双区共腔双稳态激光器电注入下特性的计算机模拟

本文对双区共腔半导体双稳态激光器在电注入下的稳态及瞬态特性进行了计算机模拟,这种模型产生双稳和自脉动现象的机制是不均匀电注入本征可饱和吸收特性,我们研究了与可饱和吸收有关的几个参数r、ξ、J_1、J_2对双稳及自脉动现象的影响.     

Ag—TCNQ薄膜的光学双稳态现象

本文第一次报导了Ａｇ－ＴＣＮＱ薄膜的双稳态现象。双稳Ｆ－Ｐ腔是由Ａｇ－ＡｇＴＣＮＱ－Ａｇ膜系组成。并观察了Ａｇ－ＴＣＮＱ薄膜典型的双稳回线。     

GaAs/GaAlAs半导体淬灭型双稳现象的实验研究

在研究GaAs/GaAlAs半导体激光器淬灭效应过程中,我们发现其中一种结构的淬灭型半导体激光器的输出表现为一对共轭的双稳特性,我们认为这种双稳现象是由共腔双波导模式淬灭效应引起的。     

Raman-Nath型声光双稳系统的稳态特性与小讯号调制响应

本文从Raman—Nath型声光双稳系统的动力学方程出发,讨论了该系统的双稳及非稳特性,特别是稳区和绝对稳区的共振现象及非稳区的频率锁定现象。     

ECLD激光器三种模型的双稳特性比较

为了研究频率偏离增益峰值时光栅外腔半导体激光器的双稳特性,对比了以前研究双稳态的原简化模型和近期建立的H参量简化模型、H参量模型所得的双稳环环宽及其存在的条件;采用数值计算和模拟的方法,讨论了三种模型在不同剩余反射率下的双稳环环宽与频率的关系,将H参量简化模型、H参量模型在相同模式中环宽随剩余反射率的变化曲线进行了比较.结果表明,三种模型在增益峰值处的双稳特性相同,第一种模型只能反映增益峰值处的双稳特性,后两种模型能够展示调谐范围内的双稳特性,但在增益峰值两侧新的两种模型的双稳特性有很大的差异,所以在研究ECLD的双稳特性时考虑双稳环随H参量的变化而倾斜十分必要.     

InSb色散及增强吸收光学双稳性

我们利用～320μm厚的lnSb标准具在近90K低温下获得了色散光学双稳性。入射光源为连续CO激光器,波长λ～5.59μm。双稳开启功率近400mW.样品的二表面是自然反射R～0.3。实验还分别得到增强吸收双稳性和色散与增强吸收双稳并存的现象。这是迄今为止在lnSb中实现这种并合双稳性的     

半导体光放大器双稳现象的必要条件

从描述F-P型半导体光放大器(FPSOA)腔内光强Iav与输入光强Iin、输出光强Iout之间关系的方程组出发,证明了Iin是Iav的单值函数.将Iin近似表示为Iav的三阶泰勒级数,则Iin对Iav的导数可以表示为一个关于变量Iav的一元二次方程.进一步地,从理论上论证了只有当该一元二次方程具有两个实数根时,FPSOA才处于双稳工作区.这样,FPSOA双稳现象的必要条件在数学上可以表示为该一元二次方程的判别式大于0.数值实验与解析结果吻合得很好.该研究结果对于具有类似结构器件的双稳现象研究具有一定的参考价值.     

利用光纤马赫曾德尔干涉仪实现的光学双稳性研究

以光纤马赫曾德尔干涉仪作为光强度调制器件,通过光纤耦合器构造光电反馈回路搭建了一种新型电光混合型光学双稳装置。对光学双稳原理进行了研究分析,用图解法形象地解释了双稳工作原理,并且通过在实验中改变该器件的输入光强实现了光学双稳态,得到的光学双稳现象显著,双稳工作状态稳定。该器件有诸多重要应用,如工作在稳态区域时可用做光纤激光功率稳定器,工作在开关区域时可用作光开光、光路由器。     

长波长垂直腔面发射激光器开关及双稳特性

为了研究垂直腔面发射激光器偏振转换特性,基于自旋反转模型,数值研究了正交光注入下1550nm垂直腔面发射激光器频率诱导偏振开关及双稳特性。结果表明,在正交光注入下,连续改变注入光与激光器光场内x线性极化模的频率失谐可诱导产生两类偏振开关和偏振双稳现象,且注入光强与偏振电流的变化都显著影响双稳宽度和激光器的输出特性;合理选择操作条件,可实现对1550nm垂直腔面发射激光器频率诱导偏振开关及双稳的控制。这一结果对垂直腔面发射激光器在全光开关和全光存储等领域的应用具有参考价值。     

染料热双稳横向效应的研究

大多数关于光学双稳的研究都基于平面波近似,即不考虑入射激光的高斯线型。但当入射光光斑尺寸同双稳器件相比很小时,其线型必须考虑。光斑对双稳器件的作用沿横向有所不同,导致双稳特性沿横向具有一定分布,此即横向效应。     

低温ZnSe/ZnS多量子阱光学双稳态

我们在77K温度下,观察了ZnSe/ZnS多量子阱的激光吸收及激子带展宽现象。在不同的激发波长处进一步得到了增强吸收双稳和色散型双稳态。非线性机制为激子带展宽。     

H参量简化模型的调谐特性与双稳特性的关系

为了研究光栅调谐外腔半导体激光器的调谐特性和双稳特性之间的关系,采用建立H参量简化模型、以载流子密度表征阈值特性的方法,得到了以H参量表达的调谐范围解析式,对反共振所需剩余反射率的上限进行了理论分析,数值模拟了激光出射端反射系数、剩余反射率对调谐范围和双稳环环宽的影响,得到了环宽最大值的位置。结果表明,H参量简化模型能够阐明光栅调谐外腔半导体激光器的调谐特性与双稳特性的关系。     

H表达的ECLD双稳环环宽的研究

采用H参量简化模型研究光栅调谐外腔半导体激光器的双稳特性,导出以H参量表达的双稳环环宽解析式,给出了其适用范围,得到剩余反射率减小时导致双稳环消失的临界值,然后数值模拟了光栅反射率、谱线展宽因子、H参量、剩余反射率对载流子密度与频率关系曲线的影响,从中发现了剩余反射率增大时也存在双稳环环宽为零的情况,数值计算了剩余反射率极限值,并指出了环宽极大值的位置。     

两段式半导体激光器的双稳条件

对Ｋｕｚｎｅｔｓｏｖ采用的速率方程加以修正，考虑了俄歇效应的影响，载流子寿命不再作为常数处理，而写成载流子浓度的函数。由此导出了两段式半导体激光器存在双稳的必要条件，计算结果表明，吸收区偏置电流对双稳条件影响极大，对具体器件而言，若增益区和吸收区隔离电阻不够大，几个ｍＡ的偏置电流泄露到吸收区就使器件难以产生双稳。     

用双稳器件做腔镜的CO_2激光器的稳态行为

近几年来,激光器的不稳定性研究引起人们的广泛兴趣。本文利用双稳器件在下态时能用做反射镜的特性,提出用双稳器件做CO_2激光器的输出腔镜。提出了该系统的物理及数学模型。稳态时,当     

新型CO_2激光外差测距测速仪的设计原理

光学双稳态的Ikeda不稳定性可以用一个迭代方程来描述(哈工大博士论文集,陈历学),此方程的图解表征了色散光学双稳器件的倍周期分岔混沌行为。本设计利用这种不稳定行为来实现测距的要求。调节激光器的输出,使双稳器件的输出为其中的一个稳态光强,这束光经目标反射由探测器接收,把探测器的输出经过放大器放大再反馈到双稳器件,调节放大倍数,使双稳器件     

Ⅱ—Ⅵ族多量子阱光双稳器件的研制

本文报道了利用分子束外延技术生长的(ZnSe-ZnS)/GaAs多量子阱材料,研制成功F-P腔型和波导型两种不同结构的多量子阱光双稳器件。以YAG三倍频光为激发光源,首次在室温下观察到F-P腔型(ZnSe-ZnS)/GaAs多量子阱光双稳器件的脉冲压缩效应。根据输入输出脉冲波形获得了该器件的双稳回线。器件的开关功率为0.1W/μm~2,开关时间10ns。     

光泵亚毫米波激光器双稳自脉冲运转特性

研究了光泵亚毫米波激光器的双稳和自脉动等动力学行为.结果表明泵浦光能产生双稳效应,导致输出光的一部分定态不存在,脉动输出较易产生,脉动频率随着泵浦光强的增大而增大.     

光学双稳系统中的慢化现象

本文中我们对光学双稳系统的慢化现象进行了研究，指出了两类临界点附近的慢化现象（即所谓的临界慢化）并且计算出了它们随时间的慢化指数，进一步我们讨论了另一种远离临界点的慢化现象，这是一种与不稳工作点有关的慢化现象，本文的讨论具有普适性，有些结论与已经在理论和实验讨论过的全光学型的或混合型的双稳系统的慢化现象相一致。     

入射端与透射端半透反射镜透射率不等的环形腔双稳系统分析

研究了入射端与透射端半透反射镜透射率不相同的均匀加宽双能级原子介质环形腔的双稳系统。在平均场近似下给出了定态方程,分析了定态线性稳定性。发现当入射端与透射端半透反射镜的透射率之比T_1/T_2改变时,双稳范围随之改变,甚至使系统的行为由双稳模式转为放大模式。本文还指出,在平均场近似下,既能有K≡cT_1/(?)γ<<1的系统,也能有K>>1的系统,前者可以观察到自脉动行为。