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超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究 .这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进 ,主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的 L型侧墙形成技术方面 ,它有效地减小了器件的基区面积 .测试结果表明 ,晶体管有良好的交直流特性 .在发射区面积为 3μm× 8μm时 ,晶体管的截止频率为 6 .1GHz.19级环振平均门延迟小于 40 ps,硅微波静态二分频器的工作频率为 3.2 GHz 相似文献
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本文在前文器件掺杂分布优化设计的基础上,实现了结构设计和工艺选择,采用多晶硅发射极技术,研制成功了77K下高增益(HFE可达250)硅双极晶体管;采用多晶硅发射区和基区重掺杂技术,获得了可与CMOS结构兼容,基区电阻较小的硅低温双极晶体管。 相似文献
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本文提出了一种新型的异质结双极型晶体管.该管的收集区和基区由磷化铟材料做成.和硅平面晶体管类似,管子的基区采用一般的氧化层(Al_2O_3)掩蔽扩散工艺(在这里是锌扩散).而管子的发射区则采用溅射氧化镉簿层的方法形成,因而管子的结构是平面型的.氧化镉是一种宽禁带(Eg=2.3eV)的N型半导体.氧化镉和磷化铟组成了晶体管的宽发射极.本文介绍了制管工艺.给出并分析了晶体管的伏一安特性.初步结果是:晶体管共发射极电流增益h_f_a=10(I_C=50mA,V_(cr)=15V).发射极一收集极间的击穿电压BV_(CED)=30V.这种晶体管及其工艺为InGaASP/InP器件及其光电集成制作提供了一条可能的新途径. 相似文献
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<正>C波段硅功率晶体管在微波整机和通讯等领域有广泛用途。由于硅双极型晶体管具有比GaAs FET低得多的1/f相位噪声,因此,在一些高质量的振荡器中,急需硅功率晶体管。但是,当工作频率提高到C波段时,晶体管的频率和功率性能发生尖锐的矛盾。晶体管的输出功率、增益和效率随着工作频率的升高而急剧下降。这给器件的研制带来了很多困难,国内长期无法解决。南京电子器件研究所采用T形发射极自对准结构,用φ75mm硅片研制成功C波段硅功率管。晶体管的E-B金属电极横向间距几乎为零。发射极扩散层和基极接触窗口的间距约0.4μm。这种T形电极晶体管(TSET)对光刻工艺精确度的要求不很苛刻。测试结果表明,晶体管在4.2GHz时,连续波输出功率大于3W,增益大于8dB,集电极效率大于40%。晶体管作振荡应用时,在4.3GHz下振荡输出功率可达1W,直流—射频转换效率可达20%,是 相似文献
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异质结双极晶体管高频噪声建模及分析 总被引:1,自引:1,他引:0
提出了一个T等效异质结双极晶体管高频噪声电路模型.该模型是对通常用在硅双极晶体管中的Hawkins噪声模型进行改进得到的,主要的改进包括发射极理想因子、发射极电阻、内部BC结电容、外部BC结电容和其它寄生元素对器件噪声性能的影响.为了从等效噪声电路模型中计算出精确的噪声参数,采用了噪声相关矩阵法来计算噪声参数,从而避免了在等效电路变换中可能产生的简化和复杂的噪声测量.进一步利用该模型分析了等效电路元素对器件最小噪声系数的影响,分析计算结果和物理解释一致.同时通过基于异质结双极晶体管器件物理的公式,给出了器件参数对器件最小噪声系数的影响. 相似文献
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提出了一个T等效异质结双极晶体管高频噪声电路模型.该模型是对通常用在硅双极晶体管中的Hawkins噪声模型进行改进得到的,主要的改进包括发射极理想因子、发射极电阻、内部BC结电容、外部BC结电容和其它寄生元素对器件噪声性能的影响.为了从等效噪声电路模型中计算出精确的噪声参数,采用了噪声相关矩阵法来计算噪声参数,从而避免了在等效电路变换中可能产生的简化和复杂的噪声测量.进一步利用该模型分析了等效电路元素对器件最小噪声系数的影响,分析计算结果和物理解释一致.同时通过基于异质结双极晶体管器件物理的公式,给出了器件参数对器件最小噪声系数的影响. 相似文献
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3GHz硅双极型微波静态分频器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了一种超高速ECL静态二分频器;介绍了该分频器的核心器件─—NPN晶体管的结构和实现该结构的有关先进工艺,包括深槽隔离、多晶硅发射极、钻硅化物和浅结薄基区等;使用这种多晶硅发射极晶体管,3pm特征尺寸设计的19级环形振荡器的平均门延迟小于50ps.讨论了提高分频器工作频率的一些有效方法并给出了3.2GHz硅静态分频器的电路设计和版图设计. 相似文献
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本文论述了进一步降低晶体管低频噪声的限制,利用磷通过热生长薄氧化层扩散制成新型漂洗发射极晶体管,讨论了器件在降低进入晶体的过量磷原子、控制诱生缺陷和发射区边缘缺陷的作用。实验结果表明,漂洗发射极晶体管的小电流增益均匀性好,具有良好的低频噪声特性,是一种工艺比较简化,性能较好的低频低噪声器件。 相似文献
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南京电子器件研究所研制成功 L波段脉冲输出 36 0 W硅功率晶体管。该器件在 1 .4GHz、脉宽 2 0 μs、占空比 5 %条件下 ,脉冲输出功率 36 0 W,功率增益 7.8d B,效率大于 5 0 %。L波段大功率器件在雷达、卫星遥测等领域有广泛应用。由于这种器件工作频率高、输出功率大、增益高、工艺难度大 ,给器件研制带来很多困难。南京电子器件研究所在掺砷多晶硅发射极二次镇流结构的基础上 ,开发出超自对准功率管芯片工艺技术 ,使发射区和基区横向间距缩小至 0 .5 μm,发射极周长与基区面积比有较大提高 ,同时也减少了基极电阻。经过近 2年的工艺实… 相似文献
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介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行研究,探索出关键工艺的控制方法,并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管进行了I-V特性及频率特性测试。结果显示该器件饱和压降小,欧姆接触良好,直流电流放大倍数β随Ic变化不大,截止频率最高达到11.2 GHz。 相似文献
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盛柏桢 《固体电子学研究与进展》1992,(3)
<正>据日本《电视学会志》1991年第9期报道,日本制作所已制成能像GaAs HBT那样高速和低温工作的硅晶体管。这种硅晶体管为极普通的npn型结构,能在比以前低200℃的温度下(760℃)形成最上面的发射极电极,淀积n型非晶硅,经热处理后作成多晶硅。器件的电流增益 相似文献
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日本富士通研究所进行了以砷为源,用真空扩散方式制取发射极的晶体管研究工作。这种方法在提高发射极-基极特性和高频特性方面有显著效果。这种砷发射极扩散方法和以前的掺氧法以及掺粉末状硅的真空扩散法相同,前一方法在发射极扩散之后,由于氧化层残留在硅表面上,使得引出发射极电极工艺不太容易,而后一 相似文献