IR推出新型逻辑电平沟道MOSFET,提供基准效率和更高电流额定值

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻（RDS（on））和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具，工业电池及电源应用。     

IR推出采用新型WideLead封装的车用MOSFET系列

可减少50%引线电阻,同时提高30%电流 国际整流器公司（IR）推出采用新型WideLead TO-262封装的车用MOSFET系列,与传统的TO-262封装相比,可减少50%引线电阻,并提高30%电流。     

IR推出新型HOSFET

国际整流器公司（IR）日前发布了最新的HEXFET系列N沟道型功率MOSFET,该产品具有较低的通态电阻（RDS（on））,采用TO-247封装,其典型应用包括：同步整流、有源ORing、大功率直流电机驱动,直-交逆变器、电动工具等。     

IR发布AC-DC同步整流MOSFET

国际整流器公司(IR)日前发布了了一系列针对AC-DC同步整流和ORing电路的新型75V和100V HEXFET MOSFET。这款新推出的MOSFET具有极低的导通电阻．对便携式／LCD适配器和服务器AC-DCSMPS等应用来说．有助于提升效率和功率密度。新组件适用于很多不同AC-DC拓扑技术的次级部份，包括回扫、半桥、全桥和正向转换器。     

n沟道功率MOSFET

E系列600V和650V n沟道功率MOSFET器件在10V下具有64～190mΩ的超低最大导通电阻,以及22～47A的额定电流范围。     

IR推出通用有源ORing控制器集成电路

全球电源管理技术领袖国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出采用高性能有源ORing电路的IR5001S通用高速控制器-N沟道功率MOSFET驱动器。     

IR推出30V基准的工业级功率MOSFET

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出一系列获得工业认证的30VTO-220HEXFET功率MOSFET,为不间断电源（UPS）逆变器、低压电动工具、ORing应用和网络通信及和服务器电源等应用提供非常低的栅极电荷（Qg）。     

IR推出具有超低导通电阻的MOSFET

国际整流器公司(IR)日前发布了一组电压为75V和100V．专用于AC—DC同步整流和Oring电路的MOSFET。这批新器件具备业界前所未有的超低导通电阻．能极大优化笔记本电脑、LCD适配器和服务器等应用中AC—DCSMPS的效率和功率密度。这一组新品MOSFET适用于反激、半桥、全桥、正激转换器等各类不同AC—DC拓扑架构的次边。传统上，在能量密度较高的SMPS中通常将肖特基二极管作为输出整流器件。     

IR推出40V至200V车用MOSFET系列

国际整流器公司（IR）近13推出车用MOSFET系列，可为一系列应用提供基准导通电阻，包括电动助力转向系统、集成式起动发电机泵和电机控制，以及内燃机和？昆合动力汽车平台上的其它重载应用。     

IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出全新 6 0 0 V HEXFET功率MOSFET系列 ,新器件具备快速本体二极管特性 ,专为零电压开关 (ZVS)电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源 (SMPS)电路中实现最大效率 ,并能提高功率输出 ,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信及数据通信系统。最新 L系列 HEXFET MOSFET由于具备快速本体二极管特性 ,因此无需在 ZVS电路中添置额外肖特基及高压二极管 ,减少了元件数目 ,节省了电路空间。新器件有别于采用硬开关器件的桥式或功率因数修正…     

IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的中电压MOSFET

国际整流器公司近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFET MOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36％。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7855PbF均适用于AC-DC次级同步整流、隔离式中等功率DC-DC应用。     

500V N沟道功率MOSFET

SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C—E3和SiHBi2N50C—E3是三款500V、12A的N沟道功率MOSFET,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

IR推出100V集成MOSFET解决方案为PoE应用节省80％的占位空间

世界功率管理技术领袖国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）近日推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFET MOSFET集成在一个功率MLP封装内，可满足以太网供电（Power-over-Ethernet，简称PoE）应用的需求。这款新器件符合针对网络和通信基础设施系统的IEEE802.3af标准，例如以太网交换器、路由器和集线器等，可提供每个端口15W的功率，     

具有超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

SiA433EDJ是采用第三代TrenchFETP沟道技术的最新器件,将P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半,在4．5V、2．5V和1．8V下的导通电阻分别为18mΩ、26mΩ和H65mΩ。     

Vishay Siliconix推出新型500V N沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET——SiHP12N50C—E3、SiHF12N50C～E3和SiHB12N50C—E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的中电压MOSFET

<正>国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出全新60V、80V和100V的N沟道HEXFET~(R) MOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7855PbF均适用于AC-DC次级同步整流、隔离式中等功率DC-DC应用。