低掺铝TiN薄膜的XPS,XRD分析研究

本文用多弧离子镀方法制备了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ（ｘ＜０．３）薄膜，并且运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等技术对Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ进行测试和分析。结果表明：膜层中除含Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ元素外，还出现了一定量的氧；薄膜呈现了（１１１）、（２２２）等晶面的择优取向；薄膜与基底间的附着力较好。     

掺杂SnO2透明导电薄膜电学及光学性能研究

通过实验测量 ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺制备的 Ｓｂ掺杂 ＳｎＯ２薄膜载流子浓度、迁移率、电阻率、膜厚,紫外－可见光区透射率、反射率等性质,详细研究了Ｓｂ掺杂ＳｎＯ_２薄膜电学与光学性能．实验发现,薄膜具有良好的透光性和较高导电性,膜内载流子浓度高达１０^２０ｃｍ^－３,电阻率～１０^－２Ω·ｃｍ,透光率高达 ９０％,ＳｎＯ_２膜禁带宽度 Ｅ_ｇ≈３７～３．８０ｅＶ．     

PECVD方法制备SnO2气敏薄膜的电子显微镜研究

通过ＳＥＭ、ＴＥＭ研究了ＰＥＣＶＤ方法制备的ＳｎＯ＿２薄膜的显微结构，讨论了沉积速率与颗粒大小的关系；在Ｓｉ、陶瓷和ＫＢｒ３种不同衬底上沉积的ＳｎＯ＿２薄膜的差异以及退火对ＳｎＯ＿２膜结晶状态的影响。结果表明，ＰＥＣＶＤ方法制备的ＳｎＯ＿２薄膜是非晶态，具有柱状结构。退火使非晶ＳｎＯ＿２膜向着多晶方向转化，演化过程为：非晶大颗粒→超微粒多晶→晶粒长大。     

高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜

在等离子体化学气相沉积系统（ＰＥＣＶＤ）中，使用高氢稀释硅烷（ＳｉＨ４）加乙烯（Ｃ２Ｈ４）为反应气氛制备了纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜，随着（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）／Ｈ２（Ｘｇ）从５％时，由于Ｈ蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从４８％下降到８％，平均晶粒尺寸在３．５－１０ｎｍ。当Ｘｇ≥６％时，生成薄膜为非晶硅碳（ａ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜。ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相     

材料表面和界面化学状态的俄歇化学效应研究EI

本文运用俄歇化学效应研究了三种纳米薄膜材料的表面，膜层及界面元素的化学状态。研究结果表明用作可燃气体传感器的氧化锡气敏薄膜在离子注Ｓｂ层中以ＳｂＳｎｏ＿ｘ物种存在，在无Ｓｂ层中则以Ｓｎｏｘ（ｘ＜１）形式存在。高能离子注入的金属Ｓｂ也以ＳｂＳｎＯｘ物种存在。具有太阳能选择性吸收功能的氮化铝薄膜则以ＡｌＮ＿ｘＯ＿ｙ物相存在。而ＡＰＣＶＤ法制备的氮化硅薄膜热氧化不稳定的本质则是由于成膜过程中在膜层中包埋了活性较强的自由硅，该自由Ｓｉ容易和热处理气氛中的残余氧反应，从而促进了Ｓｉ＿３Ｎ＿４簿膜层的氧化。     

制备SnO2薄膜时原料中水对其成膜和光电性质的影响

用无水ＳｎＣｌ４和ＳｎＣｌ４．５Ｈ２Ｏ为原料，用热喷涂法制备ＳｎＯ２薄膜，在基片温度为５３０℃时，对所制得ＳｎＯ２薄膜进行了Ｘ－射线，ＳＥＭ分析，并对其发电性质进行测定，总结出含Ｈ２Ｏ的ＳｎＣｌ４制得的ＳｎＯ２薄膜生长速度快，电阻率低。     

反应蒸发制备nmSi—SiOx发光薄膜

报道了用真空反应蒸发制备ｎｍＳｉ／ＳｉＯｘ薄膜,制备出含有不同纳米尺寸硅颗粒的薄膜,研究了不同条件下得到的ｎｍＳｉ－ＳｉＯｘ薄膜的结构和组分,实验发现以ＳｉＯ为蒸发源制备的薄膜能够实现光致发光。初步分析ｎｍＳｉ－ＳｉＯｘ薄膜发光机制可能是由纳米硅最子效应引起的,界面效应和缺陷对薄膜ＰＬ可能没有贡献,解释了有纳米硅颗粒的存但观察了ＰＬ的原因。     

高温燃料电池阴极材料La（Sr）MnO3的电导性能研究

用固相合成法合成了（Ｌａ１－ｘＳｒｘ）１－ｙＭｎＯ３（ｘ＝０～５，ｙ＝０～０．１）单纯相化合物。在空气中用直流四探针法测定了各组成的电导率。测试温度范围为１００～９５０℃。其中（Ｌａ０．７Ｓｒ０．３）０．９５ＭｎＯ３具有最大的电导率。讨论了Ｌａ（Ｓｒ）ＭｎＯ３的电导机理。     

氧化镍及氧化钨薄膜电致变色机制的研究

通过ＺｒＯ２膜层与ＮｉＯｘ，ＷＯｘ膜层的不同组合，在液态电解质下，测得不同电致变色膜系的电化学特性及相应着、脱色状态的光透射性能。证明了ＺｒＯ２膜层具有导通离子而隔断电子的离子导体层特性，并对ＮｉＯｘ膜层的变色机制进行了探讨。用Ｘ射线衍射方法对不同状态下ＮｉＯｘ，ＷＯｘ薄膜的物相分析表明：电致变色反应中的是离子注入膜层，使薄膜向有序化排列变化，并产生晶格类型的转变。     

Ba1—xSrxTiO3薄膜的制备及特性研究

用溶胶－凝胶方法制备Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３（ＢＳＴ）薄膜材料，研究薄的结构和电性能。用ＸＤＲ及ＳＥＭ分析了沉积在硅片上的ＢＳＴ薄膜的结构，测试了在室温下ＢＳＴ薄膜的电滞回线及介电特性。