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本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积(LP-MOCVD)外延生长InGaAsP/InP应变量子阶材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用.用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值7~12mA的1.3μm量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于600A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值9~15mA的1.55μm量子阶激光器以及高功率1.3μm量子阱发光二极管和InGaAsPIN光电探测器. 相似文献
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InGaAsP/InP激光器非平面液相外延生长的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文叙述了用于制作 InGaAsP/InP 半导体激光器的非平面液相外延工艺。讨论了各种因素对非平面液相外延生长的影响。在 InP 衬底上和刻有沟槽的 InGa-AsP/InP 外延片上成功地生长出了高质量外延层。用该外延片制作的激光器在室温连续工作条件下典型阈值电流30mA,典型输出功率为10mW。最高激射温度为115℃。 相似文献
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选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料 总被引:2,自引:1,他引:1
采用 L P- MOVPE在 Si O2 掩膜的 In P衬底上实现了高质量的 In Ga As P多量子阱 (MQW)的选择区域生长(SAG) .通过改变生长温度和生长压力 ,MQW的适用范围由 C波段扩展至 L 波段 ,即 MQW的光致发光波长从15 46 nm延展至 16 2 1nm.光致发光 (PL)测试表明 :在宽达 75 nm的波长范围内 ,MQW的质量与非选择生长的MQW质量相当 ,并成功制作出电吸收调制 DFB激光器 (EML) . 相似文献
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本文分析了Si1 -x- yGexCy 半导体材料外延生长的困难所在 ,总结了用于生长Si1 -x- yGexCy材料的各种生长方法 ,并分析比较了各自的特点。 相似文献
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讨论了液相外延生长过程中外延层厚度与生长条件的关系.在生长速率决定于溶质扩散的前提下,推导出了外延层厚度的卷积表达式.利用这一表达式,可以得出不同液相外延工艺中外延层厚度与生长时间、冷却速率的关系.并且,外延层厚度的卷积算法可以应用于更为复杂的生长条件,例如:非均匀的降温速率、非线性的液相线形状以及有限的生长溶液等. 相似文献
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低温低真空CVD生长锗硅异质结外延材料 总被引:1,自引:0,他引:1
利用自行研制的超净低温低真空化学气相外延系统,应用锗烷和硅烷气本,在2英雨到3英雨的衬底硅片上生长了锗硅异质结外延层。在665℃,610℃和575℃不同温度分别生长了Si0.5Ge0.2,Ge0.5和Si0.65Ge0.35的异质外延层,获得了原子级表面和界面的异质外延材料。结果表明:外延生长速率和Ge组分由硅烷和锗烷的分压及生长时的温度控制。并利用X射线双昌衍射,扩展电阻和电化学C-V法研究了G 相似文献