YAG和CO_2激光对活体组织作用机制研究

一、理论分子的各种运动能级的能量关系按量子理论为△AE=△E_(?)+△E_转+△E_电,△E_电约为10°—10~(-1)ev 的数量级,由△E=hv,其λ<1μm;△E_(?)约10~(-1)—10~(-2)eV,对应入为1—25μm;△E_转为10~(-3)—10~(-4)eV,λ为25—350μm。显然,如果以红外激光照射分子,只能引起分子振——转能级状态的变化:E_(?)=(n+1/2)hcv+BhcJ(J+1)。如果照射的红外激光的频率与分子的某一振动或转动跃迁频率吻合,就会产生共振,引起分子固有偶极矩的改变,这就是红外匹配吸收的量子解释。人体有着密集的分子原子,具有许许多多很宽的固有振动频     

InGaAs的电调制反射谱及其组份分析

本工作采用电解液电调制反射谱技术,对n型InGaAs外延片进行了研究.从所测得的光谱中,利用三点法计算出了临界点跃迁能量E_0、E_1,自旋轨道分裂△_0、△_1和线宽参数Γ_0、Γ_1,还研究了临界点能量E_1与含金组分x的关系.所得结果均与国内外报道的理论和实验值符合得较好.     

Hg_(1-x)Cd_xTe的红外光吸收

在温度为80至300K的范围内,测定了组分x值在“0.205≤x≤0.220”范围的Hg_(1-x)Cd_xTe接近其基本吸收限的光吸收。由干涉图形得到Hg_(1-x)Cd_xTe折射率的色散。实验发现,在“20≤α≤1000cm~(-1)”范围,吸收系数曲线尾部遵从修正的Urbach定律,并可表示为α=α_(?)exp[σ(E-E_(0))/(T T_(?))],参数α_(?)和E_(?)随x有规律地变化。可从上式得到吸收系数和作为x与T的函数的禁带宽度的温度系数。本文提供的实例表明:可把这些参数外推以计算上述组分范围以外的吸收。     

LPE n-GaAlAs:Te中DX中心的导纳谱分析

在测量较深能级和最浅能级两种情况时,导纳谱(DLAS)得到的速率值具有完全不同的含义.对于前者,DLAS和DLTS结果一致,给出能级的热发射深度。△Eem;对于后者,DLAS和Hall结果一致,给出能级的热平衡深度△E_(eq).当深中心的晶格弛豫很大时,这种区分十分重要.用DLAS和DLTS技术测量了LPE法生长的n-ca_(0.7)Al_(0.3)As:Te 中的具有复杂性质的DX中心,可以分辨两个能级,△E_(em)分别为～0.35eV和～0.20eV,△E_(eq)分别约为0.10eV和36meV.     

AlGaP固溶体的电反射光谱

研究了Al_xGa_(1-x)P液相外延层(x≤0.58)在2.0eV到5.5eV范围内的电反射调制光谱,对测量的光谱结构进行了分析,得到了AlGaP中E_0、E_1、E_0~＇、E_2各临界点随组分x的变化、有关结构的加宽参数和相对强度.从GaP和AlP的能带出发,对AlGaP固溶体各临界点处的能隙随x的变化按虚晶近似进行了讨论.     

Si/GaP(111)和(-1-1-1)界面的研究

本文报道用EHT方法计算Si/GaP(111)、(111)和(110)界面的电子结构,得到它们的价带不连续值△E_v分别为:0.88eV、0.97eV和0.87eV,这和Si/GaP的实验结果:△E_v=0.80eV和0.95eV相符合.不同晶向△E_v相差达0.1eV.分析Si和GaP价带顶位置的变化情况,发现对Si/GaP(111),界面态对价带顶的影响不大.但对于Si/GaP(111)异质结,由于界面态的影响,使Si价带顶明显上移.此时,界面态对△E_v的非线性影响不可忽略。     

亚稳定型合金(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x带间跃迁能量E_1的椭圆偏振谱研究

用自动椭圆偏振谱方法研究亚稳定型合金(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x带间跃迁能量E_1的曲线特征,得到E_1的线性特征与E_0完全一样,呈现非抛物线特征。我们认为这是由于Ge与Ga和As原子相互作用造成Ge电荷分布的变化引起的,这一结论对闪锌矿结构和金刚石结构都是正确的。     

InAs/InP_(0.7)Sb_(0.3)热电子晶体管实现室温工作可能性的讨论

<正>热电子晶体管(HET)是一种有希望的亚毫米波器件,缺点是必须低温工作。从本质上说,HET不能室温工作的关键在于r,L跃迁。因此,热电子能量E_k不能超过r,L能谷差E_('L),再加上热电子不是单一能量,而有一定能量分布E_n,E_n为费米能级进入导带深度((?)0.2eV)。从而热电子能量范围为E_(rL)≥E_k≥E_(eL)-E_n。以InP/InGaAs HET为例,热电子能量E_K处于0.55eV≥E_k≥0.35eV范围内,热电子要越过收集势垒不被反射,则势垒高度Φ必须低于0.2eV。显然,此时要使越过势垒的热激发电流小于工作点发射极隧道电流的百分之一,必须在液氮温度下工作。 如果HET基区(势阱层)E_(rL)提高到0.8eV,则热电子能量范围提高到0.8eV≥E_K≥0.6eV,Φ可提高到0.4eV,仍可保证大部分热电子越过收集势垒。根据[1]的分析,Φ=0.4eV时,室温下越过收集势垒的热激发电流不大于工作点发射极隧道电流的百分之一,从而实现了室温工作。下面讨论势垒层E_(rL)。势垒层r能谷位置比势阱层抬高△Ec(=φ),因此,势垒层E_(rL)可降低至0.8eV—△E_c=0.4eV,其L能谷位置仍与势阱层L能谷位置持平,保证热电子渡越     

MBE高掺Be p-GaAs中E_g+△_0等高于带边的发光

我们在MBE高掺Be的GaAs中观察到了E_g+△_0和X_1~c-Γ_(15)~v之间之间跃迁的发光,讨论了高掺杂p-GaAs的E_g+△_0与本征GaAs的差别,在10-200K温度范围研究了E_g+△_0的温度依赖关系,并对X_1~c-Γ_(15)~v这一间接跃迁过程进行了讨论.     

Ba+N_2O化学发光反应截面与碰撞能的关系

本工作研究了Ba+N_2O反应总化学发光截面与碰撞能的关系,得到在相对平动能0～0.3eV时,截面σ_(CL)■0.1~2.在交叉分子束装置中,He 播种的超声 N_2O 束经过斩波与扩散的金属Ba束交碰后,产生部分发光的BaO分子和不发光的N_2分子。光信号用光电倍增管和光子计数器监测。在保持喷咀温度不变下,超声束速度由播种比决定,其值由时间飞渡方法测量。超声N_2O束强度用电离规管测量。得到相对化学发光截面σ_(CL)~R=σ_(CL)(E_T)/σ_(CL)(0.1eV)■1,这与刚性转子——谐振子(RRHO)模型分析,σ~R=E_T~(-1)(E_T-E_0)~q,当取 q■1,E_0■0时一致。     

Si/GaP(111)和(■)界面的研究

本文报道用EHT方法计算Si/GaP(111)、(111)和(110)界面的电子结构,得到它们的价带不连续值△E_v分别为:0.88eV、0.97eV和0.87eV,这和Si/GaP的实验结果:△E_v=0.80eV和0.95eV相符合.不同晶向△E_v相差达0.1eV.分析Si和GaP价带顶位置的变化情况,发现对Si/GaP(111),界面态对价带顶的影响不大.但对于Si/GaP(111)异质结,由于界面态的影响,使Si价带顶明显上移.此时,界面态对△E_v的非线性影响不可忽略。     

[O_2(~1Δg)]二聚物激光机制研究

对[O_2(~1△_g)]_2的几何构型及势能曲面的理论计算表明,[O_2(~1△_g)]_2的激发态与基态间呈束缚排斥的准分子结构。在此基础上,对[O_2~1△_g)]_2激光机制进行了实验研究。     

金刚石膜和类金刚石膜的电子能量损失谱和喇曼光谱的研究

用电子能量损失谱(EELS)研究了金刚石膜、类金刚石膜和高取向石墨的特征能量损失峰.金刚石膜的特征峰主要是5.4eV和15eV的带间跃迁,23eV和34eV的表面等离子激元和体等离子激元.类金刚石膜的特征峰主要是 4.5eV的π电子的体等离子激元,13eV的带间跃迁,22.4eV的(π+ σ)电子的体等离子激元.石墨的特征峰主要是6eV的π电子的等离子激元,13eV带间跃迁和C轴方向等离子激元,20eV的C轴方向的等离子激元和25.6eV的基面等离子激元.比较了α-C和α-C:H能量损失谱和喇曼光谱,利用hω_(p(π+σ))和hω_(p(x))峰位计算了类金刚石膜中sp~3键和sp~2键的比例.研究了不同CH_4浓度生长的金刚石膜的能量损失谱,利用hω_(p(π+σ))和hω_(p(x))峰位计算金刚石膜中类金刚石第二相内的sp~2键和sp~3键的比例,利用第二相的体等离子激元损失峰hω_(p(π+σ))与金刚石的体等离子激元损失峰hω_(p(σ))的强度比来估价第二相的多少.     

电子稳压及稳流器

一、稳压器的基本原理(一)交流稳压器的主要技术指标1.稳定度:当输入电压E_4发生了±△E_i变化,而使输出电压E_0产生△E_0变化,稳定度的定义为:S_1=△E_0/E_0;(1)2.电压调整率:指输出电流从最大负荷变到最小负荷时;输出电压E_0引起的变化△E_0的变化率,即:     

电子和Ar_2~+的复合

本文描述了用能量约100KeV,半宽为8毫微秒的电子束脉冲电离纯Ar气,通过观察电离气体电导率的时间衰减,在1～4大气压和电子平均能量为(2.8±0.4)eV 的条件下,测定了电子-Ar_2~+ 的有效复合速率常数α_(有效)。α_(有效)值在3.79×10~(-7)厘米~3/秒到1.23×10~(-7)厘米~3/秒之间。实验结果表明,α_(有效)与Ar的密度N_(Ar)成线性关系,α_(有效)=α_2+k_pN_(Ar),其中α_2为二体离解复合速率常数,k_p为以 Ar作为第三体的三体复合速率常数。由上式我们得到α_2=(5±2)×10~(-8)厘米~3/秒,k_p=(2.4±1.4)×10~(-27)厘米~6/秒。如果将Mehr等人和Shiu等人的实验结果外推到2.8eV,其α_2值为4.4×10~(-8)厘米~3/秒,与我们的测量值十分接近。我们的三体复合速率常数k_p 也符合修正的Thomson三体复合理论所估计的值。     

单晶体亚稳定型合金(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x的喇曼散射谱

本文报告激光激发喇曼散射研究(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x的实验方法和实验结果。实验中采用的样品是在450～550℃衬底温度条件下,使用超高真空离子束溅射沉积方法获得的(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x单晶体亚稳定型合金,0≤x≤1。衬底材料为[100]方向GaAs。本实验中使用可见光(波长5145(?))氩离子激光束,沿布鲁斯特角方向入射,经过样品     

~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe,CdTe和Si材料中氟的深度分布研究

采用共振能 E_R=872.1 keV,宽度 Γ=4.2 keV的~(19)F(P,αγ)~(16)O共振核反应测定了~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe、CdTe和Si衬底中氟的深度分布.用参考函数和参数优选法对实验测得的激发产额曲线进行去卷积计算,从而求得了氟的真实深度分布,同时确定了~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe、CdTe和Si材料中投影射程分布参数 R_p,△R_p和 SK.理论上计算了上述射程分布参数.实验与理论结果比较表明.R_p和△R_p的实验值与理论值符合得较好.文中讨论了利用共振核反应技术研究低速离子在固体材料中阻止本领的可能性.     

GaAs MESFET电子辐照效应的研究

本文研究了GaAs MESFET的12MeV电子辐照效应.在n型VPE GaAs有源层中电子辐照感生了E_1~＇(E_c-0.38eV)、E_2~＇(E_c-0.57eV)、E_s~＇(E_c-0.74eV)缺陷.研究表明,GaAsMFSFET参数的变化主要是由于载流子去除效应.对器件载流子去除率进行了计算,其值在8-30cm~(-1)范围内.迁移率退化因子是比较小的,在室温大约为10~(-17)cm~2量级.     

InSb表面机械损伤层厚度的光谱测定

我们根据InSb的能带结构及反射光谱特性,提出了一种新的利用反射光谱测定损伤层厚度的方法。InSb在紫外光谱区有较明显的反射峰,对应有如下的跃迁:Γ_(15v)→Γ_(15o)(3.45eV),X_(5v)-X_(1c)(4.2eV)和L_(3v)-L_(3o)(5.4eV)。由于表面的机械损伤,将引起反射率的下降,当我们使用适当化学腐蚀液逐次对InSb样品进行腐蚀,并逐次测量其反射光谱,会发现反射光谱     

砷化镓和磷化金铟在0.5～6.2eV之间的光学性质

我们在0.5～6.2eV的光谱范围内测量了室温下砷化镓和磷化铟的垂直入射的反射光谱。由反射光谱中反射峰的位置可以确定砷化镓和磷化铟中的光跃迁,与光吸收实验得到的结果符合很好,砷化镓中2.95eV和3.18eV的反射峰是L_3~1→L_1跃迁,出现两个峰是由于自旋轨道耦合引起L_3~1能级的分裂。在5.17eV的反射峰是X_4→X_1跃迁。磷化铟中3.07eV的反射峰是Γ′_(25)→Γ_(15)跃迁,在5.12eV的反射峰是X_4→X_1跃迁。在浓掺杂N~