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声表面波谐振器传播状态的ANSYS仿真 总被引:2,自引:1,他引:1
为描述声表面波的传播状态,利用ANSYS软件对声表面波(SAW)谐振器进行了仿真。在对声表面波产生机理和SAW谐振器工作原理分析的基础上,建立了SAW谐振器仿真模型,讨论了网格划分不同对仿真结果精度的影响,得出了在每个SAW波长尺寸内划分30~40个网格可以得到较精确的仿真结果。对不同长度声孔径的声表面波谐振器进行了仿真分析,得出了声表面波只在固体表面1~2个波长深度范围内传播的仿真效果图,与理论分析有很好的一致性。最后对IDT/ZnO/金刚石/Si结构的声表面波器件进行了仿真,得出该结构声表面波器件SAW传播速度与ZnO的厚度成反比,其大小是IDT/ZnO结构器件SAW传播速度的2~3倍。 相似文献
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该文研究了在超高性能声表面波(I.H.P. SAW)衬底上,孔径总长对叉指末端具有能够抑制横向模态的小锤结构的谐振器性能。在衬底结构为Y 42°-钽酸锂(Y42°-LT)/SiO2/多晶硅(Poly-Si)/Si上,通过建立对应的有限元三维仿真模型,初步得出在小锤结构下孔径总长的增大能够抑制横向模态杂散的结论。绘制了周期T为1.44μm、2μm、2.56μm下,孔径总长为7.5T、10T、15T、20T、25T、32.5T、40T的单端口谐振器版图并进行流片。通过实测结果表明,在不同周期下,随着孔径总长的不断增加,对谐振器横向模态的抑制会不断增强,机电耦合系数也不断增加,在孔径总长约为20T时阻抗比最高。仿真和实测结果体现了孔径总长对I.H.P. SAW谐振器的性能影响较大,为应用于I.H.P. SAW滤波器中的高性能谐振器提供了设计指导。 相似文献
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该文设计并制作了一种基于新型声表面波(SAW)单端对谐振器的金黄色葡萄球菌生物传感器,该传感器采用了叉指电极中间内置敏感区域的谐振器结构。首先基于微扰理论分析了SAW生物传感器的响应机理。然后结合耦合模理论分析,得到了该谐振器的频率响应曲线。通过网络分析仪测量,实际制作的SAW谐振器的频率响应与仿真结果一致,且具有高品质因数的优点。实验中采用该结构对金黄色葡萄球菌进行初步检测,结果表明检测结果线性度较好,为下一步实现SAW传感器特异性实时检测金黄色葡萄球菌奠定了基础。 相似文献
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为简化声表面波(SAW)传感器的编码过程,提出了一种基于SAW谐振器的编码方法,通过多个不同中心谐振频率的SAW谐振器分别连接不同的负载阻抗进行传感器的编码。设计了传感器的具体结构,建立了传感器的等效电路模型,利用ADS仿真软件对中心谐振频率分别为868MHz和915MHz的2个SAW谐振器组成的传感器进行仿真,结果表明,SAW谐振器外接1pF与4pF的阻抗,其谐振频率差可达200300kHz。根据仿真结果,设计制作了不同编码的2个传感器,一个不外接阻抗,一个外接10pF的阻抗,测试谐振频率差别可达39.75300kHz。根据仿真结果,设计制作了不同编码的2个传感器,一个不外接阻抗,一个外接10pF的阻抗,测试谐振频率差别可达39.7540.2kHz,因此,SAW谐振器外接不同阻抗时谐振频率的差异明显,基于SAW谐振器与外接阻抗的传感器编码方法是可行的。 相似文献
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100—1500兆赫声表面波(SAW)振荡器是实用的,并能以延迟线或谐振器形式构成.非压电基片上的高次谐波声体波谐振器工作频率为1—10千兆赫,Q值优于石英.两种SAW途径和高次谐波体波谐振器彼此作了比较,并一起与UHF和微波应用的、由5兆赫标准晶体谐振器倍频的振荡器作了比较.UHF声振荡器减小了尺寸、重量、成本和功耗. 相似文献
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现在,SAW谐振器已经在1.5千兆赫附近工作。现在已经能生产频率比过去的高一个数量级的,稳定的基模振荡器和高Q滤波器。这些SAW器件,可以使现代通讯和雷达系统的分系统或组件变得比较小,简单,并降低功耗。在本文中将讨论工作于0.5—1.5千兆赫之间的SAW谐振器的基本结构,制作技术和特性及其应用。 最简单的声表面波(SAW)谐振器,等价于已广泛使用于振荡器和窄带滤波器的声体模式晶体谐振器。一个SAW谐振器,由表面上有两个分布式反射器和一个或几个电-声叉指换能器的压电晶片构成。反射器应构成一个能够约束表面波的谐振腔,而叉指换能器应能使能量进入并离开谐振腔。图1是一个SAW 相似文献
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1985年IEEE超声年会于10月16—18日在美国旧金山市举行,会议分成40个专题技术小组进行分组讨论,其中有15个小组专门讨沦SAW技术。这次会议共收到论文254篇,其中论述声表面波(SAW)和有关微波技术的论文约60篇,其内容包括SAW、声体波振荡器和谐振器、频率提高到千兆赫级的体波器件,以及新的SAW材料。10篇特约报告论述了SAW技术应用的发展前景并与其他高级技术,特别是与光信号处理技术的对比。 为数较多的专题论文论述了SAW谐振器、振荡揣和滤波揣及它们在近几年内的进展。休利特-帕卡德公司微波技术部的研究人员,论述了改用薄膜结构通过热处理降低SAW谐振器SSB相位噪声和提高工作频率有关的实验结果。该技术部的其 相似文献
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首先从理论上阐述了声表面波(SAW)谐振器传播属性的有限元分析(FEA)法;然后利用ANSYS软件,对ST切石英晶片的SAW谐振器进行模态分析和谐响应分析;最后处理仿真结果并得到结论:通过合成表面节点横向和纵向的模态位移得出SAW中质点的运动轨迹是椭圆,通过模态频率和对应的波长算出SAW在ST切石英晶片中的传播速度,通过分析纵向节点模态位移得出SAW的能量集中在距表面2个波长深度的范围内,通过幅频特性图得出谐振器在SAW频率处具有最大的频率响应。这些结论与理论基本一致,为设计SAW器件和研究SAW传感器提供了仿真依据。 相似文献
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本文对如何在ST-X石英基片上解决SAW谐振器的单模式工作.横切模抑制及正确设计腔体作了详细讨论.导出了用基频横切模式轮廓加换能器的加权公式以及最佳反射器间隔、反射阵列单元数和阻抗不连续率三者之间的关系.对器件的设计和金属条带反射栅谐振器的实验结果也作了讨论. 相似文献
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该文在硅酸镓镧(LGS)声表面波(SAW)谐振器上沉积了不同厚度的聚酰亚胺薄膜,研究了聚酰亚胺覆盖层对LGS声表面波谐振器的影响。结果表明,SAW谐振器表面沉积了聚酰亚胺薄膜后,器件的谐振频率向低频移动,且随着聚酰亚胺层厚度的增加,谐振器的谐振频率下降越大。SAW谐振器的一阶频率温度系数绝对值随着聚酰亚胺层厚度的增加而增大,且温度转变点向低温偏移。研究结果表明,覆盖聚酰亚胺层薄膜可以提高SAW谐振器的温度灵敏度,从而可应用于温度传感器中。 相似文献
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微机电系统(MEMS)工艺已被广泛用于制造各种硅基薄膜器件.声表面波(SAW)器件是性能优良的MEMS器件.该文利用多物理耦合场软件COMSOL Multiphysics仿真了氧化锌/硅(ZnO/Si)结构SAW谐振器,并得到其S11参数.对应于仿真,该文制造了该种结构的SAW器件.实验所用的ZnO通过射频磁控溅射制备,所制备的ZnO具有良好的(002)取向.实验测得的ZnO/Si结构SAW器件的中心频率为111.6 MHz,与仿真结构接近. 相似文献