GaAs/AlGaAs量子阱的输运特性

本文研究了低迁移率GaAs/AlGaAs量子阱的散射机制。由电导测量和Shubnikov de-Haas振荡曲线分别得到输运散射时间τ_0和弛豫时间τ_q(量子散射时间)。在GaAs/AlGaAs量子阱中,τ_0≈τ_q;而在调制掺杂的异质结中,τ_0》τ_q。用量子阱、异质结中起支配作用的散射机构不同很好地解释了实验结果。本文还研究了弱磁场下量子阱的负磁阻效应,这是磁场抑制了电子局域态的结果。     

由脉冲MOS结构的I-C瞬态曲线确定产生寿命的深度分布

本文分析了MOS结构的电流和电容对阶跃电压的瞬态响应过程.应用较精确的产生区模型,提出了由脉冲MOS结构的I-C瞬态曲线确定产生寿命τ_g的深度分布的正确方法. 在实验上,本文提出了直接记录I-C瞬态曲线的实验方法.本文指出,依据这样一条直接记录的I-C瞬态曲线,就可以确定产生寿命τ_g的深度分布.     

用CCWT方法确定少子的体产生寿命及表面产生速度

在MOS由非平衡深耗尽态恢复到平衡反型态的过程中,如果MOS系统的总电荷是恒定的,则空间电荷区宽度的瞬态特性W(t)将提供少子的体产生寿命τ及表面产生速度S的信息;用指数衰减函数比较法可以直接由W-t曲线确定τ、S,省去了Zerbst方法的繁琐作图程序.     

中波红外光学系统无热化设计

介绍了无热化在红外光学系统中的作用和意义,分析了温度对光学参量的影响,探讨了无热化设计方法及光学被动式无热化基本原理.设计了一种用于320×256制冷型探测器光学被动式无热化中波红外光学系统,镜筒材料采用钛合金,光学材料为硅、锗和硒化锌组合消热差.该系统在-50~70℃温度范围内,最大离焦量小于1倍焦深,空间分辨率17 lp/mm处,光学调制传递函数(MTF)值大于0.7,比较接近衍射极限,探测器单像元内能量集中度大于84%.分析结果表明:该系统具有良好的成像质量和无热效果.     

电力线路上载波通道中噪声的相关分析

根据在我国各区电力线路上测试的噪声频谱密度数据Ss(ω),先算出相对功率频谱密度,再用逐段积分法,求出相关系数ρ与相差时间τ的关系曲线。 在大值由Ss(ω)集中在一个较低频率的几个情况下,ρ-τ曲线的形状相当接近于e~(-ατ)cos 2πfx;在大值Ss(ω)比较分散的一般情况下,它的振荡形状是很不规则的。 最后算出|ρ|开始小于1/e,1/e~2与0.05的相关时间τ_1,τ_2与τ_3,以及在分段过程τ_1,τ_2-τ_1,τ_3—τ_2和整个过程τ_3中的平均振荡频率f,指数衰减系数α,过零点数目N等,其中N/τ3f很接近于2。第一分段τ_1中所得的参数和整个过程τ_3中所得的平均参数相差很远,因而第一分段的参数不能表示整个过程的特征。τ_3决定着通道中不积累误差的载波包络的频率高限。一般地讲,如果在通道中使用较高的载频(4万赫以上),所得的τ_3较小。因而可用较高的载波包络频率,也就是信号频率可以提高些而不致降低信号噪声比。     

滚仰式导引头红外光学系统设计

滚仰式红外光学系统由物镜前组、折转镜组和成像后组组成,其平台内框架俯仰范围可达到90,外框架可以实现360滚转,使光学系统观察视场覆盖整个前半球。光学系统实现了100%冷光阑效率。为适应较大的工作环境温度变化,对光学系统开展了被动无热化设计,给出了被动无热化实现的计算公式,并利用虚拟色差技术,快速确定了满足无热化条件的光学系统最优初始解。针对制冷型红外光学系统的冷反射效应,给出了冷反射诱导温差（NITD）的计算公式,并对敏感表面进行了优化控制。设计结果表明,光学系统焦距为58 mm,视场大小为4.0,F数为2.0,在-50~60℃工作温度范围内系统MTF值接近衍射极限,并对冷反射效应具有较好的抑制能力。经样机测试,光学系统成像清晰稳定,性能良好,满足设计及使用要求。     

二极管包络检波器无惰性失真的条件

图1所示的二极管检波器是无线电电子设备的基本电路之一,广泛用于检取调幅信号的包络.电路中,时间常数(τ=RC)的选择对检波器的质量影响很大,τ值过小将使检波效率下降,高频干扰增大.τ值过大,则因输出电压U_o跟不上调幅信号包络     

InP基HEMTs器件16参数小信号模型

针对InAlAs/InGaAs InP基 HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(Rgs)表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τds)描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(Cds)引起的相位变化,从而提高了S22参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,Rgs和τds的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.     

一种新的红外连续变焦系统无热化设计方法

针对红外连续变焦系统受温度影响导致变焦曲线变化、调焦补偿复杂等问题,分析了温度变化时系统各组件的相互关系,提出一种新的无热化方法,通过变倍组和补偿组的局部无热化设计,使系统仅通过变倍组和补偿组的线性平移就能对温度影响进行补偿,变焦曲线不需改变,降低了调焦机构的控制难度。采用该方法设计了12倍中波红外连续变焦系统,通过局部无热化设计,仅通过一组变焦曲线以及随温度的线性平移,实现在25~300 mm焦距范围、-45~50 ℃的全温度范围在30 lp/mm的MTF在0.3左右,接近衍射极限水平。具有连续变焦、高变倍比、变焦曲线无热化、分辨率高、结构简单、控制系统简化等优点。     

色关联噪声驱动的单模激光的强度涨落

采用线性化近似方法计算了关联噪声驱动的单模激光的强度涨落,发现激光强度涨落C(0)随衰减系数γ和泵噪声自关联时间τ1的变化曲线是单调减少的,随泵噪声强度Q的变化曲线中存在极小值,其大小和位置均受τ2和τ3的影响。     

高频脉冲激励下SSFLC灰度调制效应的动态研究

通过引入由液晶盒多层结构及驱动电路所导致的阻抗分配效应,将表面稳定型铁电液晶(SSFLC)等效电路模型拓展到对其V字型光电效应的研究当中,在随机高频脉冲(τ<,P>=25 μs)激励下成功地实现了灰度级输出.模拟结果表明,当激励脉冲幅度较小时,输出光透射率随着激励脉冲幅度的提高线性增加,当激励脉冲幅度较大时则透射率趋于...     

用MOS电容瞬态电流-电容法直接测定少数载流子的体产生寿命分布和表面产生速度

本文提出了一种灵敏方便的MOS电容瞬态电流-电容法,即I-C法,应用它可直接从MOS电容相关的瞬态电流I-t和瞬态电容C-t曲线方便地测定出耗尽层中少数载流子的体产生寿命分布τ_g(x_d)和表面产生速度S_g等参数.文中导出和分析了MOS结构较普遍的瞬态电荷、电流和电容方程,以及界面态密度N_(ss)(E_s)、寿命τ_g(x_d)和(τ|-)_g(x_d)、S_g的计算公式.从τ_g分布的测定结果可见,MOS结构中在约3μm宽的界面层内,从体内向界面τ_g明显下降.     

低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器

一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns.     

微加工硅表面基于AFM的纳米压痕测量与分析

原子力显微镜(AFM)在完成对单晶硅的微加工后,其金刚石针尖被用做一个纳米压痕头以实现微加工区域内外机械性质的测量与分析.结果表明,以安装有金刚石针尖的AFM在经过化学机械抛光的硅基片上所进行的微加工,即使使用极小的切削力也会在加工表面形成变质层,但是其厚度值要小于化学机械抛光的硅表面变质层.由AFM测量的纳米级硬度值要大于由传统的Vickers和Hysitron 硬度测试仪所测量的值.另外,随着AFM压入载荷的减小,纳米级硬度值呈现出增加的趋势,这是由于在很小的压入载荷下所呈现出的压痕尺寸效应所导致.     

集成运放负反馈电路输入输出电阻的求解

上海交大出版社出版的《集成运算放大器基本原理及应用》一书中,对图1所示同相放大器的输入输出电阻进行了分析。得到的结果为: R_(if)=(1+A_(od)F)r_i;R_(of)=r_o/(1+A_(od)F)和F=R_1/(R_1+R_2)式中A_(od)、r_i、r_o分别为集成运放的差模电压增益。输入和输出电阻。 笔者以为上述分析不十分确切,它只是在一定条件下     

InP基HEMTs器件16参数小信号模型（英文）

针对InAlAs/InGaAsInP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起的相位变化,从而提高了S_(22)参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,R_(gs)和τ_(ds)的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.     

AlGaAs/GaAs-MQW激光器光增益谱理论和实验

本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.根据该理论计算了AlGaAs/GaAs多量子阱激光器的线性偏振光增益及量子阱宽L_x、Al_xGa_(1-x)As势垒层x值和带内弛豫时间τ_(in)对TE增益的影响.实验测量了多量子阱激光器的偏振光增益谱.理论与实验进行了比较.     

激光分离铀同位素几个基本问题的初步研究与分析

本文对激光分离铀同位素分子体系(UF_6)的分离系数与产额,温度对UF_6红外吸收光谱结构的影响,建立流动低温装置的必要性与可能性,进行了研究与分析。文中以红外多光子诱导化学反应和红外双频多光子分解方法为对象,建立了分离系数与产额近似的理论公式,并作了详细的分析与讨论,指出:要获得高分离系数与高分离产额应当选择反应过程是非放热的;起始温度低于分子热激发至反应能级所需要的温度;反应特征时间τ_(re)应大于分子在激发态的寿命τ_(mn)和分子问的碰撞时间τ_(col),即τ_(re)■τ_(mn)■τ_(col);激发线宽要窄和同位素吸收光谱要分散开。在理想的情况下,分离系数等于两同位素吸收截面比。本文还研究了温度对UF_6分子振转光谱结构的影响。对不同温度下,UF_6分子振转光谱中P-R 支强峰间距离△ν_(P-R),进行了计算。指出当UF_6气体温度降到100°K 时,△ν_(P-R)值约为室     

半导体Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs DH激光器张弛振荡效应的实验研究

本文介绍了半导体DH激光器张弛振荡效应的测试原理与方法.重点测试了我所研制的质子轰击条形单模90-15~*DH激光器,测得其张弛振荡频率f_r从注入脉冲电流,I_p=1.5Ipth时的 800 MHz左右增至Ip=1.5I_(pth)时的2GHz左右;并对该器件的光子寿命τ_p和有源层腔内吸收损耗系数α_i做了计算和讨论.另外,还测试了多模激光器的张弛振荡效应,并分析了自发辐射、超辐射及直流预偏置对这些激光器张弛振荡的影响和抑制作用.     

对硅P-N结击穿电压蠕变时间特性理论的一个修正

近来,J.F.Verwey等首次提出了关于P-n结击穿电压蠕变的定量模型,从理论上计算出△V_(BV)(t)～t半对数曲线。和实验结果比较,在曲线的直线部分符合地较好,但对t值较大的一段曲线,理论和实验存在着很大的偏差。本文提出了雪崩击穿时,热载流子填充Si—SiO_2界面陷阱存在着饱和效应。考虑了此效应后的理论和实验结果符合地较好。