四英寸四硼酸锂压电晶体的生长研究

以直径3英寸Li2B4O7晶体为籽晶，采用改进型坩埚下降法在Pt坩埚中生长了直径105mm、长度120mm、无宏观缺陷的高质量Li2B4O7晶体。生长速率＜0.3mm/h，固液界面附近的温度梯度约为30℃／cm。探讨了开裂、孪晶、包裹体等缺陷的形成和消除办法，测试了该晶体的性能。介电常数ε11＝9．33，压电系数d33＝0．94C/m^2，机电偶合系数k33＝0．42，高机电偶合系数和低介电常数表明该晶体在高频声表面波器件应用方面具有很大的潜力。     

新型压电晶体Li2B4O7的性能、生长和应用

本文详细介绍了我们在Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７晶体坩埚下降法生长方面的研究进展，报道φ３、φ４无芯区、无孪晶、无云层、无开裂和无散射的Ｌｉ２Ｏ４Ｏ７晶体的生长条件与缺陷消除，包括高纯原料的制备与成型、缓慢的生长速率、微凸和平的固液界面形状和适当的自退火工序，同时还简要介绍了该晶体的基本性能，综述了近年来的研究进展以及该晶体在ＳＡＷ器件方面的应用。     

手机中的压电器件和压电晶体

一、移动通信——促进压电晶体发 展的动力之一 第一代移动通信:1987年,模拟式声音通话; 第二代移动通信:1992年,数字式高性能声音通话,低速数据通信; 第三代移动通信:2001年,IMT（InternationalMobile Telecommunication）-2000广域通话,高速数据通信大容量数据（对应动画等）通信。 能实现移动通信更新换代的关键之一是手机的更新换代;能实现手机更新换代的关键是人工晶体的更新换代。反之,通信更新换代的实施促进了手机进而促进人工晶体产业的发展。因篇幅关系,本文仅涉及手机中的压电器件及压电晶体的市场概况。     

氟化铅晶体的生长与Cherenkov辐射特性

采用脱氧剂非真空坩下降法生长出的大尺寸ＰｂＦ２晶体具有优异的Ｃｈｅｒｅｎｋｏｖ辐射特性,其透光截止波长最短可达２４５ｎｍ,能量分辨率优于３．２％／√Ｅ,辐照损伤很弱,用３６５ｎｍ的过滤光漂白后,透光能力几乎可以完全恢复到辐照之前的水平。     

PbWO4晶体的热膨胀及坩埚下降技术生长晶体开裂分析

本文报道了坩埚下降技术生长钨酸铅盐晶体的热膨胀系数测量结果，讨论了热膨胀对晶体开裂的影响。同时探讨了克服晶体开裂的途径。由于生长时纵向温场效应以及晶体大的热膨胀系数和它的垢各向异性而引起的应变是导致晶体开裂的重要因素。     

无机闪烁晶体的生长技术

综述了无机闪烁晶体的提拉法，下降法，热交换法，浮区法等生长技术，其中最常有和的最前两种方法。同时就某些典型的闪烁晶体讨论了上述生长技术的优缺点。     

钨酸铅晶体的生长及其闪烁性的研究

采用提拉法生长出直径２０－２５ｍｍ,长２５－３０ｍｍ优质ＰｂＷＯ４及Ｌａ＾３＋、Ｍｇ＾２＋、Ｍｏ＾６＋和Ｂｉ＾３＋掺杂ＰｂＷＯ４晶体。测试了晶体的Ｘ射线衍谢谱、透射光谱、激发发射光谱、光产额、抗辐照性能和发光衰减时间。总结并解释了掺杂对ＰｂＷＯ４晶体性能的影响以及氧退火对晶体抗辐照性能的影响,探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性。     

KTiOAsO4晶体的生长缺陷研究

研究ＫＴｉＯＡｓＯ４的生长缺陷,对于改善它的性质和应用前景有很大的意义,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射Ｘ射线形貌术研究了ＫＴｉＯＡｓ析缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对ＫＴＡ晶体的表面缺陷效果显著,ＫＴＡ晶体中主要的缺陷有铁电畴生产层,形界,位错和包裹物,了这些缺陷形成的原因。     

SiC单晶的生长及其器件研制进展

ＳｉＣ具有禁带宽度大，热导率高，电子的饱和漂移速度大，临界击穿电场高和介电常数低等特点，在高频大功率，耐高温，抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管方面具有广泛的应用前景，本文综述了半导体ＳｉＣ体单晶和薄膜的生长及其器件研制的概况。     

三羟甲基氨基甲烷磷酸盐(THAMP)晶体的介电、弹性和压电性能

三羟甲基氨基甲烷磷酸盐(简称 THAMP)是一种新的极性晶体。该晶体属点群2,有独立的弹性常数13个,压电常数8个,介电常数4个。利用十四个适当取向的试样和四种振动模式,测定了全部这些常数。     

Cd0.96Zn0.04Te单晶生长及晶体成分偏析

采用常规Ｂｒｉｄｇｍａｎ法和ＡＣＲＴ－Ｂ法进行Ｃｄ０．９６Ｚｎ０．０４Ｔｅ晶体生长实验。结果表明：ＡＣＲＴ产生的强迫对流在很大程度上消除了侧壁形核，有利于获得大的晶体；ＡＣＲＴ的加入提高了有效分凝系数ｋｅｆｆ，使其向平衡分凝系数ｋｅｑ趋近，导致轴向的偏析增大。     

磁场下Sm0.88Dy0.12Fe2合金的晶格畸变研究

本文研究外加磁场情况下，Ｓｍ０．８８Ｄｙ０．１２Ｆｅ２合金的微观结构，确定了低磁场下，该合金中（Ｓｍ，Ｄｙ）Ｆｅ２相由立方晶转变为正方晶系，原子发生了位移，初步分析了微观晶格畸变与宏观磁致伸缩应变的关系。     

Co_xFe_（3－x）O_4薄膜的湿法制备及性能

提出了在碱性溶液中通过加入添加剂在涤纶（ＰＥＴ），玻璃，铜片等基体上快速制备Ｃｏ－ｘＦｅ＿（３－ｘ）Ｏ＿４磁性薄膜的方法。实验结果表明，湿法制备的薄膜具有多晶的尖晶石结构，随着Ｃｏ含量的增高，矫顽力逐渐增大，耐蚀性良好。     

锂快离子导体Li3-2x(Al1-xTix)2(PO4)3的合成与表征

NASICON型正磷酸盐LiM2(PO4)3(M=Ti,Ge,Zr,Hf)是近来研究得比较深入的锂快离子导体.LiTi2(PO4)3难于烧结得到致密的LiT2(PO4)3陶瓷,且离子电导率很低,在298K时为8.260×10-8 S/cm,613K时为8.241×10-5 S/cm,而当以三价的Al3 离子经传统的固相烧结反应部分取代LiTi2(PO4)3中四价的Ti4 离子后,通过DSC、DTG、电化学阻抗与SEM测试表明,不仅能获得致密度高稳定的产物,而且烧结后得到的锂快离子导体Li3-x(Al1-xTix)2(PO4)3(X=1.0～0.55)体系在室温下的电导率有了巨大的提高.当X=0.85时,组分Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3离子电导率最大,298K时为1.792×10-6S/cm和613K时为9.210×10-4S/cm.     

超低膨胀陶瓷K_（2x）Ba_（1－x）Zr_4（PO_4）_6系统的X射线衍射

用高温Ｘ射线衍射方法对磷酸锆钡钾系统陶瓷材料的各向异性热膨胀作了研究．对七个组份试样的７７套高温Ｘ射线衍射图作了仔细的指标化和精密点阵常数测定．点阵常数随温度作非线性变化·对Ｋ_２ｘＢａ_１－ｘＺｒ_４（ＰＯ_４）_６的不同组份不同温度（３００～１３００Ｋ）的热膨胀系数。α_ａ、α_ｃ、　作了测定·该系统零膨胀陶瓷的组份为Ｋ_１．１６Ｂａ_０．４２Ｚｒ_４（ＰＯ_４）_６（ｘ＝０．５８）     

BRIDGMAN—Hg1—xCdxTe晶体生长时场量数值分析的进展

综述近十余年来关于Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长过程中场量的数值分析工作。评价一般Ｂｒｉｄｇｍａｎ系统的数值分析，总结和归纳计算模型及边界条件处理方法，指出存在的问题及今后应开展的研究工作。     

BRIDGMAN—Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长时场量数值分析的进展

综述近十余年来关于Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ（１－ｘ）ＣｄｘＴｅ晶体生长过程中场量的数值分析工作，评价一般Ｂｒｉｄｇｍａｎ系统的数值分析，总结和归纳计算模型及边界条件处理方法，指出存在的问题及今后应开展的研究工作．     

紫外倍频晶体K2Al2B2O7的生长与性能

研究了溶液配比和降温速率对K2Al2B2O7(KABO)晶体生长的影响,发现NaF与KABO的适宜比例为2:1,晶体生长的合适降温速率为(0.1~5)℃/d,NaF为合适助熔剂.籽晶的取向也影响晶体的质量,[110]方向是KABO晶体生长的最佳生长方向;采用顶部籽晶技术,以NaF为助熔剂可生长出尺寸为50 mm×20 mm×17mm、重30 g的高光学质量KABO透明单晶.晶体对波长2500nm以上的光表现出各向异性吸收,紫外截止边为180nm.用V型棱镜法测出的KABO晶体折射率拟合出了Sellmeier方程,计算了SHG相位匹配范围,一类相位匹配最短倍频波长为225.5 nm.KABO晶体的266 nm SHG相位匹配角为58.1°.长度为3.6 mm的晶体Nd:YAG激光器四倍频输出能量转换效率为12.3％.