GaN HEMT器件热特性的电学测试法

基于JEDEC颁布的结到壳热阻瞬态热测试界面法,对测试GaN HEMT器件热特性的电学法进行了研究.通过合理的测试电路设计,有效解决了GaN HEMT器件电学法测试中的栅极保护问题和自激问题,实现了GaN HEMT器件的界面热阻测量.根据测得的热阻-热容结构函数曲线可知,GaN HEMT器件结到壳热阻主要由金锡焊接工艺和管壳热特性决定.结合结构函数分析,对金锡焊接部分热阻和管壳热阻进行排序可剔除有工艺缺陷的器件.与红外热成像法的结温测试结果进行对比分析,证实了电学法测试结果的准确性.     

基于电学法的GaN功率器件热阻测试研究

针对功率器件的热阻测试需求,开展了基于电学法的Ga N器件热阻测试方法研究。分别采用Vgs和Vds温敏参数进行电学法测试对比,分析了其温敏特性差异、测试电流、及加热电流对热阻测试结果的影响,通过集成电学法与红外法测试系统对热阻测试结果进行了对比,验证了两种测试结果的可信性。测试结果表明,Vgs和Vds呈现不同趋势的线性温度特性,电压Vds对于温度的响应显著低于Vgs,且热敏参数的选择是影响Ga N功率器件热阻测试结果的主要原因。     

器件热阻随测试结温变化规律研究

为探究半导体分立器件电学法热阻测试时器件结温与热阻的变化规律,开展了基于热阻测试实验分析。详细介绍了热阻测试程序和典型热阻测试电路,并对4款典型VDMOS器件开展热阻测试,结合器件结构特性、热响应曲线和微观导热理论中声子导热系数与温度关系,研究获得器件热阻与结温的变化规律。通过热阻与结温的正相关性规律,有效提升器件在老炼和实际工况下结温计算的准确性。     

功率VDMOS稳态热阻测试的关键影响因素

热阻值是衡量功率VDMOS器件热性能优劣的重要参数,但在实际的热阻测试过程中,诸如测试电流、延迟时间、壳温控制等因素都会对测试结果造成直接的影响。因此,测试时应当深入理解和分析各种影响因素,依据严格的测试标准灵活的使用测试设备,以达到较高的测试精度和重复性。按照稳态热阻测试的步骤,详细论述了影响其测试结果的关键因素,并提出较为准确的修正方法,设计了针对性试验对其进行了验证。试验表明,该测试方法实现了较为精确的稳态热阻测量,可为功率VDMOS热阻测试标准的制定提供参考和借鉴。     

基于电学法的达林顿管稳态热阻测量方法研究

热阻是功率器件一个重要的热性能参数,影响着结温的高低,同时也用于确定器件结温以及功率器件的安全工作温度范围。每只器件热阻值由于工艺问题有一定偏差,由产品手册无法获得精确热阻值。从电学法测量结温原理出发,以达林顿管BDW47G为试验对象,测量并计算得到其温度系数M=-1.835 8 mV/℃。设计测量电路,并对测量中延迟时间造成的误差进行分析修正,得到达林顿管延迟时间为零时精确结温,最终获得达林顿管稳态热阻的测量计算方法。该方法有助于获得器件关键热性能参数,有助于老炼试验等对结温有要求的试验获得精确结温。     

GaAs MESFET沟道温度电学法测量的理论分析

1 引言 随着功率GaAs MESFET广泛的应用,它的热可靠性越来越引起人们的极大关注。用器件本身电学参数随温度的变化测量器件的沟道温度—电学法测试,能够非破坏性地快速测量封装后的成品管的沟道温度和热阻。并由此对GaAs MESFET进行考核和筛选,是当今快速筛选和考核的重要方法。 电学法测量出的温度普遍认为是器件有源区上的平均温度,但是这种温度与其器件芯片中的各种温度如最高温度、统计平均温度及芯片表面温度分布的关系如何,还未有过详细的研究。本文将对电学法测得的温度通过建立热模型进行模拟,找出电学平均温度的物理意义以及与其芯片中的各种温度的     

90 nm PDSOI MOSFET 热阻研究

对90 nm PDSOI MOSFET的热阻进行了提取与研究.以H型栅MOSFET为研究对象,将源体二极管作为温度敏感器,通过测量源体结电流与器件温度的关系以及源体结电流与器件功率的关系,获得MOS器件功率与器件温度的关系,从而获取MOS器件热阻值.实验结果表明,该工艺下PMOS器件的热阻比NMOS器件大,其原因是PM...     

半导体器件热特性的电学法测量与分析

利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具．本文利用电学法测量了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在等功率下,加热响应曲线随电压的变化,并通过红外热像仪测量其温度分布,结果表明电学法测得的平均温度与温度分布有很大关系．理论计算也表明了这一点．在等功率条件下,电学平均温度随着温度分布趋于均匀而减少．该方法可用来判断器件的热不均匀性．     

微波脉冲功率器件瞬态热阻测试研究

介绍了功率器件装配过程中控制芯片烧结工艺参数的重要性,用显微红外热像仪测试了器件烧结工艺参数优化前后的微波瞬态热像,由热像测试数据计算出器件的热阻,并对器件的热阻值进行了比较,结果表明,通过烧结工艺参数优化,可以将器件热阻降低约20%。     

双极晶体管△Vbe瞬态热阻测试法精度修正

对双极型晶体管△VBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析,提出了提高测试精度的误差修正方法.以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究,结果表明:晶体管瞬态热阻△VBE修正测试方法与红外扫描热像法和标准电学法相比较在保持较高测量精度的前提下,测试成本低,测量效率高.     

浅析集成测试和系统测试的关系

软件测试过程划分为单元测试、集成测试、确认测试、系统测试、验收测试五个阶段,其中集成测试和系统测试是对整个系统或者子系统的功能等特征进行的测试,所采用的测试方法相对复杂,文本分析了它们之间的联系和区别.     

现场总线的互操作性测试技术

对三种现场总线（FFHI，PROFIBUS DP和DeviceNet）的互操作性测试技术（包括测试结构、测试案例、测试方法等）作了分析，指出了它们的不足之处，将针对这些不足，提出了一些解决思路。     

融合探索性与脚本方法的第三方软件测试模型及其应用

随着用户对软件质量关注程度的提升,第三方软件测试受到普遍重视,但实际中经常会遇到既要求测试活动有效开展,又留给第三方测试活动时间较短,而且提供的开发文档不全面等问题。运用探索性测试方法能够发挥其快速、灵活的优势,能较好地解决这些困难。但同时,探索性测试也存在着文档不足且测试充分度不易度量等问题;而良好的测试质量管理和完备的文档则是传统脚本测试的优势。针对这些特点,文章提出“脚本一会话测试模型”,将探索性测试与经典脚本测试结合,同时扩展基于会话测试管理模式。通过测试某企业信息系统IT事件管理软件,验证该测试模型在B／S架构软件第三方测试中的适用性。     

软件测试关键技术的研究与应用

本文简要描述了开展软件技术研究的背景,介绍了软件测试的概念和分类,重点对静态测试技术和动态测试技术进行了详细的论述,对开展软件测试工作具有一定的指导意义。     

手机软件自动化测试的接口方式

介绍了手机软件自动化测试的三种接口方式,分析并比较了这三种接口方式的优缺点,对如何使用三种接口方式搭建自动化测试系统,提出了一些参考意见。     

面向对象的软件测试方法研究

在软件生命周期过程中,软件测试是保证软件质量的关键环节之一。面向对象方法学在软件工程中的引入极大地方便了软件的设计、开发和维护,为创建高可靠性的软件系统提供了重要保证。但面向对象程序的封装、继承、多态和异常处理机制等新特性却给测试带来新的挑战。一方面需要调整、改进传统的测试策略和方法;另一方面探索出适应面向对象程序特征的测试理论与技术也尤为必要。     

面向FPGA芯片开发的测试方法设计与实现

针对自主研发的SOI-CMOS工艺FPGA芯片VS1000,开发出一种FPGA测试工具(VVK)软件系统.VVK是借助Verilog HDL描述电路和UCF约束电路的特性开发并实现的全自动测试方法.其意义在于解决了设计FPGA芯片过程中面临的最冗繁棘手的验证和测试难题,可以实现FPGA全芯片、内部各种逻辑模块的功能结构的验证和测试.该工具可以用于FPGA流片前的行为级、晶体管级的仿真和验证、FPGA圆片测试、以及FPGA芯片抗辐照测试.验证和测试的结果证明了这套方法的正确性、高效性,同时这种测试方法也适用于其他架构FPGA的测试.     

UOF文档标准测试方法研究

UOF文档格式的诞生,摆脱了我国长期对国外办公软件格式的依赖性,从而有效掌握在国内市场的主动权,因此国产办公软件对UOF格式的支持性就显得尤为重要。文中针对UOF文档格式的结构进行研究,提出了国产办公软件对UOF格式支持程度的测试方法,同时给出了相关的自动化测试技术。     

软件测试中设计技法与测试过程的研究

软件测试是一门重要的、具有广泛应用的学科,随着应用系统的不同,软件的测试方法呈现多样性。作者在软件开发过程中,曾经进行过大量的软件测试工作,编写大量的测试项,根据以往的工作经验,总结了软件测试中的主要问题。在此基础上,对已有的测试方法和系统进行分析,详细讨论了测试项设计方法,并对今后的发展方向进行展望。     

The Research and Application of ATM Testing

The Research and Application of ATM Testing