苯甲酸溶胶-凝胶法制备ZnFe2O4气敏材料

以苯甲酸为凝胶剂,用溶胶-凝胶法制备ZnFe2O4粉体,通过XRD,SEM等手段对粉体的晶体结构、形貌等进行表征,结果表明：产物为尖晶石结构,颗粒分布比较均匀。采用静态配气法测定材料的气敏性能,发现以ZnFe2O4为基体的气敏元件的最佳煅烧温度为700℃,在175℃的工作温度下对100×10^-6 H2S气体的灵敏度高达126,并具有选择性好,响应—恢复时间短,稳定性好等特点。     

溶胶凝胶法制备的ZnO气敏薄膜

Zn(CH_3COO)_2通过溶胶凝胶法(Sol-Gel)被制备成粒度分布均匀的ZnO气敏薄膜,固有构参数已被确定。通过XRD(X射线衍射仪)和TEM(透射电镜)的分析结果,确认膜为ZnO多晶材料,并且利用高阻计测试了在不同气氛中试件的气体灵敏度。     

TiO2薄膜制备及其气敏特性

NO2是一种强毒性气体,本文利用了溶胶一凝胶法在硅片及陶瓷管上制备TiO2纳米薄膜,并探讨了在制备过程中不同的因素对薄膜成膜质量的影响。并用马弗炉对硅片及陶瓷管上制备的TiO2纳米薄膜进行不同温度的退火处理。对其分别进行XRD的分析,和原子力显微镜分析。利用气敏测试系统对不同的退火温度下的气敏元件进行测试。研制出工作温度低,气敏特性强,响应恢复特性好的基于TiO2的NO2气敏传感器。     

溶胶—凝胶法制备SnO2薄膜气敏特性的实验研究

本文介绍了，以ＳｎＣｌ．２Ｈ２Ｏ为原材料，用ｓｏｌ－ｇｅｌ技术制备Ｌａ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜气敏材料。研究掺杂量、工艺条件、衬底材料对气特性的影响。     

ITO薄膜的气敏特性􀀁

本文研究了胶体法制备的ＩＴＯ薄膜的气敏特性;并同时研究了各种掺杂杂质对ＩＴＯ薄膜的气敏特性的影响。通过实验发现ＩＴＯ薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度,对二氧化氮等也有较好的敏感特性。一般催化剂型掺杂物如贵金属等掺杂杂对提高ＩＴＯ薄膜的灵敏度没有多大帮助。ＩＴＯ薄膜与ＳｎＯ２薄膜相比具有更高的稳定性。ＩＴＯ薄膜的气敏特性既具有表面控制型的特征,又权有体效应气敏材料的敏感特性。     

溶胶一凝胶法制备SnO2薄膜 气敏特性的实验研究

本文介绍了, 以!? ?( ) · ? + 刀为原材料, 用,% ? 一罗. 技术制备(灸% 掺杂的!? / 。薄膜气 敏材料0 研究掺杂量、工艺条件、衬底材料对气敏特性的影响0 实验表明(, 1 % ) 掺杂的!? 几 薄膜气敏材料对以飞有很好的响应特性, 即有高的灵敏度和快的响应时间0 随翎含量的增加 〔# 一?% & 2 34 均, 灵敏度增加, 工作温度向低温方向移动 0 在低氧分压下热处理, 能形成精细 的晶粒与孔洞, 灵敏度大幅度增加 0     

金属硝酸氧化法制备的SnO2微粉的气敏特性研究

本文研究采秀金属锡硝酸盐氧化法制备的ＳｎＯ２微粉的气敏性能，发现该方法制得的ＳｎＯ２微粉具有良好的气敏特性，掺杂后做成的气敏元件可燃气体具有很高的灵敏度，可抵抗高浓度可燃气体的冲击，长期稳定性好。     

溶胶-凝胶法掺钛SnO2薄膜的气敏光学特性研究

采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备掺钛SnO2薄膜,对不同掺杂浓度的薄膜进行XRD测试.在常温下对膜片在乙醇气氛中进行气敏光学特性测试.结果表明:掺钛薄膜在常温下对测试气体的反应时间比其他掺杂薄膜明显缩短,并且薄膜的灵敏度与掺杂浓度有关,10%掺钛SnO2薄膜的灵敏度在1800～2500nm波长范围保持在15%左右.     

TiO_2/V_2O_5双层薄膜的TMA气敏特性研究

报道了以TiCl4 和V2 O5为源 ,采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)和溶胶 -凝胶 (sol-gel)技术制备了TiO2 /V2 O5双层薄膜 ,将该薄膜沉积在带有金梳状电极的陶瓷管和硅片上 ,进行了X射线衍射(XRD)分析 ,并且测量其对三甲基胺 (TMA)的气敏特性。结果发现该双层薄膜对TMA具有高灵敏度、良好的选择特性和快速的响应恢复特性。     

MOCVD法制备薄膜型Fe2O3气敏元件

本文采用ＭＯＣＶＤ技术制备了薄膜型Ｆｅ２Ｏ３气敏元件。测定了元件的物理性能和气敏特性。该气敏元件对乙醇、丙酮和液化石油气有较高的灵敏度，响应时间快，对甲烷、管道煤气、硫化氢等气体不敏感，具有一定的选择性。还考查了元件的稳定性。     

ZnO系薄膜对NOx气体的气敏光透射特性

用射频磁控溅射方法制备了纯氧化锌（ＺｎＯ）薄膜和掺Ａｇ、掺Ｐｔ与掺Ｐｄ的ＺｎＯ三种气敏光学薄膜。测量了这些薄膜在ＮＯｘ气体中的透射光谱,然后由透射光谱获得了灵敏度的变化规律,并用吸附平衡关系式解释了气敏光透射特性,最终优化得到一种对ＮＯｘ气体灵敏度高的掺Ａｇ氧化锌薄膜。     

复合钒钼酸干凝胶薄膜的制备及其湿敏特性研究

以V2O5 和Mo粉为起始物质,通过溶胶-凝胶法制备了复合钒钼酸(H2V9Mo3O32.3·nH2O)干凝胶薄膜,薄膜为层状结构,V和Mo分别以V5 和Mo6 存在;在11%～95%RH的范围内,复合钒钼酸干凝胶薄膜具有很好的湿敏特性,响应、恢复时间分别为6s和15s,感湿温度系数为0.5%RH/℃.     

掺Pt的SnO2薄膜气敏特性研究

用直流磁控溅射法分别在si（111）基片及陶瓷基片上制备掺有Pt的Sn02薄膜,并进行500℃～700℃退火处理,对掺杂前后的薄膜进行XRD分析,测试各掺杂样品气敏特性。500℃退火后,掺杂样品对各种有机气体有较高的灵敏度,随着溅射时间的延长,气敏特性提高。700℃退火后,45min溅射的样品对氨气有很高的灵敏度和很好的选择性,最佳工作温度为220℃左右。随着掺杂时间延长,气敏特性降低。     

利用SnO2中的稀土掺杂制作乙炔气敏元件

本文以ＳｎＯ２为基体材料,通过几种稀土元件的掺杂,研制了乙炔气敏元件,大量的实验表明,掺入稀土元素钐对于Ｃ２Ｈ２的选择性和灵敏度有明显的提高。     

四价金属元素锆（Zr）对氧化铁薄膜气敏特性的影响

对用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺制备的纯α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜和掺锆（Ｚｒ）α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜的气敏特性进行了研究。实验表明掺Ｚｒ是改善α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜材料气敏特性的一种有效途径。     

直流磁控反应溅射法制备TiO2薄膜及氧敏特性分析

在本底真空2.4×10-3Pa,溅射电压420 V,溅射电流0.3 A,氧分压0.17 Pa,溅射总气压1.5 Pa条件下制得TiO2薄膜,未退火时为无定型结构,300℃退火后为锐钛矿结构,600℃退火后锐钛矿与金红石结构共存,1 000℃退火后完全转变为金红石结构.在一定工作温度下,随氧分压增加灵敏度逐渐升高;工作温度越高,灵敏度增加越缓慢;200℃下灵敏度随氧分压增加最快.在不同氧分压下分别计算得到激活能;认为Ti3 (int),Ti4 (int)和V2 O均存在且都对导电机制的形成起到作用,而Ti3 (int)作用最为显著.     

气敏薄膜表面吸附结合能的宏观测量方法

在采用溅射方法制备的ZnO、SnO2/CeO2纳米平面气敏薄膜实验基础上,总结了气敏薄膜响应时间和恢复时间τc的宏观测量的特征时间次方规律.显微物理化学特性对研究气敏薄膜是十分必要却难以由微观直接测量获得,我们通过上述实验结果与气敏表面反应和表面吸附理论相结合,间接测量了气敏表面吸附结合能Ea这一微观特性,从而表明可以用宏观测量方法研究气敏薄膜的一些微观特性.     

TiO2薄膜氧敏特性研究

金属氧化物随氧分压不同，有改变电导率这一性质而被广泛地用来制作氧敏传感器，传统的传感器大多是体材料或厚膜材料，工作时需加高温。本文描述的是ＴｉＯ２薄膜材料与Ｐｔ薄膜形成的肖特基势垒高度随氧分压不同而改变的氧敏现象，测定了该肖特基二极管的氧敏特性，并讨论了它的敏感机理。     

S枪制备的SnO2气敏薄膜分析

本文主要介绍采用S枪磁控反应溅射技术制备SnO_2气敏薄膜材料.运用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X衍射仪、俄歇电子能谱仪及X光电子能谱仪进行了SnO_2薄膜表面形貌、晶格结构分析,并与不同工艺条件下的组分分析比较,为选择SnO_2薄膜制备工艺提供了重要的实验依据.