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随着白光LED的发展,它的应用越来越广。从前,白光LED最常见的应用是作为小尺寸LCD彩屏的背光光源。现在,当白光LED的亮度加大后,它的应用已普及到其他方面,例如手电筒或手机照相辅助照明。下文将介绍一种利用普通的升压芯片来驱动大电流LED的高效电路。 相似文献
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一般白光LED的电流在20mA左右,但高亮度的LED需要200mA ̄300mA电流。如果你的产品需要用三至四颗高亮度的白光LED;为了亮度平均,一般的做法都是把它们串连接在一起。市场上绝大部分的白光LED驱动芯片都只能驱动20mA左右。碰上串联大电流LED的应用便要另想办法。Intersil的EL751 相似文献
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<正> LED是利用砷化镓等半导体材料制成的可发光二极管,常见的颜色有红、黄、绿三种,白光LED可采用红、黄、绿三种颜色合成,白光LED最具应用前景。目前,LED已经可以达到5W的功率,从早期的简单用于信号指示,到今天的各种领域,如车的内外灯光,显示屏背光,广告灯及交通灯等。 TPS75105是低压差的带有PWM亮度控制的2组LED驱动器,在没有外接 相似文献
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Tony Armstrong 《电子与电脑》2008,(6)
两难的选择 当需要为LCD平面显示器选择背光照明时,设计者往往面临应采用白光LED或是具备较纯白光的RGB光源之两难处境.白光LED驱动器和RGB驱动器是不同的,举例而言,用于在可携式电子设备中的显示器、或通用背光照明应用中驱动低高度RGB LED的无电感低噪声LED驱动器IC,以及标准白光LED驱动器IC具备不同的效能标准,这是因为RGB LED与白光LED的顺向电压不同,因此需要不同的IC架构. 相似文献
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目前,广泛应用于手机、PDA和数码相机等便携式电子产品小型彩屏背光照明及高端移动电话照相机闪光灯的白光LED,工作电流仅为15 ̄30mA。为了增加亮度,往往需要几个乃至几十个白光LED串联、并联或混联,形成LED串和LED阵列,并由相应的驱动器IC来驱动。在近一两年中,工作电流达700m 相似文献
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数年前,制造商们还将自己白光LED而不是暗淡LED的最大正向额定电流设定为20 mA。今天的白光LED可以提供更高的亮度,因此必须工作在更高的偏置电流下。在接近LED最大额定值的大电流工作情况下仍要保持对LED偏置点的控制,就需要一种新的方法。偏置LED最简单,最常用的方法是与LED串联一个电阻,以限制LED的最大电流,但这种方法会直接影响功率效率(功率效率定义为LED功率 相似文献
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功率型白光LED封装设计的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
综述了功率型白光LED封装的研究现状和存在的问题,着重从LED封装结构和封装材料两个方面进行了详细的评述,在现有蓝光芯片激发钇铝石榴石(YAG)荧光粉来实现节能、高效的白光LED照明的基础上,介绍了可以提高功率型白光LED的取光效率和空间色度的均匀性的各种封装结构和材料.指出新的封装结构、封装材料和封装工艺的有机结合以获得高取光效率,延长功率型白光LED的使用寿命,节约整体封装结构的成本,从而推进LED同体光源的应用是今后功率型白光LED研究的重点. 相似文献
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介绍了一种GaAs高效率高线性大功率晶体管的设计、制作和性能,包括材料结构设计、电路的CAD优化设计、功率合成技术研究等。通过管芯的结构设计、材料优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET(high performance FET)管芯进行阻抗匹配,实现了器件的大功率输出;通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率;通过严格控制栅凹槽的宽度,实现了较好的线性特性。测试结果表明,器件在5.3~5.9GHz频段内,P1dB为45W,功率附加效率ηadd为41%,实现了预期的设计目标。 相似文献
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基于预放大锁存快速比较理论,提出了一种高速高精度CMOS比较器的电路拓扑.该比较器采用负载管并联负电阻的方式提高预放大器增益,以降低失调电压.采用预设静态电流的方式提高再生锁存级的再生能力,以提高比较器的速度.在TSMC0.18μm工艺模型下,采用Cadence Specture进行仿真.结果表明,该比较器在时钟频率为1GHz时,分辨率可以达到0.6mV,传输延迟时间为320ps,功耗为1mW. 相似文献
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大功率激光二极管高亮度、高功率密度光纤耦合 总被引:2,自引:0,他引:2
将条宽为 10 0μm ,有源区厚度为 1μm的大功率激光二极管 (L D)的输出光束高效地耦合到芯径是 5 0μm的多模光纤中 ,得到了高亮度、高功率密度的光纤输出 .功率密度高达 3.6× 10 4W/cm2 ,耦合效率为 70 % . L D输出光束的发散角较大并且存在较大的像散 ,因此耦合系统中需要结构复杂、性能可靠的微透镜 .采用在一个玻璃衬底上 ,具有两个不同曲率半径的双曲面透镜实现 L D与多模光纤的耦合 . 相似文献
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高密度高性能电子封装技术 总被引:1,自引:0,他引:1
本文简要概述了电子封装的发展过程及其结构形式,全面系统地介绍了近几年国外高密度高性能电子封装的最新进展,对当前电子封装的国际发展水平作一综述。 相似文献