一种基于准浮栅技术的超低压折叠运算放大器设计

介绍了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。提出了一种基于准浮栅技术的折叠差分结构,基于此结构设计,实现了超低压运算放大器。采用TSMC0.25μmCMOS工艺的BSIM3V3模型,对所设计运放的低压特性进行仿真,结果表明,在0.8V电源电压下,运算放大器的直流开环增益为106dB,相位裕度为62°,单位增益带宽为260kHz,功耗仅为3.9μW。     

一种基于准浮栅技术的12位D/A转换器

提出了基于准浮栅技术的1.2V全差分运算放大器.由该准浮栅全差分运算放大器实现了一个12位并行结构的电容定标数模转换器(DAC).所设计的DAC通过按比例缩放方法由两个6位并行DAC组合构成,在提高其分辨率的同时减少了DAC所需的芯片面积,解决了匹配精度随分辨率的增加而下降的问题.最后给出了该DAC的模拟仿真结果.     

全差分增益提高运算放大器的分析与设计

通过增益提高技术,一个全差分增益提高套筒式共源共栅运算放大器被提出和设计。该运算放大器得主运算放大器是由全差分套筒式共源共栅放大器构成,并带有一个开关电容共模反馈电路。而增益提高放大器是由全差分析叠式共源共栅放大器构成,它的共模反馈电路是连续时间反馈电路。该运算放大器采用中芯国际0．35μmixed-signal CMOS工艺设计,运算放大器的直流增益可达到129dB,而单位增益频率为161MHz。     

适用于高阶∑△调制器的全差分运算放大器的设计

比较了增益自举式共源共栅、折叠式共源共栅和套筒式A／A类三种常用的运算放大器结构．提出了一种可用于各种高阶∑△调制器的全差分运算放大器。采用SIMC0．35μm标准CMOS工艺．完成了含共模反馈电路的全差分套筒式运算跨导放大器的设计。仿真结果表明放大器的直流增益为84．5dB,单位增益带宽为199MHz,相位裕度为51°,电路工作可靠,性能优良。     

一种采用增益增强方法的CMOS全差分运算放大器

设计了一种全差分、增益增强CMOS运算放大器。该放大器由三个折叠式共源共栅运算放大器组成，可用于12位40MHz采样频率的流水线A／D转换器。详细分析了折叠式共源共栅运算放大器中由增加增益增强电路产生的零极点对。该放大器在0.35μm CMOS工艺中开环增益为112dB，单位增益带宽为494MHz。     

一种全差分增益自举运算放大器的设计

设计实现了一种具有高增益大带宽的全差分增益自举运算放大器,适用于高速高精度流水线模数转换器采保电路的应用.增益自举放大器的主放大器和子放大器均采用折叠共源共栅式全差分结构,并且主放大器采用开关电容共模反馈来稳定输出电压.该放大器工作在3.0 V电源电压下,单端负载为2pF,采用0.18Wn CMOS工艺库对电路进行仿真,结果显示该放大器的直流增益可达到112dB,单位增益带宽为1.17GHz.     

基于准浮栅技术的超低压运放及滤波器设计

准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路的系统采用TSMC0.25μm2P5MCMOS工艺的CMOS准浮栅技术,提出了0.8V运算放大器,最大直流开环增益可以达到76.3dB,相位裕度为75°,单位增益频率为1.05MHz。设计了0.8V一阶CMOS开关电容高通滤波器,滤波器输入输出电压范围为0~0.8V,截止频率为100KHz。     

一种高性能运算放大器的设计

应用0.35μm工艺,在10mw功耗下设计了一个放大倍数为124db、单位增益带宽为233MHz(负载为2pF)的全差分运算放大器,可以同时满足一定的高速、高精度指标.其中,高的直流电压增益通过两级的cascode结构提高运放的输出电阻得到,同时,采用两个全差分运算放大器替代传统的四个单端运算放大器作为增益自举结构,而增益自举运放的共模反馈利用单MOS管来实现.仿真表明,这种新型结构的全差分运算放大器在面积、功耗以及建立时间上都优于传统的运算放大器.     

一种高增益带宽CMOS全差分运算放大器的设计

介绍了一种采用折叠式共源共栅结构的高增益带宽全差分运算放大器的设计和实现,详细讨论了折叠式共源共栅放大器的电路结构、共源共栅偏置电路,以及开关电容共模反馈电路(SCCMFB).电路的设计基于CSMC 0.5μm DPTM 5V混合信号工艺.仿真结果表明,该电路在5V电源电压下具有64 dB直流开环增益、155 MHz单位增益带宽.通过在一款ADC电路中流片验证,该放大器达到设计指标要求.     

一种基于负电阻增益增强型的全差分运算放大器

设计了一种新颖的全差分的CMOS运算放大器.在全部晶体管都取最小沟道长度的情况下,层叠的负电阻晶体管结构来提高增益.在电源电压为2.5V, 0.25 μm CMOS工艺条件下进行电路模拟.模拟结果表明, 开环直流增益为86 dB,单位增益带宽为200 MHz,相位裕度为80°.     

Novel matched amplifiers with low noise positive feedback. Part II: Resistive–capacitive feedback

The avalanche modo characteristics of bipolar transistors are considered. A theoretical analysis based on an extension to the Ebers-Moll transistor model is shown to provide satisfactory agreement with various experimental results in the avalanche mode.     

Novel matched amplifiees with low noise positive feedback. Part 1: General features and resistive feedback

The prominent inventions of D.E. Norton as well as other similar schematics are widely used in different circuits of amplifiers and mixers. However, the use of these circuits in high-frequency integrated circuits (IC) is still hindered by the presence of the broadband feedback transformer. We propose new configuration schematics of transformer-less amplifiers with similar properties. Now we understand implicitly that this opportunity was already contained in our previous patents and papers. Here, the generalised circuit of an amplifier with a complex positive current feedback and with a common base (CB) transistor configuration is considered. Besides, the circuit of low noise amplifier (LNA) with a resistive positive feedback (RPF) is investigated in detail. RPF and CB amplifiers are compared. It is demonstrated that LNA RPF provides gain stability vs scattering of parameters, a good level of the input and output matching, a wider frequency band and the noise temperature more than twice as low as that in CB and, despite a positive feedback, it provides a high stability gain.     

A wideband integrated circuit amplifier for fixed-gain application

Circuits which achieve precise gains without the use of negative feedback are of interest because of their simplicity and potential for achieving large bandwidths. A circuit architecture based upon precision current mirrors for producing fixed gains without the use of feedback has been reported in the literature and implemented on a BiCMOS process [1]. This paper provides further analysis of this approach and applies it to a new bipolar amplifier, intended for such applications as real-time active filter synthesis.     

光纤放大器的研究动态

介绍了国内外光放大器的最新研究动态,主要包括掺铒光纤放大器、掺铥光纤放大器、光纤喇曼放大器及半导体光放大器,并指出相关放大器的发展趋势,最后对光纤放大器的特性进行了比较分析.     

一种ASK接收器中的中频对数放大器IC设计

一种适用于ASK接收器中的双极型对数中频放大器,具有接收信号强度指示的功能(RSSI)。这种放大器实现了对数响应的分段近似,同时作为信号解调的一部分。本文介绍了RSSI特殊的具体电路及其结构。该放大器包含五级放大,每一个放大级都由一个限幅放大器和跨导单元组成。此放大器在±1dB的线性度下实现了90dB的动态范围。     

D类数字功率放大器电路失真分析及其负反馈方案讨论

本文采用Bennett方法^[1]对D类数字功率放大电路进行失真分析,在此基础上讨论了用负反馈设计来降低失真的可行性方案。以一个10－W放大器为实例,分析仿真结果表明：THD为0．03－0．6％,能量转换效率达89％。     

宽带、超宽带光纤放大器研究进展

目前,实现宽带、超宽带光纤放大器的技术主要有四种:宽带掺铒光纤放大(EDFA)技术、宽带拉曼放大技术、宽带混合放大技术和光纤参量放大技术.综述了宽带和超宽带光纤放大器的研究现状,并分别分析了其特点及发展趋势.     

2～18GHz超宽带射频放大器

采用分布电路原理、ＣＡＤ技术和微带电路技术，制作出多倍频程超宽带放大器。其主要技术参数为，ｆ＝２～１８ＧＨｚ，Ｇ＿ｐ≥３０ｄＢ，△Ｇ＿ｐ≤±３ｄＢ，Ｆ＿ｎ≤７ｄＢｍ，Ｐ＿（－１）≥＋１０ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．５：１。     

一种S波段平衡式限幅低噪声放大器的设计

介绍了一种小型化平衡式限幅低噪声放大器。该放大器采用Lange桥平衡结构,在实现低噪声的同时,保证了小电压驻波比;在3.0～3.5GHz频带内,噪声系数小于1.3dB,输入输出驻波系数小于1.3,增益大于27dB,平坦度±0.6dB以内,输出1dB压缩点大于12dBm。该放大器能够承受最大5W的连续波功率输入,且大功率输入时的驻波系数小于1.3。     

有线电视双向放大器的设计

针对有线电视网双向改造的需要，设计了一种电路简洁、性能优良、成本低廉的双向放大器。详细介绍了电路的工作原理、元件选择、指标测试、使用维护等。