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注入锁频是磁控管相干功率合成的基础,本文开展了15 kW磁控管的注入锁频实验,研究了注入微波功率与可牵引带宽之间的关系。实现了15 kW磁控管注入锁频,分析了不同注入功率下磁控管可牵引带宽。实验结果表明,磁控管注入锁频牵引带宽随注入功率增大而增加,在165 W注入功率下牵引带宽达到5 MHz。该15 kW磁控管可用于大功率微波相干功率合成,为多支大功率磁控管进行功率合成研究奠定了基础。 相似文献
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本文对2 kW连续波磁控管钍钨阴极出现的失效现象进行分析,归纳问题,制定改进措施,分析阴极工作过程,得到了长寿命高可靠的阴极,具有良好的发展前景。 相似文献
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注入锁频技术是实现多只磁控管相干功率合成的关键技术。对S波段1 k W连续波磁控管输出信号频谱的改善进行研究,分析了灯丝电流对磁控管输出特性的影响,通过降低灯丝电流使磁控管自由振荡下的输出微波频带宽度由10 MHz降低至300 k Hz。通过提高参考信号的注入功率,有效地拓展了连续波磁控管的注入锁频带宽,最终获得了高达14 MHz的注入锁频带宽。在不同注入功率比的情况下,该连续波磁控管的外观品质因数QE为52~72。 相似文献
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用控制磁场的方法稳定磁控管微波功率源的输出功率 总被引:6,自引:0,他引:6
根据磁控管的工作特性,分析了影响磁控管微波功率源输出功率的因素,提出了控制工作磁场稳定微波输出功率的措施,并给出了相应的实施方案,实验结果表明该方案是可行的。 相似文献
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对磁控管中由于外加磁场存在而导致的空间电荷效应进行了研究.通过求解正交场中的粒子运动方程,给出了阴极表面电位分布与外加磁场和阴极发射电流的关系,并指出磁控管中合适的发射电流是其最佳工作的前提.通过全电磁粒子仿真和实验测试证实了该效应对磁控管工作性能的影响,为高效率低噪声磁控管的研究提供了新思路. 相似文献
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简要地评述了硅微波功率DMOSFET (LDMOS, VDMOS) 的发展概况, 叙述了硅微波功率DMOS的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率DMOS的性能、特点与BJT进行了比较, 并对其应用、发展方向及前景进行了探讨。 相似文献