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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
本文报导在4×622Mb/s)×160km等三个常规单模光纤无中继传输实验系统,以及4.354Gb/s×200km常规单模光纤传输实验系统方面的研究成果.带有掺饵光纤功放的高稳定度光发射机输出功率分别>+4dBm/信道(4×622Mb/s)和11dBm(单路2.5Gb/s),频率稳定度分别优于6×10-6和4.1×10-6.带有掺铒光纤前放的四路光接收机灵敏度达到-46.8dBm(622Mb/s,NRZ223-1PRBS)和-39.5dBm(4×2.5Gb/s,NRZ223-1PRBS).系统各信道误码率分别优于4×10-12~4×10-15.  相似文献   

2.
本文研制出调频响应达1.3GHz的LD模块,并根据WDM系统传输实验的需要,研制出频率稳定度优于上150MHz的2.4Gb/s光发送机。该发送机现已成功地用于2.4Gb/s光通信系统的传输实验中。  相似文献   

3.
研究了低压MOCVD下生长压力和Fe源/In源摩尔流量比对半绝缘InP电阻率的影响.得到了用LP-MOCVD生长掺Fe半绝缘InP的优化生长条件.在优化生长条件下得到的Fe-InP的电阻率为2.0×108Ω·cm,击穿电场4×104V/cm.用半绝缘Fe-InP掩埋1.55μm多量子阱激光器,激光器的高频调制特性明显优于反向pn结掩埋的激光器,3dB调制带宽达4.8GHz.  相似文献   

4.
阐述了光纤通信前置放大器的设计原理,分析了光接收机中PIN二极管和GaAsFET器件的信号模型和噪声模型,提取了放大器用GaAsFET器件的模型参数(包括大信号、小信号和噪声模型参数)。利用PSPICE程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计,并实际制作了用于2.4Gb/s光纤通信的PIN-HEMT前置放大器。实测结果表明放大器3dB带宽达到DC~4.4GHz,增益为18±1dB;加入PIN二极管后的光接收模块的3dB带宽为DC~1.688GHz,满足了2.4Gb/s光纤通信的需要。  相似文献   

5.
李同宁  罗毅 《光通信研究》1999,(3):42-46,54
本文报道了采用全MOCVD生长的1.55μm单片集成DFB-LD/EA组件的制作和在DWDM系统上的传输测试结果,该发射模块在2.5Gbit/s DWDM系统上进行传输试验,传输240km后无误码,其通道代价≤1dB,BER=10^-12。  相似文献   

6.
全光时分复用系统光时分复用信号产生研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用50:50耦合器以2×2级联的形式研制成功2×2.5Gb/s、4×2.5Gb/s和8×2.5Gb/s光时分复用信号产生系统。用增益开关量子阱DFB激光器产生的宽度为19ps、周期为400ps的光脉冲作为源信号脉冲所进行的实验表明,在精确控制光程差的基础上用级联形式制作的时分复用信号产生系统产生的信号完全可以满足基础应用研究要求。  相似文献   

7.
范崇澄  宋健 《电子学报》1995,23(12):18-22
本文提出了一种用于高速多路波分复用(WDM)陆上级联掺铒光纤放大器(EDFA)光纤通信系统的色散补偿方案,其特点是:利用特殊设计的色散位移光纤SDDSF(零色散波长λ0≈1.6μm,色散斜率S_0=0.05ps/km/nm2),在1550nm处产生-2~-4ps/km/nm的色散,以避免ITU-TG.653色散位移光纤在多路复用时的四波混频(FWM)效应;并利用ITU-TG.652标准单模光纤(非色散位移光纤NDSF)在1530~1570nm(EDFA工作带宽)范围内,有效地补偿SDDSF所引入的负色散。此方案可使单路数据率高于10Gb/s的波分复用系统,经1000km传输后因色散引入的眼图恶化量仍<1dB。  相似文献   

8.
本文报道了采用含有InSb非晶过渡层的两步MBE生长技术,在GaAs(100)衬底上异质外延生长的InSb外延层材料特性及初步的器件性能。5μm厚的n型本征InSb外延层77K时的电子浓度和迁移率分别为:n~2.4×10 ̄(15)cm ̄(-3),μ~5.12×10 ̄4cm ̄2V ̄9-1)s ̄(-1),高质量InSb外延层的X射线双晶衍射半峰宽(FWHM)<150″。InSb表面的相衬显微形貌,InSb/GaAs界面的TEM形貌相和InSb外延层的红外透射谱等测试结果都肯定了MBEInSb外延层的质量。研究结果已基本达到目前国外同类研究水平。用MBE生长的n型InSb外延层薄膜首次制作了中波(3~5μm)多元光导线列器件,终测表明,器件的光导响应率较高R(V)~7800V/W,均匀性很好ΔR(V)/R(V)<7%,MBEInSb外延薄膜展示了良好的红外探测器应用前景。  相似文献   

9.
InsituMeasurementofYBa2Cu3O7-δFilmThicknesandGrowthTemperaturebyPyrometricAbsorptionMethodX.M.XiongY.L.ZhouH.S.WangD.F.CuiH.B...  相似文献   

10.
介绍了在Si ̄+注入的n-GaAs沟道层下面用Be ̄+或Mg ̄+注入以形成p埋层。采用此方法做出了阈值电压0~0.2V,跨导大于100mS/mm的E型GaAsMESFET,也做出了夹断电压-0.4~-0.6V、跨导大于100mS/mm的低阈值D型GaAsMESFET。  相似文献   

11.
LMDS系统的应用 LMDS工作在10~38GHz的毫米波的波段内,可用的带宽达到1GHz以上,最大数据分配带宽为4.8Gb/s,比MMDS(200MHz)和DBS(800MHz)宽得多。LMDS几乎可以提供任何种类的业务,支持话音、数据和图像业务,并支持ATM、TCP/IP和MPEG 2等标准。目前LMDS主要应用在以下几个方面: 1.高质量的话音业务:通过CESE1电路为PABX提供数字中继线的连接,还可用于移动通信一点对多点的基站互联。 2.高速数据业务:通过10BASE-T和100BASE-…  相似文献   

12.
NEDIhasdevelopedWZB0812、WZB1218DigitalTunedOscillator.Thespecificationsareasfollows:ParameterWZB0812WZB1218Frequencyrange,min./GHz8~1212~18Digitaltuningword/bit12RFpower  Output,min./dBm13  Variation/temp.coeff.max./dB·C-10.02Aux.output,min./dBm0Modu…  相似文献   

13.
为配合2000门GaAs超高速门阵列及GaAs超高速分频器等2英寸GaAs工艺技术研究,开展了2英寸GaAs快速热退火技术研究。做出了阈值电压为0~0.2V,跨导大于100mS/mm的E型GaAsMESFET和夹断电压为-0.4~-0.6V,跨导大于100mS/mm的低阈值D型GaAsMESFET。  相似文献   

14.
本文报道了用低压-金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法制作1.3μm应变补偿多量子阱结构材料.X射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±4级卫星峰和卫星峰间的Pendel-losong条纹.整个有源区的平均应变量几乎为零.用掩埋异质结(BH)条形工艺制备的含一级光栅的DFB激光器室温下阈值电流2~4mA,外量子效率0.33mW/mA,线性输出光功率达30mW,边模抑制比(SMSR)大于35dB.20~40℃下的特征温度T0为67K.  相似文献   

15.
本文介绍了一种适用于短距离光纤通信与光纤传感器的0.85μm、10Mb/sPIN-FET混合集成光接收器的基本原理。从PIN-FET前置放大器出发,分析了热噪声因子Ζ的大小对接收器电路的热噪声均方电流的影响以及和接收器灵敏度的关系,指出了要改善PIN-FET接收器灵敏度主要是提高品质因素gm/CT2。为照顾到低噪声、宽频带,又兼顾到动态范围,因而采用了跨阻抗放大器的实际电路。电路采用混合集成的厚膜工艺,整个接收器集成于15×10mm2基片上,再安装于23×18×8mm3双列直插式金属管壳内,由光纤引出。经过测试达到的上升、下降时间小于30ns,带宽10Mb/s,最低接收灵敏度-46dBm。  相似文献   

16.
HDSL E1/T1传输系统一种高速数字用户线传输系统,其中包括本端、远端传输单元和相关维护接口单元。可无中继地沿一般铜绞合线对传输E1(2.048Mb/s)或T1(1.544Mb/s)业务分别达4.6公里(E1)或5.6公里(T1),无需拆解桥接抽...  相似文献   

17.
本文介绍了国内首次利用国产Mach-Zehnder型Ti:LiNbO3外调制器进行2.4Gb/s伪随机码信号光纤传输的系统实验。经过50.7km传输后接收机灵敏度为-30.3dBm。  相似文献   

18.
本文详细叙述了DFB激光器的设计要点和新的工艺。采用一级全息光栅和二步液相外延法批量研制出高稳定单纵模工作的1.55μm分布反馈激光器(DFB—LD)。外延片成品率>40%。器件特性:25℃时阈值电流20mA,单面光功率>10mw,主边模抑制比SMSR达43dB(λ/4相移光栅),谱线宽度△ν-20dB=0.3nm,调制速率>1.8GHz。可靠性测试显示:高温监测光谱稳定,25°C时阈值退化率△Ith/t<0.3mA/kh,对应器件预估寿命将超过10万h。  相似文献   

19.
为配合2000门GaAs超高速门列及GaAs超高速分频器等2英寸GaAs工艺技术研究,开展了2英寸GaAs快速热退火技术研究,做出了阈值电压为0~0.2V,跨导大于100mS/mm的E型GaAsMESFET和夹断电压为-0.4~-0.6V,跨导大于100mS/mm的低阈值D型GaAsMESFET。  相似文献   

20.
同步数字体系(SDH—SynehronousDigitalHierarchy)是当代最先进的光同步传输体系,表示一整套可以进行同步数字传输、复用和交叉连接的标准化的数字传送等级,其信息传送的结构是同步传送模块(STM—SynchronousTransportModule)。目前有STM—1,比特率为155Mb/s的基本模块;STM-4,比特率为622Mb/s和STM-16,比特率为2.5Gb/S的高阶模块。本文以阿尔卡特(Alcatel)公司的1664SL设备为例,对SDASTM—16光同步传输设备的结构、功能等进行了简单的介绍,以使读者对SDH/STM-16设备有所了解。  相似文献   

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