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采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1 h.生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.光电子能谱(XPS)分析显示,退火后ZnO薄膜从富Zn生长变为富O生长.在样品的室温PL 谱中,观察到未退火样品的紫外发射峰的中心为3.28 eV,并观察到退火样品位于3.30 eV的自由激子发射峰和位于3.23 eV的施主-受主对的复合发光峰.实验结果表明,退火后ZnO薄膜的晶体质量得到提高. 相似文献
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采用电子束蒸发技术在TiO2缓冲层上沉积了ZnO薄膜,研究了不同的退火温度对薄膜晶化质量及发光性质的影响.利用X射线衍射仪和扫描探针显微镜分析了薄膜样品的结构性质,利用荧光光谱仪研究了薄膜样品的光致发光性质.分析结果表明,退火处理后的ZnO薄膜都沿c轴择优牛长.在600℃下退火的样品具有最强的(002)衍射峰、最强的紫外发射和最弱的可见光发射,其晶粒大小均匀.紧密堆积.而对于在500和700℃下退火的样品,其可见光发射较强.这表明在600℃下退火的样品具有最好的晶化质量. 相似文献
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退火温度对生长在TiO2缓冲层上的ZnO薄膜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用电子束蒸发技术在TiO2缓冲层上沉积了ZnO薄膜,研究了不同的退火温度对薄膜晶化质量及发光性质的影响. 利用X射线衍射仪和扫描探针显微镜分析了薄膜样品的结构性质,利用荧光光谱仪研究了薄膜样品的光致发光性质. 分析结果表明,退火处理后的ZnO薄膜都沿c轴择优生长. 在600℃下退火的样品具有最强的(002)衍射峰、最强的紫外发射和最弱的可见光发射,其晶粒大小均匀,紧密堆积. 而对于在500和700℃下退火的样品,其可见光发射较强. 这表明在600℃下退火的样品具有最好的晶化质量. 相似文献
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采用射频磁控溅射法制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究了真空退火对其组织结构和光电性能的影响规律.结果表明,所制备的ZAO薄膜厚度均匀、组织致密,具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构,400℃真空退火后,薄膜晶粒粗大,(002)晶面择优取向性进一步加强.延长退火时间对薄膜的相结构、组织形貌及晶粒大小没有明显的影响.随着退火时间的增加,薄膜的电阻率呈降低趋势,退火3 h时电阻率最低,为2.25×10-3Ω·cm,但长时间退火,电阻率变化不大.薄膜样品的透光率随真空退火时间的延长先降低,后升高,再降低;样品在真空退火4 h时对可见光的平均透过率最佳,在80%以上.退火后,ZAO薄膜的吸收边发生了蓝移现象,光学禁带宽度增大. 相似文献
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采用常压金属有机物化学气相淀积法在(0001)Al2O3衬底上生长出高质量ZnO单晶膜,在空气中进行了710~860℃不同温度的退火处理.用X射线双晶衍射、光致发光法研究了退火温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.ZnO(002)面X射线双晶ω扫描曲线的半高宽(FWHM) 随退火温度的升高变小,770℃后基本保持不变,ZnO(102)面双晶ω扫描曲线的FWHM一直变小.770℃退火后ZnO样品X射线ω-2θ扫描曲线中出现ZnO2(200)衍射峰.同时,光致发光测试表明,随着退火温度升高,带边发光强度减弱,与深能级有关的绿带发光出现并逐渐增强.通过ICP刻蚀,去除退火后样品的表面层,ω-2θ扫描曲线中ZnO2(200)衍射峰和PL谱中绿带发光均消失,表明ZnO2相和深能级缺陷在样品表面. 相似文献
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主要研究掺镉ZnO薄膜的光学禁带。采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)旋转涂覆法,在Si(100)上生长掺镉ZnO薄膜,对薄膜的XRD分析表明,掺镉ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,并沿c轴择优取向生长。通过实验优化出本工艺条件下的较佳参数:退火温度为800℃,x(Cd)=6%~8%;以普通玻璃为基片的透射光谱表明掺镉ZnO薄膜的禁带宽度约为3.22 eV,比纯ZnO晶体禁带宽度3.30 eV明显减小,适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。 相似文献
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以阳离子表面活性剂——十六烷三甲基氯化铵(CTAC)作为添加剂,采用电沉积法在氧化铟锡玻璃基板上制备了ZnO薄膜。并研究了CTAC含量对阴极电流密度、结构、表面形貌、化学态和光学性能的影响。实验发现阴极电流密度和(002)择优取向随CTAC含量的增加而增加。电沉积氧化锌薄膜的表面形貌随CTAC含量的增加由小晶粒变为纳米棒,这表明CTAC在控制表面形貌方面有很重要的作用。X-射线光电子能谱表明Zn2p3/2,Zn2p1/2,O1s的峰位分别为1020.78eV、1046.88eV和530.8eV。CTAC对电沉积的影响可能是由于CTAC的吸附作用改变了不同晶面的表面能和生长动力学。此外,研究了ZnO薄膜的光学性能,结果表明当CTAC含量为3.0mmol/L时,薄膜具有较好的透光性和紫外发射性能。添加不同含量CTAC的ZnO薄膜禁带宽度介于3.27~3.52eV。 相似文献
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PLD法制备ZnO薄膜的退火特性和蓝光机制研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过脉冲激光沉积(PLD)方法,在O2中和100~500℃衬底温度下,用粉末靶在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜,在300℃温度下生长的薄膜在400~800℃温度和N2氛围中进行了退火处理,用X射线衍射(XRD)谱、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱表征薄膜的结构和光学特性。XRD谱显示,在生长温度300℃时获得较好的复晶薄膜,在退火温度700℃时获得最好的六方结构的结晶薄膜;AFM显示,在此退火条件下,薄膜表面平整、晶粒均匀;PL谱结果显示,在700℃退火时有最好的光学特性。 相似文献
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The feasibility of a new fabrication route for N and Ga codoped p-type ZnO thin films on glass substrates, consisting of DC sputtering deposition of Zn3N2:Ga precursors followed by in situ oxidation in high purity oxygen, has been studied. The effects of oxidation temperature on the structural, optical and electrical properties of the samples were investigated by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), optical transmittance and Hall effect measurements. The results were compared to a control film without Ga. XRD analyses revealed that the Zn3N2 films entirely transformed into ZnO films after annealing Zn3N2 films in oxygen over 500 ℃ for 2 h. Hall effect measurements confirmed p-type conduction in N and Ga codoped ZnO films with a low resistivity of 19.8 Ω·cm, a high hole concentration of 4.6 × 1018 cm-3 and a Hall mobility of 0.7 cm2/(V·s). These results demonstrate a promising approach to fabricate low resistivity p-type ZnO with high hole concentration. 相似文献
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M. Lorenz E. M. Kaidashev H. von Wenckstern V. Riede C. Bundesmann D. Spemann G. Benndorf H. Hochmuth A. Rahm H. -C. Semmelhack M. Grundmann 《Solid-state electronics》2003,47(12):2205
A consistent set of epitaxial, n-type conducting ZnO thin films, nominally undoped, doped with Ga or Al, or alloyed with Mg or Cd, was grown by pulsed laser deposition (PLD) on single-crystalline c-plane sapphire (0 0 0 1) substrates, and characterized by Hall measurement, and UV/VIS optical transmission spectroscopy.The optical band gap of undoped ZnO films at nearly 3.28 eV was shifted by alloying with Mg up to 4.5 eV and by alloying with Cd down to 3.18 eV, dependent on the alloy composition. In addition, highly doped ZnO:Al films show a blue-shifted optical absorption edge due to filling of electronic states in the conduction band.The Hall transport data of the PLD (Mg,Zn,Cd)O:(Ga,Al) thin films span a carrier concentration range of six orders of magnitude from 3 × 1014 to 3 × 1020 cm−3, which corresponds to a resistivity from 5 × 10−4 to 3 × 103 Ω cm. Structurally optimized, nominally undoped ZnO films grown with ZnO nucleation and top layer reached an electron mobility of 155 cm2/V s (300 K), which is among the largest values reported for heteroepitaxial ZnO thin films so far.Finally, we succeeded in combining the low resistivity of ZnO:Ga and the band gap shift of MgZnO in MgZnO:Ga thin films. This results demonstrate the unique tunability of the optical and electrical properties of the ZnO-based wide-band gap material for future electronic devices. 相似文献