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本文详细回顾了CCD与CMOS图像传感器的研发历史,介绍了这两种广泛使用的图像传感器的工作原理以及目前的发展现状。比较了CCD和CMOS多方面的优缺点。结合数码产品的特点,深度分析了两种图像传感器应用前景及发展趋势。 相似文献
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CMOS图像传感器的发展及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
比较了CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点,分析了CMOS图像传感器的结构、研制现状、应用及市场前景。指出随着CMOS传感器技术的发展,CMOS图像传感器可以代替CCD图像传感器,并预见了其发展趋势。 相似文献
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比较了CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点,分析了CMOS图像传感器的结构、研制现状、应用及市场前景。提出了随着CMOS图像传感器技术的发展,CMOS图像传感器可以代替CCD图像传感器,并对其发展趋势作了预见。 相似文献
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CMOS图像传感器的最新进展及其应用 总被引:5,自引:0,他引:5
CMOS图像传感器是20世纪70年代在美国航空航天局(NASA)的喷气推进实验室(JPL)诞生的,与CCD图像传感器几乎同步,标准CMOS大规模集成电路技术的不断发展大大改善了CMOS图像传感器的图像质量,CMOS图像传感器的高度集成化减小了系统的复杂性,降低了制造成本,仅为普通CCD图像传感器的1/20,对获得的图像信息读出及处理变得简单而快捷,能设计出灵活的小型成像系统,它具有单一工作电压,功耗低,像素缺陷率低,可与其他CMOS集成电路兼容,对局部像素的编程可随访问等优点。本文主要介绍CMOS图像传感器的发展现状,最新进展,市场前景及其在医学上的应用。 相似文献
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图像传感器(CCD、CMOS)是多功能、高性能的摄像器件.主要介绍了CCD和CMOS图像传感器在医学诊断领域中的应用. 相似文献
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Guido Vanhorebeek 《电子产品世界》2007,(C00):132-135
医学技术一直是CCD(电荷耦合设备)图像传感器的重要应用领域之一。现在,CMOS传感器已进入高速发展时期。究其原因,首先,CMOS图像质量可与CCS图像相媲美。其次,利用标准半导体制造工艺,CMOS传感器在价格方面占据很大优势。第三,CMOS传感器在电路集成方面的无限潜力可以减少输入输出接口数量。 相似文献
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CMOS图像传感器研究 总被引:4,自引:0,他引:4
结合CMOS图像传感感器的研究背景,从5个方面对CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点进行了比较,重点分析了CMOS图像传感器的结构、工作原理以及影响传感器性能的主要因素,并给出了相应的解决方法。最后,预测CMOS图像传感器的技术发展趋势。 相似文献
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激光对CCD及CMOS图像传感器的损伤阈值研究 总被引:5,自引:1,他引:4
针对激光对CCD及CMOS图像传感器的干扰损伤进行了理论分析和实验研究.实验测量出常压及真空条件下1064nm激光对CCD及CMOS图像传感器的干扰阈值、损伤阈值及完全损坏阈值.实验结果表明,CCD或CMOS图像传感器的各种阈值在常压和真空两种不同条件下的差别不明显.实验结果还显示,无论在常压还是在真空条件下,CCD比CMOS更容易受到激光的干扰和损伤甚至严重损坏;而CMOS相机具有很好的抗干扰和抗损伤能力. 相似文献
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Performance analysis of a color CMOS photogate image sensor 总被引:3,自引:0,他引:3
The performance of a color CMOS photogate image sensor is reported. It is shown that by using two levels of correlated-double sampling it is possible to effectively cancel all fixed-pattern noise due to read-out circuit mismatch. Instead the fixed-pattern noise performance of the sensor is limited by dark current nonuniformity at low signal levels, and conversion gain nonuniformity at high signal levels. It is further shown that the imaging performance of the sensor is comparable to low-end CCD sensors but inferior to that reported for high-end CCD sensors due to low quantum efficiency, high dark current, and pixel cross-talk. As such the performance of CMOS sensors is limited at the device level rather than at the architectural level. If the imaging performance issues can be addressed at the fabrication process level without increasing cost or degrading transistor performance, CMOS has the potential to seriously challenge CCD as the solid-state imaging technology of choice due to low power dissipation and compatibility with camera system integration 相似文献
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