高钨含量铜钨触头材料裂纹机理探讨

本文基于力学及热学观点，从CuW触头生产工艺出发结合电弧对触头的侵蚀作用，分析了CuW触头材料袭纹形成机理及在后续燃弧过程中的扩展路径及相关行为，认为影响裂纹形成及扩展的主要因素为：（1）钨粉粒度及空间架构，（2）Cu/W之间的界面，（3）表面润湿性。     

低压电器电触头材料的电弧侵蚀

本文较详细地阐述了触头材料对电弧热流输入和力效应的响应,即物理化学过程。研究了ＡｇＮｉ系、ＡｇＷ系、ＡｇＣ系、ＡｇＭｅＯ系材料在电弧作用下的侵蚀机理。最后,分析了在电弧作用下银基触头材料的侵蚀模式。     

电弧作用下铜钨触头材料表面特征及失效机理

阐述了型式试验后铜钨触头材料表面特征,得出铜钨触头材料在电弧作用下产生龟裂纹、裂纹、铜液态孔的主要失效机理及原因,并提出增加触头寿命的措施。     

银基触头材料电弧侵蚀特性及裂纹形成机理分析

利用数字显示时间继电器、交流接触器、断路器以及电阻性负载设计了一个简易的触头材料实验电路。用该实验电路对五种银基触头材料AgCdO(12)，Ag(Sn，m)O，AgZnO(10)，AgNi(10)，AgC(5)根据不同的开断电流、开断次数、闭合压力和配对方式进行了电弧侵蚀实验。根据实验结果得到了一些有实际意义的电弧侵蚀特性曲线。然后根据不同的开断电流及闭合压力对裂纹形貌进行了分析研究。最后，基于数学分析给出了用于判定出现滑移裂纹和热应力裂纹的理论判据。     

真空开关触头电弧侵蚀率问题

本文论述真空开关触头的电弧侵蚀率。对于有人提出为何在不同条件下不同研究得得到的电弧侵蚀率数值竟相差一到几个数量级的问题进行了较为详细的分析，指出了选用电弧侵蚀率数据的正确思路和判断。     

减小触头（电极）电弧侵蚀的新途径

本文介绍了最近国外研究用横向电流引入法以改善触头燃弧过程中触头表层材料特性与微观结构,从而使触头电弧侵蚀率大幅度地减小。     

铜钨触头材料电弧侵蚀表面形貌分析

用扫描电镜和x射线能谱仪观察了大电流电弧侵蚀后的铜钨触头表面,分析了触头的电弧侵蚀形貌特征及其形成原因。并探讨了钨粉粒度对铜钨触头电弧侵蚀的影响。     

AgMeO材料触头的电弧侵蚀形貌特征

在CKS-1．4kA触头材料自动测试仪上在几百安以下电流对AgMeO材料触头进行了大量分断电流试验，用SEM扫描电镜和光学金相显微镜进行了一系列微观测试拍照，EDAX能谱仪和x射线衍射分析了表面及剖面的元素成分分布，归纳出AgMeO触头材料的五种侵蚀形貌特征，分析了它们对触头工作性能的影响。     

50／400Hz频率下银金属氧化物触头材料电弧侵蚀研究

利用电光分析天平、扫描电镜与能谱仪，测量并分析了CAgCdO与AgSnO2 In2O，触头材料在交流50／400Hz和小电流通断试验的重量、表面形貌及组分的变化，探讨了两种频率下AgMeO触头侵蚀机理。结论指出，在设计时可适当减少中频开关电器体积。     

化学包覆法AgNi（10）触头材料的电弧侵蚀特性

用化学镀的方法在Ni粉末表面镀一层Ag,制备AgNi（10）电触头材料,探讨了Ag、Ni的界面对AgNi（10）触头材料的电弧侵蚀影响。结果表明,材料的抗电弧侵蚀能力明显提高。     

银基触头分断电弧侵蚀及其表面形貌特征的研究

本文研究了五种银触头的分断电弧侵蚀特性及侵蚀表面形貌特征，分析得到五种银基触头的适用电流范围，对银基触头电弧侵蚀表面形貌特征作了归类，并对ＡｇＷＣ１２Ｃ３触头的表面形貌特征及其在电弧作用上发生的物理化学变化进行了一些分析。     

银金属氧化物(AgMeO)触头电弧侵蚀特性研究

对ＡｇＣｄＯ触头材料及具有不同添加剂的ＡｇＳｎＯ＿２触头材料（ＡｇＳｎＯ＿２Ｉｎ＿２Ｏ＿３、ＡｇＳｎＯ＿２Ｂｉ＿２Ｏ＿３、ＡｇＳｎＯ＿２ＷＯ＿３）进行了大量分断电弧侵蚀试验和微观分析；比较研究了不同的第二相金属氧化物对触头材料电弧侵蚀机理的影响；分析了微量添加剂对电弧侵蚀特性和表面形貌特征的作用；最后，基于触头材料中气体相反晶间侵蚀作用，探讨了触头基体微裂纹形成与扩展机理。     

关于电弧熔炼法制造铜铬系真空触头材料的几个问题

本文从铜铬二元相图着手,对电弧熔炼法制造铜铬系真空触头的材料的可操作性,应满足的设备条件及相关工艺参数的确定做了简要概述,旨在推动技术在国内的早日应用。     

电弧重熔法制造铜铬合金触头材料

本文首先分析了ＣｕＣｒ触头材料的结构特点，详细评述了目前制备ＣｕＣｒ触头材料的常用方法，然后介绍了电弧重熔法的设备组成和工艺特点。初步的试验结果表明，电弧重熔法工艺较简单，成本较低，可以获得比传统的粉末冶金法更为细密的组织结构。     

50Hz和400Hz低压阻性小电流电弧对AgMeO触头电弧侵蚀的研究

利用电光分析天平、扫描电镜与能谱仪测量与分析了CAgCdO与AgSnO2In2O3触头材料在低压交流50Hz和400Hz、纯阻性、小电流通断试验的表面形貌与组份,探讨了50Hz和400Hz下AgMeO触头材料电弧侵蚀机理.     

钨粉粒度及组成对铜钨触头抗电弧烧蚀性能的影响

铜钨合金是高压开关电器中的重要触头材料,铜钨触头的抗电弧烧蚀性能是衡量触头优劣的重要指标。本文采用熔渗法制备了三组铜钨合金,研究了钨粉粒度及组成对合金金相组织、力学物理性能及抗电弧烧蚀性能的影响,分析了影响铜钨触头抗电弧烧损性能的原因。     

铜钨系触头材料生产中常见缺陷及其消除办法

阐述了ＣｕＷ系触头材料制备过程中容易产生的缺陷，对每一种缺陷产生的原因进行了详细的分析，并提出了相应的控制方法。实践表明，只要严格控制工艺参数，按照工艺流程操作，完全可以避免缺陷的产生，生产出性能优良的触头材料。