Vishay发布的新款高速光电检测器对紫外线的检测性能提高数倍

日前,Vishay Intertechnology,Inc．发布了其新款高速光电检测器——TEMD5080X01,继续扩展其光电产品线。TEMD5080X01是PIN型光电二极管,与与标准PIN光电二极管芯片相比,TEMD5080X01对400nm紫外线的检测灵敏度提高了300％,因此可广泛用于工业和消费类系统。     

Vishay发布的新款高速光电检测器提高紫外线检测性能数倍

Vishay Intertechnology，Inc．发布了其新款高速光电检测器-TEMD5080X01，继续扩展其光电产品线。TEMD5080X01是PIN型光电二极管，与标准PIN光电二极管芯片相比，TEMD5080X01对400nm紫外线的检测灵敏度提高了300％，     

Vishay推出新款高速PIN光电二极管

Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出新款具有高发光灵敏度和快速开关时闻的高速硅PIN光电二极管——TEFD4300和TEFD4300F,     

基于自适应噪声抵消的光电二极管阵列检测器

由于普通光电二极管阵列检测器(PDAD)无法克服光源波动造成的影响,设计开发了一种采用自适应噪声抵消技术的PDAD。该检测器采用分光镜实现光的分束和合束,采用凹面光栅实现分光系统,PDA作为光电接收元件。在斩光器和后续电路的配合下,实现了在同一PDA上信号光光谱、参考光光谱和暗电流的分时测量。由于采用参考光的吸光度信号对样品光的吸光度信号进行自适应噪声抵消,可以有效降低光源光强波动的影响,使基线短期噪声降低1×10-5AU,漂移降低为1×10-4AU/h。     

PIN光电探测器等效电路模型研究

本文给出一个新的PIN光电二极管的等效电路模型，该模型基于速率方程和微波端口特性并在TMS（TsinghuaMicrowaveSpice）中完成，可以进行线性、非线性信号分析和噪声分析。利用该模型对其非线性谐波特性进行了预测，模拟结果表明和文献数值求解结果基本一致，最后讨论了适用于金属－半导体－金属（MSM）光电二极管的修正模型．     

光电检测器及其在光纤通信系统中的应用

本文简述了适用于宽频带光纤通信系统中高灵敏度红外光导检测器的特性，包括适用波长范围从０．３μｍ到１０．６μｍ的红外非本征光电导体和本征光电导体材料，最后还介绍了一些正在开发研制的光电检测器和它们在可见光以及红外光通信系统中的应用。     

异质结光电探测器的性能研究

光电探测器用于将光纤传输的光信号转变为电信号，是半导体光电子学的重要器件。本文主要介绍几种异质结光电探测器的器件结构和工作原理，旨在探讨异质结光电探测器的研究现状和发展趋势。     

PIN光电二极管电路模型的研究

本文给出一个完整的ＰＩＮ光电二极管（ＰＤ）电路模型。该模型适于在开发ＯＥＩＣ电路模拟软件中采用．它可用于直流、交流、瞬态分析．该模型的有效性通过与已报道的实验结果进行比较得到证实。     

异质结光电探测器的性能研究

光电探测器用于将光纤传输的光信号转变为电信号,是半导体光电子学的重要器件。本文主要介绍几种异质结光电探测器的器件结构和工作原理,旨在探讨异质结光电探测器的研究现状和发展趋势。     

PIN结构自扫描光电二极管列阵

从自扫描光电二极管列阵（ＳＳＰＡ）的工作原理出发，提出采用外延、离子注入、推阱的技术，研究一种新颖的高响应度的ＰＩＮ结构的ＳＳＰＡ器件，详细的分析了工艺设计方案和实验方法，最后提供了样品的测试参数。     

紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管

描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻(111)N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术,测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能.有源区面积为16mm×17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤5nA和≤120pF.探测器在波长区域(380～500nm)的光谱响应典型值:400nm为0.26A/W,500nm为0.33A/W.量子效率在400～900nm光谱范围内达到70%～80%.对于紫外光至蓝光区域,该器件是一种理想的光探测元件.     

紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管

描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻(111)N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术,测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能.有源区面积为16mm×17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤5nA和≤120pF.探测器在波长区域(380～500nm)的光谱响应典型值:400nm为0.26A/W,500nm为0.33A/W.量子效率在400～900nm光谱范围内达到70%～80%.对于紫外光至蓝光区域,该器件是一种理想的光探测元件.     

Analysis on Additional Crosstalk Caused by Oblique Incident Ray on PIN Detector Array

The crosstalk caused by oblique incident ray on a PIN detector array is analyzed.An integral expression of crosstalk factor in relation to incident angle and structure parameters is deduced and the correctness of the deduction is tested and verified.     

高灵敏度可见光盲AlGaN光电二极管和光电二极管列阵

在过去的五年中,Ⅲ-Ⅴ族氮化物得到了迅速的发展.这不仅促进了蓝色和绿色发光二极管的商业化,同时还促使人们研制出了紫色激光二极管和各种电子器件.除此之外,人们还研制出了一些基于光导元件和列阵的光电探测器以及结器件.     

高速InP/InGaAs雪崩光电二极管

采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZn p型欧姆接触、AuGeNi n型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面InP/InGaAs雪崩光电二极管,器件利用InGaAs做吸收层,InP做增益层,光敏面直径50 μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压32～42 V,在低于击穿电压2 V左右可以得到大约10A/W的光响应度,在0到小于击穿电压1 V的偏压范围内,暗电流只有1 nA左右;器件在2.7 GHz以下有平坦的增益.