有机发光二极管矩阵显示技术的研究

在得到稳定的绿色有机薄膜电致发光器件的基础上 ,对矩阵显示屏及动态显示技术进行了研究。得到了面积为 4 8mm× 30mm、分辨率为 2线 /mm的 96× 60像元矩阵显示器 ,其中单位像元的有效发光面积为 0 .4mm× 0 .4mm ,单元间隙为 0 .1mm。设计了有效的驱动和控制电路 ,实现了无“交叉效应”、高清晰度的动态图形显示。显示器在 1/ 64的驱动占空比下的显示亮度大于 10 0cd/m2 ,屏的功耗为 0 .6W。     

有机电致发光器件的驱动技术

只有结合良好的驱动技术才能将OLED的特点表现出来。OLED的驱动方式可分为有源驱动和无源驱动,分别对这两种驱动技术作一评述。OLED需结合TFT有源驱动技术才有可能进一步发展,而LTPS TFT技术几乎是惟一的选择。使用数字驱动电路是目前的发展趋势。     

有源矩阵小分子型OLED微显示器件

便携性、高亮度、低功耗、高清晰度、无线连接是对电子技术提出的新挑战。为此，世界各大公司正对微显示器件不断增加研发和生产的力度。本文介绍了OLEO技术在微显示中的应用及SXGA级分辨率OLED微显示的设计和结构，并对有源短阵OLED微显示器的性能进行了讨论。     

有机电致发光显示器件基本原理与进展

对有机电致发光显示器件的发展历史，器件结构、工作特征、获得彩色显示的方法以及优缺点、发展现状和趋势等作了简要介绍。对小分子OLED与聚合物PLED、OLED与LCD的性质进行了比较，对OLED显示的发光机理进行了详细的综述。此外，对获得彩色显示的无源驱动电路和有源驱动电路的结构进行了总结，认为有源驱动将是最终发展结果。最后介绍了国内外OLED技术的发展状况。     

有源矩阵有机电致发光显示器件的未来

在信息显示的历史上，有源矩阵驱动有机发光薄膜技术将一辟一个新纪元。人类已进入二十一世纪，信息技术飞速发展。随着信息产品和通信产品的飞速发展，对显示器件显示性能的要求日益提高。这些要求包括：     

PM-OLED驱动中的分场显示问题研究

提出了一种比率电流＋分场的概念，结合电流比率加分场的方法，设计了一种电流移位（复用）的驱动方法。这种电流比率＋电流移位的方法比现有的脉宽调制（PWM）法结构简单、时序简化，电路集成。既保留PM－OLED低成本的优点又达到较高的灰度级显示，避免使用大的电流驱动。用较少的分级电流（4个成比例电流）实现较高的灰度级（16级），实现了数字化显示，电流信号还可以避免串扰的影响。     

有机发光二极管矩阵显示屏的驱动电路的研究

本文分析了有机发光二极管的结构和驱动和特性,对现行ＬＥＤ驱动电路阳以改进,提高了电路驱动电压,成功地获得了对ＯＬＥＤ（４０＊７）的驱动。     

有机电致发光显示及其发展

本文介绍有机电致发光的发展历史、器件结构、发光材料以及发光机理，并阐述其目前的主要应用和未来的走向。     

有机发光器件的研制与应用@OLED显示技术之二@

介绍了ＯＬＥＤ显示器件的结构原理与发光显示特点及三种不同的工艺模式,并阐明了有机发光器件的优点及其应用。     

OLED驱动技术的发展与应用

依据OLED器件的结构和发光机理,介绍了无源驱动技术和有源驱动技术的发展历程以及二者的区别,并讨论了针对两者的驱动电路和驱动中的一些问题.     

OLED行业专利分析

有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode,OLED）不需背光源、省电、亮度更高、成本更低的特点,使其得到了国内外众多企业的广泛关注。本报告主要针对OLED市场现状与专利状况进行探讨,并通过专利引证分析找出该领域内的重要专利。     

一种新型的电压型AMOLED像素补偿电路

针对常用3T1C结构的AMOLED像素补偿电路容易受到阈值电压漂移影响的问题,介绍了一种新型电压型4T2C结构的AMOLED像素补偿电路,阐明了该电路的工作原理,并对OLED的驱动电流作了定性分析。结果显示该驱动电流值只与驱动电压及电源电压有关,从而有效地解决了因阈值电压变化而造成的显示器亮度不均匀的问题。该电路已通过Spectre仿真软件验证了其有效性。     

LED芯片脏污与几种芯片工艺现象的辩识

文章介绍了几种常见的LED芯片表面脏污类别以及预防对策,包括芯片制造商生产过程中产生和封装厂生产中带入的脏污,另外列举了几种与脏污容易混淆的芯片工艺异常规象。     

面向彩色有机微显示的有机白光顶发射器件

以比铝、银等金属材料透光性更好的铜作为白光有机顶发射器件的顶电极,将其应用到基于Al底电极的蓝、黄互补色顶发射白光有机电致发光器件(TEWOLED),通过合理设计器件结构,制备出的器件具有较低的驱动电压和较高的效率,4V下亮度超过1 000cd/m2、功率效率达到28.5lm/W,效率滚降较小。我们利用p型电学掺杂结构和电子注入缓冲层结构分别解决了铝和铜电极功函数同空穴传输层的HOMO能级和电子传输层的LUMO能级不匹配问题,并通过TcTa光学覆盖层的调节作用使器件具有较好的光谱稳定性。基于Cu顶电极的TEWOLED与采用Al作为互连金属的CMOS工艺兼容,我们将该器件与硅基CMOS驱动电路结合,获得了SVGA白光有机微显示器件,为彩色有机发光微显示的实现奠定了基础。     

Detailed evaluation of in-operando potentials in OLED devices: A combined experimental and drift-diffusion study

We report on a technique to determine in-operando transport properties of Organic Light Emitting Diodes (OLEDs). Two types of OLEDs that solely differ in the emission layer but obviously exhibit a different potential distribution are investigated in this study. If the emission layer consists of the isomer TH-A a large shift in onset voltage can be observed in case of layer thickness variation of the emission layer. In case of the isomer TH-B a thickness variation has no impact on the onset voltage. Therefore the voltage developments per layer are determined with the help of IV measurements on a set of devices with varying layer thickness. From an empirical point of view the voltage behaviour in each layer follows a simple power law. A drift-diffusion model is developed that well describes the current density dependent evolution of coefficient and exponent of the power law. From the model we are able to derive the carrier injection mechanism into the respective layer as well as the injection barrier height. Also the carrier mobility is determined. Finally we are able to show that the existence of a large injection barrier can not explain the observed onset voltage shifts in case of TH-A. Instead an electric field at or close to the interface is necessary to describe the TH-A behaviour.     

具有激光二极管结构的1.3μm侧面发光二极管（Ⅱ）：实验结果

文章给出了用部分参数不合格的激光二极管（ＬＤ）制作具有激光二极管结构的侧面发光二极管＊ＬＤＳ－ＥＬＥＤ）的实验结果。     

新一代OLED显示技术

本文介绍了OLED的发展，分析了OLED的结构、工艺和巨大优势，预测了OLED市场的未来。     

发光二极管的光轴测量

提出对光电传感器使用的发光二极管进行光轴测量的必要性，并采用面积加权平均法对其进行测量，得到芯片位置变化及芯片加载电流变化对光轴位置的影响。