声表面波器件小型化技术发展概述

以EPCOS生产的声表面波(SAW)芯片级封装和晶圆级封装为例,介绍了声表面波器件小型化发展的趋势.着重介绍了声表器件芯片级封装技术发展的各个阶段器件的结构特点.详述采用倒装、贴膜和晶圆键合技术将声表面波器件的尺寸减至最小及后续声表面波器件组件化封装的趋势.     

适用于大批量晶圆和基底凸起工艺的焊球置放及印刷和回流焊技术

1前言 市场对于芯片级封装(CSP)的需求正在迅速增长,CSP封装是指封装器件的尺寸最多比芯片本身的尺寸大20%.晶圆级CSP是最普遍的芯片级封装形式之一,其焊料凸起或焊球直接沉积在硅晶的电阻接点上.     

安捷伦推出可集成到GSMRF模块的滤波器

安捷伦推出业界尺寸最小的滤波器，适合集成到GSMRF前端模块中。FBAR滤波器作用安捷伦的Microcap连接晶圆芯片级技术，可实现尺寸最小的RF滤波器。该公司的Microcap封装技术可以生产微型芯片级FBAR滤波器，温度系数低，占位面积小，其厚度特别适合模块集成。Microcap芯片级FBAR滤波器向模块制造商以样品数量供货，批量生产将于2004年第三季度开始。     

用于先进PCB制造工艺的叠层封装

在20世纪90年代,球栅阵列封装(BGA)和芯片尺寸封装(CSP)在封装材料和加工工艺方面达到了极限。这2种技术如同20世纪80年代的表面安装器件(SMD)和70年代通孔安装器件(THD)一样,在电学、机械、热性能、尺寸、质量和可靠性方面达到最大值。目前,三维封装正在成为用于未来采用的先进印制板(PCB)制造工艺的下一个阶段。它们可以分为圆片级封装、芯片级封装、和封装面。叠层封装(PoP)是一种封装面叠层封装类型的三维封装技术[15]。     

MEMS中的封装技术研究

MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性，因此，早期MEMS的封装大多借用半导体中现成的工艺。本文首先介绍了封装的主要形式，然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装。最后给出了一些商业化的实例。     

最低功耗微控制器采用微型封装

正TI基于FRAM的MSP430 MCU发挥WLCSP封装尺寸优势,帮助优化板级空间,缩小产品尺寸,节省电源。德州仪器(TI)推出几个采用微型封装尺寸的最新超低功耗MSP430微控制器(MCU)系列,帮助开发人员节省宝贵的板级空间。除了5个提供微型封装选项的现有MSP430 MCU系列之外,TI基于FRAM的超低功耗MSP430FR5738以及基于闪存的MSP430F51x2MCU采用小至2.0x2.2x0.3毫米的晶圆芯片级封装     

MEMS中的封装技术研究

MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性 ,因此 ,早期MEMS的封装大多借用半导体中现成的工艺。本文首先介绍了封装的主要形式 ,然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装[1] 。最后给出了一些商业化的实例     

能满足更小尺寸需求的制程技术

随着便携式电子产品变得越来越小、越来越轻薄,制程技术也不断创新.本文将介绍的用于智能卡的FCOS封装、VIP50工艺和芯片级封装（CSP）不但满足了更小的元器件尺寸需求,而且能够实现更好的产品性能.     

最新300mm晶圆锡铅凸点生产线

先进封装半导体设备联合体(SECAP)是在2001年成立的IC封装设备制造业商会，宗旨定为：对倒装芯片和晶圆级封装业提供最佳的制程设备和有关技术专利。     

MEMS中的封装技术研究

MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性,因此,早期MEMS的封装大多借用半导体中现成的工艺.本文首先介绍了封装的主要形式,然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装[1].最后给出了一些商业化的实例.     

8～12英寸先进封装技术专用匀胶设备

沈阳芯源微电子设备有限公司研制的8～12英寸先进封装技术专用匀胶设备获得“2007年中国半导体创新产品和技术”奖,其中12英寸（×300mm）晶圆先进封装设备,于2007年7月在我国五大先进封装测试厂之一的江阴长电先进封装有限公司通过严格的工艺检测验收,成功投入生产使用：实现了国产首台IC装备在晶圆尺寸和新工艺应用上的重大突破。     

晶圆级CSP组装及其可靠性

CSP(芯片级封装)技术推动着封装和印制电路板向更小型化方向发展。晶圆级CSP是指将带有再分布薄膜层的硅片与标准表面装贴线相连。这种封装小而轻，适用于I／0脚数量在4到200之间的精细线条贴装。     

Tessera为便携式产品的相机模块注入新动力

Tessera成立于1990年,最初是一家半导体封装制造商。由于意识到其核心价值应该体现在开发创新的封装技术,于是便转而开展封装解决方案的许可。在2005年,Tessera投资开发了面向图像传感器的晶圆级芯片级封装解决方案,极大扩充了自身的CSP专业知识。在最近4年中,     

电子元器件封装技术发展趋势

晶圆级封装、多芯片封装、系统封装和三维叠层封装是近几年来迅速发展的新型封装方式,在推动更高性能、更低功耗、更低成本和更小形状因子的产品上,先进封装技术发挥着至关重要的作用。晶圆级芯片尺寸封装(WCSP)应用范围在不断扩展,无源器件、分立器件、RF和存储器的比例不断提高。随着芯片尺寸和引脚数目的增加,板级可靠性成为一大挑战。系统封装(SIP)已经开始集成MEMS器件、逻辑电路和特定应用电路。使用TSV的三维封装技术可以为MEMS器件与其他芯片的叠层提供解决方案。     

九十年代电子封装技术展望

高度发达的信息社会急需先进的电子封装技术，本文概述了电子封装技术的现状和发展趋势。从芯片级封装、一级封装、封装和基板的连接以及二级封装几个方面重点介绍了封装中的先进技术。     

"魔法"激光划片-MAHOH

划片工艺概述划片工艺隶属于晶圆加工的封装部分,它不仅仅是芯片封装的核心关键工序之一,而且是从圆片级的加工(即加工工艺针对整片晶圆,晶圆整片被同时加工)过渡为芯片级加工(即加工工艺针对单个芯片)的地标性工序。从功能上来看,划片工艺通过切割圆片上预留的切割划道(street),将众多的芯片相互分离开,为后续正式的芯片封装做好最后一道准备。划片工艺的发展历程在最早期,人们通过划片机(Scriber)来进行芯片的切割分离,其过程类似于今天的手工划玻璃,用金刚刀在被切割晶圆的表面刻上一道划痕,然后再通过裂片工艺使晶圆沿划痕分割成单个芯…     

挠性基板的芯片级封装技术

挠性印制电路(FPC)在IC封装中的应用,推进了电子产品小型化、轻量化、高性能化的进程,同时也推动了FPC向高密度方向发展。本文概述了基于挠性印制电路的芯片级封装技术,包括平面封装和三维封装技术,以及芯片级封装技术的发展对挠性载板的影响。     

超越BGA封装技术

简要介绍了芯片级封装技术诸如芯片规模封装(CSP)、微型SMT封装(MSMT)、迷你型球栅阵列封装(miniBGA)、超级型球栅阵列封装(SuperBGA)和mBGA封装。     

3-D封装时代拉开帷幕

正如Joseph Fjelstad（SiliconPipe的创始人和CEO）在SEMICON West 2007所做的一个关于先进封装的报告中所指出的，在电子封装发展史上有着三个显著的时期（图）。这些时期包括通孔、表面组装和芯片级封装。我们目前的许多技术仍处于芯片级时代，但是封装领域的新纪元将是3-D技术——虽然它几年前才刚刚开始。     

Infineon与日月光推更高集成度半导体封装

英飞凌科技和日月光近日宣布，双方将合作推出更高集成度半导体封装，可容纳几乎无穷尽的连接元件。与传统封装（导线架层压）相比，这种新型封装的尺寸要小30％。英飞凌通过全新嵌入式WLB技术（eWLB）成功地将晶圆级球阵列封装（WLB）工艺的优越性进行了进一步拓展。与WLB一样，所有操作都是在晶圆级别上并行进行，标志着晶圆上所有芯片可以同时进行处理。