砷化镓场效应晶体管振荡器

本文简要的综述了砷化镓场效应晶体管(以下简写GaAsFET)振荡器的发展近况.介绍了CaAsFET振荡器的基本电路,介质高稳定GaAsFET振荡器以及电调宽频带GaAsFET振荡器.最后与体效应及双极晶体管振荡器进行了比较,从而肯定了GaAsFET振荡器的广阔使用前景.     

C频段内匹配砷化镓功率场效应晶体管

采用离子注入、多层欧姆接触金属结构、干法刻蚀、г形栅、空气桥、通孔接地和电镀热沉等先进技术，在直径５０ｍｍＧａＡｓ片上制作了总栅宽为９．６ｍｍ的功率场效应晶体管芯片。用４枚这种芯片并联，在其输入端和输出端分别加入内匹配电路，制成了Ｃ频段内匹配功率场效应晶体管。在大于５００ＭＨｚ的带宽内，１ｄＢ增益压缩输出功率达１８Ｗ，１ｄＢ压缩增益为８．３ｄＢ，功率附加效率达３０％。     

Q波段砷化镓场效应晶体管放大器和振荡器

在12～20千兆赫的频率范围内研究了肖特基势垒栅砷化镓场效应晶体管。最大有用功率增益的测量表明,在这个范围内,器件具有比预期更高的增益。用带线技术制成了输出功率为4毫瓦的17千兆赫振荡器和功率增益为16分贝的四级14.9千兆赫放大器。     

高可靠砷化镓功率场效应晶体管系列

高可靠砷化镓功率场效应晶体管系列南京电子器件研究所已研制出适用于卫星通信及微波系统的高可靠砷化镓功率场效应晶体管系列。它采用器件标准设计、全离子注入、干法刻蚀等高可靠５０ｍｍＧａＡｓ工艺技术，具有参数均匀、成品率高、一致性好等特点。器件在８ＧＨＺ下测...     

大功率砷化镓场效应晶体管

具有和真空管同样性能的固体放大器件的设想已在三十年代就提出来,1948年发明点接触型双极晶体管的巴丁、布拉吞、肖克莱等人最初也是把实现目前的场效应晶体管作为努力的目标,这已是众所周知的历史事实。此后,双极晶体管取得了惊人的进步,而与此相反,场效应管却处于停滞状态。从双极晶体管的飞速发展情况看来,继锗晶体管之后的硅晶体管难道不是完全取代小信号放大用以至于高频大功率用的真空管吗?实践回答,否!在包括硅晶体管在内的半导体放大器件前进道路上出现了强大的竞     

微波频段上的砷化镓场效应晶体管(下)

特宽带砷化镓场效应晶体管放大器在双极型晶体三极管中运用负反馈实现宽频带的方法,在场效应晶体管放大器扩展频带的设计中也用。这种负反馈方法改善了驻波比,保证了增益特性曲线的平坦,也扩大了动态范围。另外一种宽带方法是平衡型放大器,它可获得良好的驻波性能。专门运用在频率比较高、带宽从1个倍频程至几个倍频程的情况。     

微波频段上的砷化镓场效应晶体管(上)

序言微波通信、雷达、电子对抗、卫星地面站等正在实现固体化。就同体化而言,已经有一段漫长的历程了,最先是从接收机的固体化开始,然后又发展到发射机的固体化。在七十年代初,陆续地出现了雪崩二极管和甘氏二极管的放大器,并使之用于微波通信成为一种典型的固体化器件。     

C波段4W砷化镓功率场效应晶体管

介绍了Ｃ波段４Ｗ砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些新工艺，给出器件性能。在５．３ＧＨＺ下，器件１ｄＢ压缩点的输出功率≥４Ｗ，增益为６．５～７．５ｄＢ，功率附加效率≥３５％。这种ＦＥＴ的多芯片运用具有优良的功率合成效率。     

砷化镓场效应晶体管的高增益光探测

本文探讨了砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)对于一定频率的调制光强信号的响应。在光通讯所需的频率上能够获得高的交流响应度:对100兆赫可以达到大于6安/瓦,等效噪声功率小于1012瓦/赫兹1/2。频率响应的斜率取决于光偏置功率——一种被认为是俘获所引起的效应。GaAs FET光探测器在低的偏置电压下具有高的响应度,从而可以弥补光通讯中现用的PIN和雪崩光电二极管光探测器的性能之不足。     

砷化镓场效应晶体管及其应用

自1966年 C·A·Mead 提出肖特基势垒栅砷化镓场效应晶体管(以下称为 GaAsMES-FET)以来,经过精心的研究,其性能已有显著地改进,特别是近年来,随着以通信卫星为主的通信系统的进展,迫切地希望低噪声器件在 S～X 波段上的实用化。然而,过去这多半还是靠参量二极管、变容二极管以及双极晶体管来实现的。其主要原因则是GaAsMESFET 研制时间不长,缺乏关于其应用电路技术和器件可靠性等方面的经验。然而,随着这些问题的逐步明确,预期这种 GaAsMESFET 将在今后各个领域内得到广泛应用。本文将以1微米栅的 GaAsMESFET 为主,叙述 MESFET 的应用。     

X 波段砷化镓场效应晶体管

做出了10千兆赫微波频率下低噪声放大砷化镓场效应晶体管,使固体放大器频率范围比使用硅晶体管提高2～3倍。GaAs FET 最高振荡频率达30千兆赫,8千兆赫和16千兆赫下测得的功率增益分别为8分贝和3分贝,见图1。4千兆赫下噪声3分贝,低于迄今为止报导的晶体管噪声水平。此外,场效应晶体管噪声随频率的变化较小,8千兆赫下仅为5分贝,见图2。器件制于半绝缘 GaAs 衬底上的10~(17)厘米~(-3)掺硫外延薄膜上。外延层必须很薄(约0.3     

双栅砷化镓场效应晶体管

本文首先简要地介绍了国外双栅砷化镓场效应晶体管的发展情况,接着比较了单栅与双栅砷化嫁场效应晶体管的直流与微波性能,最后着重介绍了双栅器件的电路应用。     

高稳定微波晶体管振荡器

近年来,用微波晶体管作为直接放大或直接振荡元件的全晶体管化无线电中继通信机正步入实用阶段。高稳定晶体管振荡器与过去速调管振荡器相比,具有低功率损耗、可靠性高、小型和轻便等优点。通常,晶体管振荡器的缺点是相对于温度、偏压和负载阻抗的变化,振荡频率变化大、噪声也大,它不能用来作为无线电中继通信机的本振。那么用什么方法才能获得稳定?最筒单又经济的方法是通过高Q谐振腔使其稳定的方法。在这种方法中,改变谐振腔的耦合形式,就可构成各种特性的振荡器。这里所谈的高稳定晶体管振荡器,是将上面的考虑方法具体化了,用科耳皮兹振荡电路,能振荡于2GHz波段,是在基极回路上加入通过形高Q谐振腔来获得稳定。     

微波功率砷化镓场效应晶体管

本文介绍 X 波段 GaAs 功率 FET 的设计考虑、工艺特点和电特性。采用53条梳状源、52条漏和1条连接104条平行的肖特基栅的复盖栅来实现栅长1.5微米、栅宽5200微米的 FFT。研究成功了一种面接地技术,以便把共源引线电感减到最小(L_s=50微微法)。研制出的器件在10千兆赫下给出0.7瓦,8千兆赫下给出1.6瓦的饱和输出功率。在6千兆赫下,1分贝增益压缩时,线性增益为7分贝,输出功率为0.85瓦,并得到30%的功率附加效率。在6.2千兆赫下,三次互调制分量的截距为37.5分明亳瓦。     

中功率砷化镓场效应晶体管

据报导,美国无线电公司采用一层掺铬的高阻砷化镓外延缓冲层作为器件有源区与单晶衬底之间的本体生长衬底之间的隔离,制出了一种革新的中功率砷化镓场效应晶体管(肖特基场效应晶体管)。据称,一个单元的器件在9千兆赫下以1分贝增益压缩,得到了高达300毫瓦的输出功率,5.2分贝的线性增益以及30％的漏极效率。三个单元的器件,在4千兆赫下以1分贝的增益压缩,实现了665毫瓦的输出功率,8分贝的线性     

高性能的砷化镓场效应晶体管

瑞士朱利克研究实验室研制成一种新型的场效应晶体管,其噪声-增益性能优于任何双极或场效应晶体管的性能。在6千兆赫下,其噪声为5.8分贝,有用增益为8.5分贝。据称,与硅器件比较,在该器件中须考虑一个附加的噪声源——谷间散射噪声。如果载流子从中心能谷散射到迁移率大大减小的子能谷时,就产生这种噪声。     

S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能

对WC76型S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能作了介绍。文中给出了测试振荡器的设计。测试结果表明,WC76型振荡管在s频段的微波性能良好,振荡频率在3GHz左右时,输出功率可达3.5w,直流—射频转换效率可达44％,而且在2～4GHz的整个S频段均能满意地工作。     

离子注入的砷化镓微波场效应晶体管

用硫离子直接注入掺铬半绝缘衬底作成沟道区,制成了砷化镓微波场效应晶体管,这样就避免了生长外延层。这一离子注入法已用于制作0.25微米厚、厚度及载流子浓度均匀的n型层,对不同的样品载流子迁移率在2410～3620厘米2/伏·秒范围。由于均匀性好,用此注入层制作的场效应晶体管同一个片子上各个管芯的跨导和夹断电压重复性好,其偏差不超过±10％。通常,掺铬的砷化镓满足于制作场效应晶体管,然而为了获得最高的迁移率希望铬的补偿最小。表征微波特性的S参数测量推算出f_(max)=20千兆赫,然而因阻抗失配和管壳参量的影响,传输增益大约在7千兆赫截止。