第六届国际激光光谱学会议

第六届国际激光光谱学会议于1983年6月27日至7月1日在世界花园——瑞士的游览胜地Interlaken举行。出席会议的各国科学工作者三百多人,其中有诺贝尔奖金获得者A.L.Schawlow以及国际上有名望的学者,如美国的R.G.Brewer,T.W.Hanch,J.L.Hall,英国的G.W.Series,法国的S.Liberman,西德的W.Kaiser,H.Walther等。会议沿用传统的形式,口头报告均在全体会议进行。会议报告共130多     

第六届国际量子电子学会议即将召开

第六届国际量子电子学会议将于1970年9月7~10日在日本东京举行。这次会议是在巴黎举行的第三届会议、在菲尼克斯举行的第四届会议和在迈阿密举行的第五届会议的继续。     

美国第六届晶体生长会议及第六届国际汽相生长和外延会议

<正> 由美国晶体生长学会主办的美国第六届晶体生长会议及第六届国际汽相生长和外延会议于1984年7月15日至20日在美国新泽西州大西洋城召开。参加会议的代表400余人,提交论文211篇。其中美国119篇,日本16篇,中国14篇(其中包含台湾4篇),联邦德国9篇,加拿大5篇,英国4篇,民主德国1篇。 会议期间进行了论文评选,图片展览与评选,小型设备与仪器展览。 会议内容十分丰富,主要包含半导体材料、非线性光学材料、激光材料(KDP和DKDP)和高温材料的研究进展,反映了当前电子材料在晶体生长和外延生长方面实验与理论研究的最新成果。现就半导体材料方面几个感兴趣的问题介绍如下:     

第十三届亚太质量组织国际会议 暨第六届上海国际质量研讨会

受亚太质量组织（APQO）委托，由中同质量协会主办、上海市质量协会承办的第十三届亚太质量组织国际会议暨第六届上海国际质量研讨会，将于2007年10月18—20日在上海举行，会议主题为“卓越与和谐”。APQO是亚太地区的、自治的、非政治性、非营利性的科学技术组织，其目标是持续改进产品和服务质量。[第一段]     

第六届电子封装技术国际会议成功召开

由中国电子学会生产技术学分会电子封装专委会（CIE_CEPS）主办,并由国际电子与电气工程师协会元件制造与封装分会（IEEE_CPMT）、国际微电子与封装协会（IMAPS_NA）、新加坡微电子研究所（IME）、日本电子封装学会（JIE P）、飞利浦半导体（Philips Semiconductor）、乔治利亚科技大学（Georgia Institute of Technology）、马里兰大学（University of Maryland）、IEEE_CPMT北京分会、中国电子科学研究院（CAEIT）、哈尔滨工业大学、清华大学、复旦大学、上海交通大学、华中科技大学、河北半导体研究所、无锡微电子研究中心、深圳市人民政府、中国国际文化交流中心等18家单位共同发起的第六届电子封装技术国际会议（6th International Conference on Electronics Packaging Technology,ICEPT2005）于8月30日至9月2日在深圳成功召开。     

第八届国际激光雷达会议

第八届国际激光雷达会议是由美国气象协会激光大气研究委员会、美国光学协会和国家航空和太空局兰利研究中心联合发起的，会议于一九七七年六月六~九日于德雷克塞尔大学举行。会上有77篇投稿和7篇特约稿，涉及疒泛的题目，证实了激光卞气研究的生命力仍然不减。激光在大气科学中的广泛应用也由与会者的国际性所表明。除了美国的一个大型代表团外，从日本、法国、德 国、加拿大、澳大利亚、英国、意大利、以色列、瑞典、比利时、捷克斯洛伐克、牙买加和苏联来的科学家或工裎师也参加了会议，或者投送了论文。     

第六次国际量子电子学会议

1970年9月7日在日本京都召开了第六届国际量子电子学会议。美帝的汤斯(C. H. Townes)发表与量子电子学和天体物理学有关的论文。苏修的巴索夫（N. G. Basov)与波波夫(Υ. M. Popov)合作发表关于紫外受激辐射的报告。苏修的普鲁霍洛夫(A. M. Prokhorov)担任会议主席。     

第六次国际量子电子学会议

来自21个国家的774位代表参加了在日本京都召开的第六届国际量子电子学会议。以下分几个方面报导。     

第十届国际广播会议概况

国际广播会议(IBC)第10届年会于1984年9月21日至25日在英国布赖顿召开,这是由EEA、IEEE和SMPTE等6个技术工程协会联合发起的二年一度的例会。     

第四届离子源国际会议简介

1 会议概况 第四届离子源国际会议于1991年9月30日至10月4日在德国贝塞姆(Bensheim)召开,会议由德国重离子研究所(GBI)主办,参加会议的有中、美、(原)苏、德、法、日等20多个国家,代表200多人,收集论文200多篇,其中我国有11篇。这次会议规模与上次会议(89年)相当,但论文数增多了近50篇。本次会议的论文集将在92年4月份的RSI(《Review of Scientific Instruments》)上刊登。s     

第16届国际半导体激光会议

１９９８年１０月在日本奈良举行的第１６届ＩＥＥＥ国际半导体激光会议吸引了来自世界各地的３００多各科学家和研究人员,其内容覆盖了二极管激光器的各个研究领域。日益明显的是砷化磷化铟镓（ＩｎＧａＡｓＰ）激活二极管（无铝激活）正在０．７０～０．８３μｍ波长范...     

第三十二届国际三束会议介绍

这次会议于88年5月31日至6月3日在美国佛罗里达州的洛德代尔堡举行。参加会议代表最多的为美国(273人),其次是欧州(71人)和日本(33人),提交大会的论文共171篇,大会同意采纳129篇,比以往各届有较大的增加。从内容来看,电子束占18％,离子束占18％,抗蚀剂占17％,X射线占13％,微细器件加工占11％,蚀刻占9％,其余为物理评价和表面反应等内容的文章。从提供论文的数量来分,美国占62％,日本占16％,西德占9％。