高压隔离光电耦合器的研制

介绍了一种采用有机硅凝胶(双组分)内部灌封、4 DIP陶瓷管座封装制成的高压隔离光电耦合器,隔离电压可达10 kV.叙述了该器件的工作原理、工作特性、设计思想及制作过程,并进行了理论分析和大量的实验.实验结果表明该器件结构简单、性能稳定、可靠性高.     

高压隔离高线性度光电耦合器

研制了一种高压隔离高线性度光电耦合器.采用混合集成技术,在6DIP陶瓷管座内成功制作出了高压隔离线性光电耦合器.叙述了该器件的工作原理、工作特性及设计考虑,并在在此基础上进行了实验,实验结果表明此器件具有结构简单、精度高、线性度好的优点.     

22kV高压隔离光电耦合器的研制

针对高压隔离光电耦合器的隔离电压提高到22kV后信号传输特性恶化的问题,提出了在光源和探测器间引入导光管结构的方法,利用导光管的聚光特性弥补间距增大导致的探测器对光源发散角的降低,使探测器接收到足够的光功率,以保证器件的信号传输特性满足要求。对探测器接收光功率占光源光功率的比例进行了对比计算,结果表明,使用导光管的22kV高压隔离光电耦合器可获得与10kV产品相当的信号传输特性,通过样品的制作与测试验证了该计算结果,表明上述方法可行。     

高压隔离高容驱动光电耦合器的研制

介绍了采用有机硅凝胶(双组分)灌封技术,在陶瓷管座内制作而成的一种新型光电耦合器.其隔离电压可达10 kV以上,驱动负载电容可达3 000 pF以上.叙述了该器件的工作原理、工作特性、设计思想及制作过程,理论分析和大量的实验表明,该器件具有响应速度快、结构简单、性能稳定、可靠性高等优点.     

高速高压光电耦合器

文章叙述了高速高压光电耦合器的工作原理、制作工艺、器件特性以及设计考虑。     

光电耦合器的封装及其发展

本文就国内外光电耦合器的封装结构及其关键技术展开评述,介绍这类器件的性能。特点、封装结构类型、关键技术、发展趋势,从实际应用出发,注重器件本身的物理结构和生产制造技术。     

基于光电耦合器的线性隔离方法及电路

利用普通光电耦合器和常用运算放大器设计一种低成本、高线性度的模拟信号隔离电路.提出了利用负反馈改善输出信号线性的新思路.该电路抛弃了传统的在输入端使用隔离电源和运算放大器跟踪补偿的方法,而是使用输出信号对输入电流进行反馈补偿.尤其适合高压模拟信号输入的场合.该电路线性范围宽,可以根据不同的使用条件调节线性范围,线性度可...     

八路高速光电耦合器的研制

研制了一种独特的八路高速光电耦合器.器件采用混合集成电路方式,将24个芯片运用二次集成技术封装在20引线双列直插陶瓷管座中.设计中采用独立腔体分隔技术,将8个光路完全从物理上分离,彻底杜绝多路光信号间的相互干扰.文章重点描述了器件的结构特性、工作原理、参数设计以及特性曲线分析,并简要概括了在研制过程中采用的一些技术方法和制作工艺.     

光电耦合器在高压配电盘上的应用

某公司在前两年新建了一个配电站,建好启用前对该电站进行了全面调试,结果发现配电盘上配套的闪光继电器无论在什么情况下都不能工作。经检查,闪光继电器DX-3型性能良好,该系统的控制电路工作正常无故障,而所有高压配电盘上安装使用的信号指示灯均是XDJ1     

模拟信号线性光电隔离组件

采用电压频率变换和频率电压变换技术处理模拟信号，有效的克服了光电耦合器的非线性，实现了模拟信号的线性光电隔离。该组件用混合集成工艺制作，将四路模拟信号的光电隔离集成在一块芯片上。‘     

高压下陶瓷空封光电耦合器内部气体放电电流特性研究

陶瓷空封光电耦合器存在高压下的内部气体放电,分析其放电电流特性有助于器件可靠性研究。提出了基于体电流和气体放电电流的陶瓷空封光电耦合器漏电流模型,并针对高压下漏电流测试能力不足的现状,设计了基于悬浮供电的漏电流检测系统,通过对高压下器件漏电流的测试及对比分析,实现了对内部气体放电电流特性的定量评估。     

多路高速光电耦合器

研制了一种多路高速光电耦合器。采用混合集成技术,在16 DIP陶瓷管座内成功制作出四路高速光电耦合器。叙述了该器件的工作原理、制作工艺、器件特性以及设计考虑。     

一种新型高压输入开关电源的设计

大规模集成电路的出现,促进了电子设备的高功率密度化。这要求为之供电的直直变换器也随之高功率密度化。高频、高效开关变换是直直变换器实现高功率密度的基础。文章阐述了一种采用UC3844集成芯片实现的新型高压输入DC/DC反激开关电源,并给出了详细的电路参数及高频变压器的设计方法,该开关稳压电源采用双闭环电流控制模式,其输入、输出电路采用光耦隔离。     

击穿18V的高压LDD PMOS器件的研制

从Synopsys TCAD的软件模拟出发，基于0．8μm标准CMOS工艺，通过重新设计高压N阱，以及优化器件LDD区域注入剂量，成功研制了栅长0．8μm击穿电压达到18V的LDD结构的高压PMOS器件，并实现了低高压工艺的兼容。研制的宽长比为18／0．8的PMOS器件截止电流在500pA以下，阚值电压为-1．5V，-10V栅压下饱和电流为-5．6mA，击穿电压为-19V。器件主要优点是关态漏电小，且器件尺寸不增加，不影响集成度，满足微显示像素驱动电路对高压器件的尺寸要求，另外与其他高压器件相比更容易实现，节约了成本。     

一种高压运算放大器的设计

基于混合集成电路工艺,采用氧化铍衬底厚膜电路、陶瓷电容和半导体芯片,设计了一种高压运算放大器。采用ORCAD进行仿真,结果表明,该运放的供电电压为±15~±150 V,输出电流为75 mA,直流电压增益为95 dB,转换速率为57 V/μs,静态电流6 mA,单位增益带宽3 MHz。该运放可被广泛用于马达控制系统、压电传感器以及打印机驱动等领域,实现了高压运算放大器的国产化。     

高频高压电源中倍压器的设计

倍压器作为高压电源的重要组成部分对于提高电源的性能具有特殊作用。分析了倍压器相关参数对电源性能的影响规律,用理论分析的方法设计了一种半臂式倍压器,并对其进行了实际测试。仿真与测试结果表明,倍压器参数优化对于电源性能具有显著影响,且实现了倍压器设计的优化。     

高性能SrTiO_3基高压瓷介电容器材料

研究了在SrTiO3-PbTiO3- Bi2O3·3TiO2系中分别添加CaTiO3和MgTiO3对材料介电性能的影响,利用复合添加MgTiO3、CaTiO3、MnO2、Nb2O5、SiO2对SrTiO3-PbTiO3- Bi2O3·3TiO2系介质材料进行改性,制得εr=1500～2000耐压Eb≥12 MV/m、损耗tgδ≤6×104的高压瓷介电容器材料。     

全密封全绝缘高压开关柜在户外配电网中的应用

全密封全绝缘高压开关柜是户外配电网中的重要成套设备,且这种开关柜的质量将直接关系到整个户外配电网运行的安全性和供电的可靠性。在研究的过程中通过具体论述全密封全绝缘高压开关柜的重要组成部分,并根据实际情况提出全密封全绝缘高压开关柜在户外配电网中的应用途径,最后,阐述了防止全密封全绝缘高压开关柜发生绝缘事故的策略,以便为保证户外配电网的正常运行提供可参考的资料。     

一种先进高压纳秒脉冲功率合成器设计

提出了一种基于先进高压纳秒脉冲线路功率合成器设计全固态高重频高压纳秒脉冲源新方法,并用实验证实了该方法的有效性和可行性,实现了全固态、高重频、高压、纳秒脉冲源的高功率输出,满足了实际应用需求。解决了全固态高重频纳秒脉冲线路功率合成、多个高压纳秒脉冲源的高精度同步(小于50ps)、高稳定全固态高压纳秒脉冲源单源模块设计、系统设计的电磁兼容等关键技术问题。该高压纳秒脉冲线路功率合成器新方法将为高功率先进高性能小型全固态高重频高压纳秒脉冲源设计提供技术参考。