测器的低噪声电荷灵敏前置放大器的设计

介绍了一种用于高分辨率Si-PIN探测器的低噪声晶体管反馈电荷灵敏前置放大器的设计。在场效应管制冷到-20℃,成形时间为6μs条件下,前放的零电容电子学噪声(对Si探测器)为150 eV。与平面工艺技术制备的厚度500μm,灵敏面积5 mm2的Si-PIN探测器配用,采用小型温差电制器制冷至-20℃,对5.9 keV X射线的能量分辨率(FWHM)最好可以达到195 eV。     

GM1101型高分辨率金硅面垒探测器

文中介绍了用新工艺制成的新结构金硅面垒型探测器的主要性能。灵敏面积为300mm~2的这种探测器,在室温下,当偏置电压为300V时,反向电流最好为0.09μA;能量分辨率可达16.8keV(FWHM,~(241)Am源)。本文对新工艺的特点、测试仪器及原材料质量等主要问题作了讨论。     

一种多极平行板雪崩探测器

描述了一种为RIBLL研制的在线束流监测用双维位置灵敏多极平行板雪崩探测器(Multi-platePPAC)。它主要由中心阳极、两个位置灵敏栅极和两个阴极平面组成。灵敏面积为100mm×100mm。使用异丁烷工作气体,气压稳定在650Pa,阳极在+400V,阴极在-350V时,对三组分α源测得探测器的位置分辨约0.58mm(FWHM),位置非线性±50μm,探测效率好于99.2%。由于该探测器明显的高增益,它适合探测较高能量的较轻粒子。     

一个二维位置灵敏X射线探测器的研制

本文报道-个二维位置灵敏X射线探测器的研制.探测器采用多丝正比室(MWPC)结构,有效面积200×200mm2,采用阴极感应读出,由电荷重心法确定入射X射线位置.经测试,探测器的位置分辨(fwhm)好于0.4mm.     

大张角的Bragg探测器

本文介绍的大张角Bragg探测器的张角为±8°的锥形腔体。在整个探测器的灵敏区内,电场是均匀场。用ThC-ThC′源的α粒子(8.785MeV)测试,其能量分辨率为0.8％,电荷数分辨率为1.8％。     

指数法拟合CZT探测器时间响应曲线

为探讨CZT探测器时间响应特性规律,采用指数拟合法分析CZT探测器对快脉冲X射线响应曲线下降沿衰减规律,并分析该衰减常数与电压、灵敏面积之间的关系。结果表明:10 mm×10 mm×2 mm与5 mm×5 mm×2 mm单晶CZT探测器对纳秒级脉冲X射线时间响应曲线下降沿均遵循单指数衰减规律,衰减常数为10~(-8)s数量级。随着电压升高,不同灵敏面积CZT探测器响应曲线衰减常数的差值降低。该结论可为揭示贯穿辐射条件下CZT晶体内部载流子输运规律提供依据。     

IMP质子治癌3D剂量探测系统

文章描述了中国科学院近代物理研究所(IMP)正在研制的IMP质子治癌装置3D剂量测量系统.该系统主要由2D剖面探测器、辐照深度和剂量探测器、射程调整器等组成.其中,多级双维位置灵敏平行板雪崩探测器(MPPAC)使用C3F8作为工作气体,工作气压为700 Pa,阳极电压为+700 V.对3组分α粒子测得位置分辨为0.54 mm(FWHM).     

硅(锂)X射线探测器

本文扼要地叙述了近年来硅(锂)X射线荧光谱仪的进展,X射线荧光谱仪对半导体探测器的要求,和对探测器几何形状的选择。文章详细地介绍了硅(锂)X射线探测器的制备工艺,及用该工艺流程制备的灵敏面积为12毫米~2、厚度3.5毫米的探测器,在温度～77°k时给出电容<1微微法,而反向电流,一直到1000伏的反向偏压下仍～10~(-13)安。配上脉冲光反馈前置放大器后,电子学系统的噪声FWHM(简称半宽度)为249电子伏的情况下,对~(55)Fe的5.9千电子伏的谱线得到半宽度为291电子伏。最后对上述结果简单地给予讨论。