电场诱导纳米石墨微片/不饱和树脂复合薄膜的制备及其光学性能研究

通过超声作用把使纳米石墨微片均匀的分散在不饱和树脂基体中,然后对该复合体系施加一直流电场,直至样品固化。通过 X-射线衍射和扫描电子显微镜测试了复合材料的结构,结果表明:纳米石墨在电场作用下发生取向,纳米石墨微片沿电场方向取向。同时,本文还测试了复合薄膜的光学性能。     

聚氯乙烯/炭黑/镀铜纳米石墨微片导电复合材料的研究

利用超声作用制备粒径为10μm,平均厚度约为100nm的纳米石墨微片（nano-Gs）,然后采用无钯无SnCl2化学镀铜新工艺对nano-Gs表面进行化学镀铜。通过熔融共混法制备聚氯乙烯（PVC）/镀铜nano-Gs和PVC/导电炭黑（CB）/镀铜nano-Gs复合材料。结果表明,当镀铜nano-Gs含量达到逾渗阈值12%（质量分数,下同）时,PVC/镀铜nano-Gs复合材料的体积电阻率达到了最低值104Ω·cm,但其拉伸强度及缺口冲击强度较纯PVC均有所下降;当镀铜nano-Gs含量达到10%,CB含量达到2%时,PVC/CB/镀铜nano-Gs的体积电阻率达到了最低值103Ω·cm,比PVC/镀铜nano-Gs降低了一个数量级,且其拉伸强度及缺口冲击强度较纯PVC均有所提高。     

纳米石墨片/环氧树脂复合材料的制备及性能

分别采用低温固化剂和高温固化剂制备了纳米石墨片/环氧树脂复合材料。通过电阻测试仪和材料试验机研究了纳米石墨片的含量对复合材料导电性能和力学性能的影响规律,并将溶液混合法与直接混合法制备的复合材料的性能进行对比,同时比较了纳米复合材料的性能与微粉石墨/环氧树脂复合材料的性能。结果表明,溶液混合法制备的复合材料逾渗阈值更低,可得到填料质量分数达60%、体积电阻率为0.0085 Ω·cm的纳米复合材料。当填料质量分数高于4%时,纳米复合材料的力学性能低于微粉复合材料。     

聚乙烯/纳米石墨微片导电复合材料的制备与性能研究

采用纳米石墨微片(GNP)为导电填料与线形低密度聚乙烯（PE-LLD）共混来制备导电复合材料,研究了改变GNP、表面处理剂十二烷基苯磺酸钠（SDBS）和分散剂聚乙二醇(PEG)的添加量对导电复合材料的力学性能、导电性能和热性能的影响。结果表明,GNP添加量为40份时,材料会形成导电网络,体积电阻率达到8.95×10^8 Ω·cm,继续增加GNP的添加量对材料的导电性能和力学性能影响不大;导电复合材料的最佳配方为:100份PE-LLD、40份GNP、SDBS和PEG均为GNP质量的10 %。     

PANI/不锈钢网复合导电膜制备及抗污染性能研究

利用电化学聚合法将苯胺和不锈钢网制备了一种新型聚苯胺 (PANI) 复合导电膜。调整电化学 CV 循环为 560 圈,导电膜通量稳定在 6 900 L/(m³· h · MPa),可以较好地实现超滤膜的功能。利用SEM、EIS 和 CV 验证了该膜具有较好的电导率和稳定性。LC-OCD 对 BSA、SA 和 HA 3 种模拟污染物以及 SE 的 DOC 截留率分别达到 40.2%,85.6%,45.8%,26.5%,表明该导电膜比普通超滤膜具有较好的效果。抗污染试验表明 ：在通电反洗过程中 (2 V),PANI 导电膜可以实现广泛的通量恢复,无需消耗化学物质,尤其对大分子 BSA、SA 和小分子 HA 抗污染的效果更好。     

镀镍纳米石墨微片/丙烯酸酯磁性压敏胶的制备与性能

以天然膨胀石墨(EG)为基本原料,采用超声分散法制得NanoG(纳米石墨微片);然后采用化学镀法制得磁性填料Ni-NanoG(镀镍纳米石墨微片);最后采用溶液共混法制得丙烯酸酯磁性PSA(压敏胶)——Ni-NanoG/PSA。研究结果表明:NanoG表面覆盖了一层均匀紧凑的金属Ni,Ni-NanoG中O-H与丙烯酸酯PSA中O-H之间已形成了氢键,故Ni-NanoG已均匀分散在丙烯酸酯PSA中;当w(Ni-NanoG)=20%时,Ni-NanoG/PSA的磁性能和粘接性能俱佳,其饱和磁化强度(Ms)为11.96 emu/g,矫顽力(Hc)为1.38 Oe,180°剥离强度为0.62 kN/m和剪切强度为0.81 MPa。     

还原纳米石墨/聚氨酯导电胶的制备与性能研究

利用异氰酸酯与多元醇在不同的反应条件下制取三种性能不同的聚氨酯(PU)预聚体(PUⅠ、PUⅡ和PUⅢ),然后分别与还原纳米石墨(RNG)、三羟甲基丙烷(TMP)混合制备三种RNG/PU导电胶(RNG/PUⅠ、RNG/PUⅡ和RNG/PUⅢ)。运用多种检测手段对导电胶的导电性能、力学性能和热稳定性能进行了分析。结果表明:随着RNG质量分数的增加,三种导电胶的导电性能均增强,其导电逾渗阀值分别为10.0%、16.7%和20.0%;导电胶的拉伸剪切强度随RNG质量分数的增加呈先升后降的趋势,当w(RNG)=20%时导电胶的拉伸剪切强度为1.37～4.40MPa;RNG的加入使导电胶的热稳定性能明显提高。     

还原纳米石墨/聚氨酯导电胶的制备与性能研究

利用异氰酸酯与多元醇在不同的反应条件下制取三种性能不同的聚氨酯（PU）预聚体（PUⅠ、PUⅡ和PUⅢ）,然后分别与还原纳米石墨（RNG）、三羟甲基丙烷（TMP）混合制备三种RNG/PU导电胶（RNG/PUⅠ、RNG/PUⅡ和RNG/PUⅢ）。运用多种检测手段对导电胶的导电性能、力学性能和热稳定性能进行了分析。结果表明：随着RNG质量分数的增加,三种导电胶的导电性能均增强,其导电逾渗阀值分别为10.0%、16.7%和20.0%;导电胶的拉伸剪切强度随RNG质量分数的增加呈先升后降的趋势,当w（RNG）=20%时导电胶的拉伸剪切强度为1.37～4.40MPa;RNG的加入使导电胶的热稳定性能明显提高。     

环氧树脂/镀银纳米石墨微片导热复合材料的制备与性能

以膨胀石墨为原料,采用超声分散法和化学镀法制得镀银纳米石墨微片,然后将其填充在环氧树脂基体中制备环氧树脂/镀银纳米石墨微片复合材料。结果表明,银粒子均匀镀覆在纳米石墨微片上,银层厚度为100 nm,有利于在环氧树脂基体中形成导热通路;与环氧树脂相比,环氧树脂/镀银纳米石墨微片复合材料的力学性能和热导率能都得到提高;当镀银纳米石墨微片含量为3 %时,复合材料的热导率为1.827 W/(m·K),比纯环氧树脂热导率提高了近5倍。     

炭黑石墨填充复合导电涂料的制备研究

制备了一种以炭黑和石墨为导电填料的复合型导电涂料,分别研究了炭黑填充和石墨填充的导电涂层性能,确定了采用炭黑、石墨混合填充的导电涂料体系,详细研究了混合填料的比例及含量对涂层导电性能的影响。     

石墨/炭黑/EPDM复合材料的性能研究

研究石墨/炭黑/EPDM复合材料的物理性能、动态力学性能和导电性能.结果表明:石墨对炭黑填充EP-DM复合材料具有补强作用,并显著提高其导电性能;石墨/炭黑/EPDM复合材料的电导率-压力曲线表现出“山峰”形变化趋势,升高温度或增大石墨用量时该峰向低压力区移动;石墨用量越大,复合材料电导率的温度依赖性越强,石墨粒子滑移...     

炭黑填充复合型导电塑料制备工艺技术

在炭黑填充复合型导电塑料的制备过程中,工艺技术起着十分关键的作用。为此,应从多方面入手,优化材料组成与加工条件,如通过精心选择炭黑品种与加工助剂并细心调节其用量;采用混杂填充、多相复合基体控制炭黑的分布模式;优化混合与分散的程序以及工艺条件;针对各种不同的成型方法,优化加工参数等,获得所需要的导电特性,改善材料的综合性能。     

高密度聚乙烯导电塑料的性能研究

研究了导电炭黑的品种、含量和炭黑并用对高密度聚乙烯性能的影响。以脉动态硫化对改善ＨＤＰＥ／导电炭黑复合材料物性的影响。结果表明，炭黑并用能有效降低生产成本，而且保持了材料的性能，ＨＧ－４型电导炭黑填充ＨＤＰＥ具有很好的导电性，动态硫化法可以克服复合材料物性差的弱点，并能保持改性材料的高导电性；在ＨＧ－４型炭黑含量为７份时，材料的拉伸强度为１３ＭＰａ，断裂伸长率为３５０％，体积电阻率为２．１Ω·ｍ。     

炭黑填充导电丁腈橡胶研究

研究了用华光化工厂产导电炭黑填充丁腈橡胶的导电性规律。探讨了配方、加工工艺、混炼胶存放、胶料老化以及测试条件等诸多因素与导电性的关系。优选出了硬度７０左右的胶料，其体积电阻率为２．２２Ω·ｃｍ。     

导电炭黑在塑料中的应用

介绍塑料导电专用炭黑及其在塑料制品中的应用性能和该产品的应用前景。     

炭黑填充复合导电高分子材料研究和应用

概述了目前国内外炭黑填充复合导电高分子材料的研究现状、进展及应用，主要对炭黑性质，用量，基体树脂性能以及导电复合材料的特性进行了讨论。     

炭黑／碳化硅复合导电涂料的制备及导电性能研究

制备了一种以炭黑、碳化硅为混合填料的复合导电涂层。研究了炭黑／碳化硅混合填料复合涂层的导电性能,重点研究了混合填料和炭黑种类对涂料导电性能的影响。试验结果表明,混合填料能够明显改善涂层的导电性能,混合填料的炭黑含量在5％时出现渗透阈值,当炭黑含量为25％时电阻率降至10．59Ω·cm。     

电致形状记忆聚己内酯／炭黑复合导电高分子材料的研究

制备了具有电致形状记忆特性的聚己内酯/炭黑(PCL/CB)复合导电高分子材料,研究了其电致形状记忆特性。结果表明,以交联聚酯作为聚合物基体、导电炭黑作为导电填料的复合导电高分子材料具有良好的电致形状记忆特性。拉伸2倍的CB300-25试样在200V电压作用下的形变回复率可达100%,响应时间140s。炭黑质量含量为25%的试样与炭黑含量为20%的试样相比,其响应时间较短,形变回复率也较高。随着电压的提高,试样的响应时间缩短,形变回复率提高。