聚乙烯三相复合材料的正电子湮没研究

通过正电子湮没寿命谱的研究，考察了ＨＤＰＥ／ＥＰＤＭ／ＣＢ三相复合材料的结构和性能的关系。结果发现，正正电子素原子（ｏ－Ｐｓ）优先局域和湮没子ＨＤＰＥ和ＥＰＤＭ非晶区的自由体积孔洞之中，因而其寿命τ３保持不变。而由ｏ－Ｐｓ强度Ｉ３反映的自由体积浓度则随填料含量的增加而减小，且改性体系比未改性体系的自由体积浓度低，这是与材料的相结构一致的。自由态正电子寿命τ３则随填料含量变化呈现明显变化，其强度Ｉ２     

马氏体相变研究中的正电子湮没方法

鉴于近年来形状记忆合金在机械、仪表、化工、能源、医疗等领域得到大力应用以及其机理——马氏体相变研究的广泛开展,本文简单介绍了正电子湮没方法在马氏体相变研究中的作用.     

正电子湮没寿命谱表面分析研究

从表面分析方法学角度研究正电子湮没寿命谱表面分析技术。用Al_2O_3·3H_2O、硅胶表面键合物等多孔材料作实验证实,寿命谱的长寿组份的相对强度与样品的比表面积有线性的关系,寿命值能反映表面相结构、组成及极性的变化。正电子湮没寿命谱作表面定性分析具有优于单分子表面复盖层的检测灵敏度,并能区别表面键合有机基团的极性化学活性的能力。可应用于固液、固气、液气、液液的表面分析,测得现场实时、不损伤干扰样品原始表面的信息。     

铝合金时效硬化的正电子湮没研究进展

介绍了正电子湮没的试验原理,以及正电子寿命谱和符合多普勒展宽等试验技术。总结了近几年来正电子湮没技术在铝合金时效研究中的应用进展,展示了正电子湮没技术是如何通过对合金时效中微结构变化的研究,获得溶质偏聚动力学及空位-溶质相互作用等重要信息。     

正电子湮没技术在高分子薄膜研究中的应用

介绍了正电子湮没技术在高分子薄膜研究中的最新进展.常规的正电子湮没技术和慢正电子湮没技术,可以准确地探测高分子薄膜微观缺陷(自由体积)尺寸、分数、浓度、深度分布,该测试技术将在研究各种高分子薄膜的微结构-性能关系、表面效应、界面效应等方面发挥积极的作用.     

稀土聚乙炔的正电子湮没寿命谱的研究EI

本文对高顺式的稀土聚乙炔保存在空气中和保存在真空中,对高反式的稀土聚乙炔保存在真空中的的三种样品,在室温条件下,在制备后不同的时间里测定它们的正电子湮没寿命谱参量。根据寿命值和强度提出了正电子在稀土聚乙炔中的湮没模型。根据模型计算了它们的密度和结晶度。例如反式聚乙炔的密度为1.08g/cm^3,结晶度为0.67。最后用此模型解释了由实验测得的三种样品在不同存放时间的寿命谱参量随存放时间变化的关系曲线。     

正电子湮没技术在材料科学中的应用

本文评述国内外正电子湮没技术新进展,概述正电子湮没技术在材料科学中的五个方面的应用。     

正电子湮没技术在高聚物中的应用

本文介绍了正电子湮没技术的原理、技术方法 ,在自由体积测试方面的应用 ,以及国内研究进展。     

Fe基形状记忆合金预应变过程的正电子湮没研究

利用正电子湮没技术对一系列Ｆｅ基形状记忆合金的预应变过程进行了研究。结果显示了形变过程中不同阶段缺陷结构的变化，对不同缺陷结构对合金形状记忆效应的影响进行了讨论。     

FeMnSi系SMA预应变过程的正电子湮没研究

利用正电子湮没技术对一系列ＦｅＭｎＳｉ基形状合金的预应变过程进行了研究。结果显示形变过程吵同阶段缺陷结构的变化及其对合金成分的依赖关系，并就不同缺陷结构对合金形状记忆效应的影响进行了讨论。     

ZnO压敏陶瓷热处理的正电子湮没寿命谱研究

在常温下测量了ＺｎＯ压敏陶瓷经不同方法热处理后的正电子湮没有寿命谱，结果表明，与无热处理比较，７５０℃×２ｈ的氧化热处理基本不改变缺陷强度Ｉ２；随后进行的７５０℃×２ｈ还原热处理则使Ｉ２明显降低，氧化热处理和还原热处理均使缺陷寿命τ２延长。根据正电子理论和ＺｎＯ压敏陶瓷晶界缺陷模型，该结果支持适当温度下的氧化热处理使氧离子Ｏ吸会于晶界中这一假设，同时，我们还得出：晶界吸附的Ｏ并非Ｂｉ２Ｏ３相变的结     

环氧树脂湿热老化机理的正电子湮没实验

采用热失重(TGA)、热机械分析(DMA)、正电子湮没技术(PAL)对环氧树脂618/DDS体系湿热老化前后的性能进行测试,测试了体系湿热老化前后的吸水率和介电性能,对环氧树脂618/DDS体系的吸水机理进行了研究。结果表明,环氧树脂618/DDS体系的吸水率为3.5%,湿热老化后对体系的热失重温度没有影响,湿热老化后环氧树脂618/DDS体系损耗模量降低了250MPa,玻璃化温度降低了大约50℃,损耗峰由湿热老化前的一个峰变为两个峰。吸水后介电常数增大,介电损耗值增大。湿热老化后自由体积尺寸减小,自由体积浓度增大,体系中的水分起着增塑剂的作用,导致基体中形成更多的微裂纹。     

正电子湮没技术在涂料领域的应用

正电子湮没技术(PAS)作为一种新型的探测手段，近年在研究高分子材料的自由体积等方面获得了很大成功，在涂料领域γ射线多普勒增宽能谱被发现能够很好地研究涂料的老化机理，通过调节入射正电子的能量还可以得到不同深度涂层的自由体积变化和老化程度，综述了PAS技术在涂料中的应用。     

PZT多元系固溶体压电陶瓷中的正电子湮没研究

测量了不同组成的ＰＺＴ多元系固溶体瓷中的正电子寿命谱,根据测得的寿命谱参数,得到反映该压电陶瓷完整体性质的自由态湮没寿命Ｔｆ值,并了影响Ｔｆ的因素。     

纳米TiO2粉晶的正电子湮没寿命谱研究

用溶胶－凝胶法制备了纳米ＴｉＯ２微粉。应用正电子湮没寿命谱研究了纳米ＴｉＯ２的界面结构。ＰＡＴ研究表明，ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备的纳米ＴｉＯ２微粉中只存在两类缺陷，即与短寿命成分ｔ１对应的单空位尺寸的自由体积缺陷，以及与中等寿命成分τ２对应的微孔洞缺陷。     

PMMA中的正电子素湮没和玻璃化转变

为评估正电子湮没技术对研究聚合物玻璃化转变的适用性,测量了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和两种改性PMMA的正电子寿命谱和热-机械曲线。对于PMMA和未交联的改性PMMA,正电子素湮没寿命τ_3随温度的变化给出一个玻璃化转变温度T_8,该T_8真比由热-机械曲线测得的T_8低几度。由此看来正电子湮没技术不能用来测定部份交联的聚合物的T_8。     

Ni-Co-Cr高温合金中3d电子作用的正电子湮没研究

利用正电子湮没技术测量了纯金属Ni、Co、Cr以及3种不同成分的Ni-Co-Cr合金的正电子湮没辐射Doppler展宽谱,分析了形成Ni-Co-Cr合金时3d电子的作用.结果表明,3种纯金属中Ni的3d电子信号较强,当增大Ni-Co-Cr合金中Ni原子的比例时,导致正电子与自由电子湮没的几率增加和合金中的金属键增强,从而提高了合金的韧性.Ni-Co-Cr合金的实验熵谱与其合成熵谱保持了较好的一致性,表明Ni-Co-Cr合金中不同原子之间主要以金属键相结合,这也成为Ni-Co-Or合金具有较好金属延展性的重要原因.     

手性丙烯酸酯侧链液晶共聚物的正电子湮没寿命谱研究

用正电子湮没寿命谱研究了手性丙烯酸酯侧链液晶共聚物分子主链与介晶基元侧链的运动行为及相互作用。结果表明，侧链液晶基元的取向随磁场强度增加而增加，当磁场强度达到一定值后则趋于恒定。侧链介晶基元受磁场的诱导取向对分子主链运动的影响为非线性效应。