玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗的长度效应

通过测量长度不同的玻璃包覆钴基非晶丝在频率为100kHz时的GMI值,近似计算出玻璃包覆钴基非晶丝的圆周磁导率.玻璃包覆钴基非晶丝圆周磁导率下降随着长度增加而变得剧烈,导致GMI变化更剧烈.利用玻璃包覆钴基非晶丝的磁畴模型,分析不同长度时玻璃包覆钴基非晶丝的磁化过程,合理解释了GMI效应随玻璃包覆钴基非晶丝长度增加而明显的现象.     

熔体抽拉非晶微丝长度对巨磁阻抗的影响

研究了不同频率下非晶丝长度对巨磁阻抗(GMI)的影响规律和机制。低频下(<1MHz),由于边界效应对有效磁场的影响使得GMI效应随非晶丝长度减小而逐渐减小,1MHz时,随样品长度由20mm减小到4mm,其最大阻抗变化率ΔZ/Z由8.07%减小到1.03%;频率升高,由于趋肤效应和磁化机制的改变,而电阻随长度减小而减小利于获得大的环向磁导率,边界效应和电阻降低的共同影响下,存在一个最佳长度时,环向磁导率变化剧烈,GMI效应最强,结果表明直径34μm的熔体抽拉Co基非晶丝长度为7mm左右时,GMI效应最敏感,8MHz时最大ΔZ/Z达到86.1%。这一结果将为不同频率下MI传感器制备时样品长度选择提供参考。     

电流退火NiFeCoP/BeCu复合结构丝的巨磁阻抗效应和磁化特性

用化学镀的方法制备了镀NiFeCoP膜的复合结构丝,这种复合结构丝在较低频率下就有较好的磁阻抗效应.对样品进行电流退火处理,不同电流密度退火对复合结构丝磁阻抗效应特性的影响不同.利用复数磁导率探讨了该复合丝在不同电流密度退火后的磁化过程和磁化频率特性,较大电流密度退火后复合结构丝的畴壁运动被抑制,减弱了动态磁化过程,降低了相应的磁阻抗效应.     

淬态非晶FeSiB薄带的各向异性及其巨磁阻抗效应

采用单辊快淬法制备了Fe_(75)Si_9B_(13)非晶薄带。磁阻抗测试显示,淬态非晶FeSiB合金薄带具有显著的巨磁阻抗效应(GMI),在7 MHz频率下,纵横向最大阻抗比分别达到30%和29%。磁畴结构观察表明,薄带样品磁畴结构为具有一定的横向取向的180°条形畴,易轴与样品横向夹角约为75°。磁电阻变化与样品各向异性变化没有直接关系,相比磁阻抗,磁感抗更确切地反映了磁矩转动磁化行为和样品各向异性场的大小,易轴具有一定的横向取向以及薄带各向异性在厚度方向的空间分布是影响其GMI变化特性的原因。分析了磁电阻、磁感抗对样品巨磁阻抗效应的影响,发现,低频下,磁电阻对磁阻抗变化起主要作用,随着趋肤效应增强,样品磁感抗逐渐成为影响磁阻抗变化行为的主要方面。     

横向巨磁阻抗效应中磁导率张量的理论研究

建立了比较完善的二维铁磁体在横向巨磁阻抗 (GMI)效应中的磁化模型 ,采用将静态磁化过程和动态磁化过程分开计算的方法 ,同时考虑畴壁移动和磁畴转动两种磁化机制的影响 ,推导出比较完善的用于二维铁磁体横向巨磁阻抗效应理论研究的磁导率张量的表达式。     

非晶丝微磁化线圈磁电阻抗效应研究

本文研究了铁基及钴基非晶态合金丝在由微磁经线圈所产生的轴向交变磁场的作用下所呈现的磁电阻抗效应，经出了一些测试结果，结果表明，微磁化线圈两端的电压信号峰－峰值随轴向外磁场Ｈｅ的增加而单调减少，钴基非晶丝可呈现巨磁电阻抗效应，利用该效应可制成新型磁敏元件及器件。     

横向巨磁阻抗效应中磁导率张量的理论研究

建立了比较完善的二维铁磁体在横向巨磁阻抗（GMI）效应中的磁化模型，采用将静态磁化过程和动态磁化过程分开计算的方法，同时考虑畴壁移动和磁畴转动两种磁化机制的影响，推导出比较完善的用于二维铁磁体横向巨磁阻抗效应理论研究的磁导率张量的表达式。     

钴基软磁非晶合金的巨磁阻抗效应研究进展

介绍了钴基软磁非晶合金丝与薄带的制备方法,重点讨论了频率、磁各向异性等因素对巨磁阻抗效应的影响.对非晶合金的巨磁阻抗效应传感器的应用进行了展望.     

不同直径玻璃包覆非晶微丝的制备及其磁性能

采用熔融拉丝法制备了直径范围分别在6.1～28.0μm和14.0～35.2μm之间的玻璃包覆非晶Fe基和Co基合金微丝, 测试了不同合金直径和不同玻璃包覆层厚度的玻璃包覆合金微丝样品的静磁性能. 结果表明: 轴向矫顽力和轴向剩磁比随着微丝直径的增大而降低, 随着玻璃包覆层的增大而升高; 径向剩磁比的变化趋势则相反. 微丝合金直径和玻璃包覆层厚度改变, 静磁性能变化的主要原因是作用在合金芯上的内应力的变化, 导致了具有不同磁畴结构的合金内芯区和合金外壳区体积比的改变.     

软磁薄带巨磁阻抗效应的数值分析

利用磁畴壁移动模型以纳米晶软磁合金Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９为例对软磁薄带中的巨磁阻抗效应进行了数值分析，结果发现不同的磁导率机制并不能显著发迹巨巨磁阻抗效的大小仅由磁导率对外加磁场的敏感性决定，从趋肤深度的角度讨论了巨磁阻抗效应的频率特性。     

纳米晶FeCuNbSiB多层膜的巨磁阻抗效应研究

研究了纳米晶态下Fe73.5Cu1Nb3Si13.5 B9多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应。研究结果表明纵向巨磁阻抗(LMI)效应在3MHz时取得最大值为44％,横向巨磁阻抗(TMI)效应在6MHz时取得最大值为46％。LMI与TMI随外磁场有不同的变化行为,TMI曲线具有阁值行为,超过阈值磁场后出现明显的磁阻抗效应。晶化后出现最大值阻抗效应所对应的频率下降,由非晶态下的13MHz下降为晶化后的3MHz。薄膜样品的磁阻抗效应与样品中磁矩的空间分布密切相关．磁矩垂直面向分布时。磁阻抗效应下降为5％     

巨磁阻抗传感器敏感材料的选择

利用巨磁阻抗(GMI)效应来研制传感器,敏感材料的选择非常关键,其GMI性能的好坏直接决定了GMI磁传感器的灵敏度水平.讨论了GMI材料的选择标准,列出了能够产生GMI效应的各种材料,并分析和评述了这些GMI材料的软磁特性、GMI效应及其在传感器上的可能应用,提供了设计高性能GMI传感器的候选材料,这些材料以及新型材料的开发为GMl传感器的研制创造了有利的条件,将会促进GMI传感器的发展与应用.     

A high-sensitivity scanning magnetometer based on the giant magneto-impedance effect for measuring local magnetic fields of corrosion currents

Technical Physics Letters - The design, main characteristics, and specific features of a new high-sensitivity magnetometer based on the giant magneto-impedance (GMI) effect in amorphous...     

巨磁阻抗效应研究的最近进展

本文简要介绍最近几年来有关巨磁阻抗效应理论的研究概况,并综述巨磁阻抗材料的研究进展,指出为了更好地理解巨磁阻抗效应对其微观机理的研究是必要的。     

三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究

采用MEMS技术在玻璃基片上制备了三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,在1～40 MHz范围内研究了FeNi/Cu/FeNi多层膜中的巨磁阻抗效应特性.当磁场Ha施加在薄膜的长方向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应.在频率为5MHz时,巨磁阻抗效应在磁场Ha=800 A/m时达到最大值26.6%.巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关.另外,当磁场施加在薄膜的短方向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应,在频率5 MHz、磁场Ha=9600 A/m时,巨磁阻抗效应可达-15.6%.     

Study of Giant Magneto-Impedance Behavior in Co-Fe Based Amorphous/Nanocrystalline Materials

Giant magneto-impedance (GMI) behavior have been studied in melt spun Co_71-XFe_XCr₇Si₈B₁₄ (X = 0, 2, 3.2, 4, 6, 8, and 12 at%) alloys. The addition of Fe in the system changed the saturation magnetostriction constant from negative to positive values. The GMI property was measured with a driving current of 5 mA and 4 MHz frequency using a spectrum analyzer. The GMI ratio increased with the increase of the applied dc field and became maximum at a field H_k known as the anisotropy field of the materials. The maximum of GMI ratio (GMI_max) depended on the Fe content and was maximum (12%) for Fe = 4 at% for the alloys in the as-melt spun state. Substantial increase of GMI_max to 66% for Fe = 4 at% was observed after annealing the sample at 673 K.     

Simulation of Giant Magnetic Impedance (GMI) Effect in Co-based Amorphous Ribbons with Demagnetizing Field

Considering the role of demagnetizing field, based on linear Maxwell’s equations and the Landau-Lifshitz equation, the expressions of permeability and impedance were obtained using the improved theoretical model in this article. A numerical simulation was conducted using Matlab, and the results of calculations were well matched with the experimental results, indicating the importance of the demagnetizing field and that it should not be ignored. Utilizing the equivalence relation between the shape of the samples and the demagnetization factor which determined the value of the demagnetizing field, the influence of the aspect ratio of the samples on giant magnetic impedance (GMI) effect was researched. The calculations showed that the most significant GMI effect was obtained when the aspect ratio of samples was about 44. In addition, the optimal frequency to obtain the most significant GMI effect of the given sample was calculated. These researches may provide theoretical guidance for the development and use of a GMI sensor.