基于不同成核控制剂下快速制备银纳米线的研究

基于多元醇法,通过添加成核控制剂氯化铜、氯化钠和氯化铁,在30 min内快速制备银纳米线。结果表明,以氯化铜为成核控制剂,银纳米线形貌最好,直径(53±8.8)nm,长度(30.9±7.1)μm,长径比高达583。在相同条件下,以氯化钠为成核控制剂,银纳米线形貌相对较好,但存在部分银纳米线颗粒。以氯化铁为成核控制剂,产物大部分为纳米棒和一些微米结构。     

水热反应条件对纳米钼酸银形貌的影响

以钼酸铵和硝酸银为原料,采用一步水热法制备了不同形貌的纳米钼酸银(Ag_2Mo_2O_7),探究了反应温度、反应时间、Ag NO_3浓度和表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)对产物结构及形貌的影响。利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对纳米钼酸银的物相和形貌进行了表征。结果表明,通过改变水热反应条件可以得到纳米线、纳米棒、纳米片等不同形貌的钼酸银,其中反应温度和表面活性剂PVP对纳米钼酸银的形貌影响显著。     

Cu_2S纳米棒阵列的可控合成及其表征

以氯化铜和硫脲为原料,表面活性剂十二烷基苯磺酸钠为形貌控制剂,通过水热法成功在铜丝网上制备出Cu_2S纳米棒阵列。用X射线粉末衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所制备的薄膜产品进行了表征分析。研究结果表明,纳米棒的长度为300～500nm、直径为1. 5～2. 5μm。同时,对表面活性剂诱导的Cu_2S纳米棒的形成机理作了深入的讨论。     

在NiCl2、MnCl2或FeCl3存在下用多元醇法高浓度合成银纳米线

报道了一种用于高浓度制备银纳米线的改性多元醇法。在NiCl₂、MnCl₂或FeCl₃存在下高浓度地制得了具有均一尺寸和形貌的银纳米线。所得银纳米线的直径约为60～100 nm、长度约30～60 μm。研究了AgNO₃溶液浓度、PVP和AgNO₃比例和控制剂浓度等对所得银纳米线形貌的影响。研究发现可以通过反应条件的改变来调节所得银纳米线的形貌。本方法的可能机理是由于引入的金属阳离子可以除掉吸附在晶种表面的氧,从而促进银纳米线的生长。     

水热合成法制备高长径比的银纳米线

以季铵盐型阳离子Gemini表面活性剂[C16H33(CH3)2N+(CH2)3N+(CH3)2C16H33]×2Br-(16-3-16)为结构导向剂和稳定剂,以六次甲基四胺为还原剂,用水热合成法由硝酸银制备了直径约30 nm、长约50 mm的银纳米线. 用X射线衍射(XRD)、紫外-可见吸收光谱和透射电子显微镜(TEM)等手段对制备产物的表征结果表明,所得银纳米线具有面心立方结构,并且是沿着{111}晶面生长的. 银纳米线的长度与反应时间有关,而直径则变化不大. 反应温度对产物的形貌有较大影响,在100和120℃下得到的是纳米线,而在150℃下得到的多为不规则的纳米颗粒.     

一种链状多面体银-硫化银复合纳米结构的制备

以银纳米线与单质硫为反应物,DMF为反应溶剂,在室温条件下,通过自发的化学反应制备一种具有独特的链状多面体结构的银-硫化银复合纳米复合物。这种多面体链状结构是以银纳米线为核心,多面体硫化银生长在其表面。根据不同反应时间产物的结构特点研究了该结构的生长过程。利用SEM、TEM、XRD对不同反应01时间产物的形貌特征及物相结构进行表征,结果表明,该复合结构具有良好的结晶性和独特的链状多面体结构。     

银纳米线及其透明导电膜的制备

采用水热法,以乙二醇(EG)作为还原剂和溶剂制备银纳米线,在硝酸银(Ag NO3)与聚乙烯吡咯烷酮(PVP–K30)摩尔比为1:2时,加入1.0 mg/m L的氯化钠(Na Cl),在160℃的高压反应釜中反应7 h,经用去离子水洗涤静置,得到直径为100 nm左右、长度30~50μm的银纳米线。将得到的银纳米线用无水乙醇配制成1.0 mg/m L的分散液,在1 000 r/min下旋涂制备成膜,然后再以4 000 r/min速率旋涂浓度为21 mg/m L的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的1-甲基-2-吡咯烷酮溶液,可制备成具有良好附着性能、透明率为92.90%、方块电阻为12(?/□)的透明膜。     

Cu纳米线的工艺优化及其可控制备研究

以氯化铜为铜源,葡萄糖为还原剂,十六胺和十八胺为封端剂,通过水热还原技术制备Cu纳米线,探讨反应温度、反应时间、还原剂配比和封端剂摩尔比对Cu纳米线形貌(长径比)的影响。结果表明,最优工艺条件：还原剂配比0.5,封端剂摩尔比0.4/0.8,反应温度110℃,反应时间6 h。产物清洗方式为沉降-分层-热液洗涤。在全优工艺条件下制得的Cu纳米线平均长径比>95,线径均值为26 nm,纳米线占比超过90%。     

银纳米线/聚乙烯醇复合纳米薄膜的制备与性能研究

本文采用旋涂法一步制备了银纳米线/聚乙烯醇(PVA)导电复合纳米薄膜,并通过控制液滴在基底表面的静置时间来控制银纳米线在薄膜中的含量,发现不同浓度分散液制备的纳米薄膜的层电阻和透过率会随着静置时间的增加而下降,且主要依赖于银纳米线的密度。本研究说明,通过控制合理的静置时间可以一步制得具有较高导电和透过性能的纳米薄膜。     

银纳米线的溶剂热法制备及表征

以硝酸银为银源、聚乙烯吡咯烷酮(K-30)为模板剂和包覆剂、葡萄糖为还原剂、乙二醇为溶剂,采用溶剂热法成功制备出银纳米线。采用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见吸收光谱(UV-Vis)、热重(TG)等手段对银纳米线进行了表征。结果表明,在反应温度为160℃、反应时间为4h、聚乙烯吡咯烷酮(K-30)与硝酸银物质的量比为5的条件下,制备出直径100~150nm、长度10~20μm的银纳米线。XRD物相分析表明,产物为结晶度较高、具有面心立方结构的纯银纳米线。     

以多孔氧化铝为模板钴纳米线阵列的制备

以多孔氧化铝为模板,采用交流电沉积的方法制备了钴纳米线阵列膜.采用扫描电子显微镜(SEM)对电沉积钴纳米线前后的多孔氧化铝模板的形貌进行表征,通过透射电子显微镜(TElM)观察钴纳米线的表面形貌.结果表明:金属钴沉积到多孑L氧化铝模板的纳米孑L中,钴纳米线的平均直径约为50n/n,与氧化铝模板的孔径相一致.     

控电位法制备CdSe纳米线阵列及其性能研究

以SeO2为硒源,以阳极氧化铝为模板,采用电化学方法对SeO2在碱性电解液中的还原过程进行了分析,确定了控电位制备CdSe纳米线的沉积电位和镀液组成,并分析了其沉积机理。在此基础上,以阳极氧化铝为模板,通过控电位法成功获得CdSe纳米线阵列。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X-射线衍射对所制备的材料进行了形貌和结构表征。扫描电镜形貌分析表明,CdSe纳米线阵列高度有序、直径均一;直径约100 nm,与模板孔径一致。X-射线衍射测试表明,所制得的CdSe纳米线为立方晶型。光电性能测试表明,CdSe纳米线阵列电极的开路电位差值为324.8 mV,高于CdSe薄膜(125.5 mV);光催化降解罗丹明B测试表明,5 h后,CdSe纳米线的降解率达94.29%,强于CdSe薄膜(52.03%)。     

银纳米线的制备及应用研究进展

银纳米线由于其优异的导电性和良好的延展性,被广泛研究并应用于制备透明导电薄膜。对银纳米线的制备方法进行总结,包括模板法和液相合成法,分析对比了两种方法的优缺点,并对目前研究较多的液相合成法中涉及的表面活性剂、成核缓释剂的作用作了详细阐述,为银纳米线的可控合成提供了参考。银纳米线作为最有可能替代传统ITO透明电极的材料,相关研究表明银纳米线的长度、直径对透明电极的性能有很大的影响,为后续优化银纳米线的制备指明了方向。     

单根纳米线电极的制备与表征

对多元醇法合成银纳米线的反应条件进行优化,合成了长度为30μm左右、直径约为200 nm的银纳米线。通过简单的靠取法在碳纤维电极表面靠取单根银纳米线以制备纳米电极,并对其形貌、电化学性能和单细胞插入能力进行表征。结果表明,其具有合适的尺寸、优异的电化学性能和良好的机械性能,不仅促进了纳米电极的发展,还为单细胞分析提供了一种极具潜力的纳米工具。     

硫化亚铜薄膜的生物合成及表征

以生物蛋壳为内反应器,氯化铜和硫脲为原料,通过水热法在铜丝网上合成了硫化亚铜薄膜样品.用X射线粉末衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征分析表明,产品为纯相Cu2 S,形貌为纳米棒.同时,对影响Cu2 S纳米棒生物合成的因素作了讨论.     

镀铜银纳米线导电薄膜铜层蚀刻液研究

介绍了一种新型镀铜银纳米线导电薄膜制备技术:以磁控溅射法在涂布了OC(保护胶)的银纳米线(AgNWs)薄膜表面覆盖纳米铜层来替代银浆,再通过黄光制程中的蚀刻工艺将铜层进行图案化蚀刻。研究了蚀刻液中过硫酸钠和磷酸用量对铜层蚀刻效果的影响,得到较佳的铜蚀刻液为:磷酸117.7 g/L,过硫酸钠35.3 g/L。采用该蚀刻液能够将镀铜银纳米线薄膜上的Cu层完全蚀刻掉,并且不损坏OC层和AgNWs层,蚀刻时间易控,效果好。     

模板浸润法制备非极性聚合物纳米管和纳米线

以孔径为200 nm的多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用聚合物溶液或熔体浸润模板的物理方法,以非极性通用聚合物为原料,首次制备了非极性聚合物纳米管、纳米线及其阵列结构。对纳米管和纳米线的形貌和结构进行了表征,结果表明对非极性聚合物而言,温度是影响一维纳米结构的主要因素,在较低温度下只能制得纳米线;较高温度下才能得到纳米管。还指出AAO膜纳米孔的高表面效应与熔体的作用能是形成聚合物一维纳米结构的主要驱动力。     

四面体Rh纳米颗粒的控制合成与表征

以Na3RhCl6为前驱体、三缩四乙二醇(TEG)为还原剂和溶剂、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为稳定剂、葡萄糖为形貌控制剂,在Na3RhCl6∶PVP∶C6H12O6=1∶10∶40(物质的量比)时,于160℃油浴加热2h得到了形貌单一、大小均匀的四面体Rh纳米颗粒,并通过TEM、SEM、XRD、XPS对其结构进行了表征。在此过程中,葡萄糖在四面体Rh纳米颗粒的控制合成中起关键作用。     

氧化锌和硫化镉共复合氧化亚铜纳米线的制备及其光催化性质

以氯化铜和氢氧化钠为原料,聚乙二醇为表面活性剂,水合肼为还原剂,水为溶剂,采用简单还原法制备氧化亚铜纳米线。然后通过水热法将纳米氧化亚铜、氧化锌和硫化镉进行复合。利用SEM和XRD对制备的产品进行表征。对制备的产品进行光催化活性测试。结果表明,在以汞灯为光源,亚甲基蓝的浓度为15 mg/L时,三元复合的产品活性最高,单纯氧化亚铜纳米线活性最低。     

氧化锌和硫化镉共复合氧化亚铜纳米线的制备及其光催化性质

以氯化铜和氢氧化钠为原料,聚乙二醇为表面活性剂,水合肼为还原剂,水为溶剂,采用简单还原法制备氧化亚铜纳米线。然后通过水热法将纳米氧化亚铜、氧化锌和硫化镉进行复合。利用SEM和XRD对制备的产品进行表征。对制备的产品进行光催化活性测试。结果表明,在以汞灯为光源,亚甲基蓝的浓度为15 mg/L时,三元复合的产品活性最高,单纯氧化亚铜纳米线活性最低。