用调制光谱研究半导体体材料及微结构的非线性极化率

提出了用调制光谱信号强度表征半导体体材料及微结构的非线性极化率,研究了测量的原理和方法。对玻璃中量子点电反射调制光谱信号强度随团簇颗粒尺寸的不同而产生几个数量级变化的原因作出了解释。     

半导体微结构材料的发展

超晶格的概念与先进的材料生长技术相结合产生了半导体微结构材料。目前，材料设计、材料生长和深微米技术的一体化，推动着半导体微结构材料向着低维化方向发展。     

双单量子阱材料的调制光谱研究

本文采用光调制光谱方法测量了GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs双单量子阱材料的光调制反射光谱(PR),同时观察到了二个单量子阱中的带间激子跃迁,采用电场调制线形可以拟合出激子跃迁的能量,与简单的有限方势阱模型的计算结果符合。并且由调制反射光谱中的Franz-Keldysh振荡,计算得到材料表面内建电场约为29.3kV/cm。     

半导体量子阱材料的调制光谱研究

我们采用光调制透射方法从In_xGa_(1-x)As/GaAs单量子阱样品测量了调制透射谱,得到了InGaAs量子阱中激子的清晰的调制结构.由电场调制原理对调制透射谱进行拟合,得到了激子的跃迁能量.结果与其他测量以及理论计算结果有较好的一致.     

可调谐半导体激光波长调制光谱信号分析

波长调制光谱是一种高灵敏光谱检测技术,针对典型应用条件的精确信号分析模型可以为光谱检测系统的设计和优化提供依据.在Fourier分析的基础上给出了可调谐半导体激光波长调制光谱技术的理论描述.分析了可调谐半导体激光正弦频率调制情况下WMS各次谐波信号特征,研究了激光幅度调制对谐波信号的影响,以及由系统光学表面标准具效应引入的背景噪声与量化描述.分析方法不受调制幅度的限制,适合于不同条件下波长调制光谱分析和背景信号的定量分析.     

增益非线性参数对半导体激光器调制特性的影响

本文用小信号分析法建立了半导体激光器调制的数学模拟，用这个模型研究了增益与载流子密度的非线性依赖关系对半导体激光器的功率调制、波长调制和ＣＰＲ值的影响。     

一种新的空间调制光谱技术及其对几种半导体材料的应用

本文提出了另一种新的对样品实行空间调制的微分反射光谱技术．文中给出了实验方法，讨论了调制机理，指出即使纯的体材料表面未经不均匀性处理，该方法也可直接给出其能隙大小，对GaAs的实验结果说明了这一观点．本文还分析了微分反射方法研究量子阱超晶格等薄膜半导体材料时的物理机理，给出并解释了InGaAs／GaAs单量子阱，AlGaAs／GaAsHBT等材料的微分反射谱．为了比较起见，文中还对照给出了每一样品的光调制反射谱．     

用于光电流光谱研究的半导体激光器的线性温度调制

利用自行设计的电子反馈控制线路 ,将半导体激光器频率作线性调谐 ,使激光频率能连续调谐达 6 0GHz而不发生跳模 (modehopping)。利用这种线路量取的锂2S 2P 谱线 (6 70 8nm) ,连超精细结构 (HFS)都能看见。     

非线性双折射色散缓变光纤中极化调制不稳定性

利用光脉冲在光纤申传播时所遵守的相干非线性薛定谔耦合方程,研究了线偏振光在双折射色散缓变光纤申的传输特性．结果表明,线性双折射、非线性效应和色散的相互作用,使光的偏振状态发生变化,产生交叉相位调制(XPM),从而导致相位匹配参量的四波混频．这一过程不仅在反常色散区产生,在正常色散区也能产生,并且当传输距离发生变化时,也随之发生变化．     

电反馈半导体激光器强度调制的最佳设计

本文研究了电反馈对半导体激光器强度调制的影响。在适当的反馈条件下,电反馈可以较好地改善半导体激光器强度调制的性能。并且存在着最佳反馈环路传递函数,使得其强度调制性能达到最佳。     

GaAs半导体掺杂浓度的电反射光谱的研究

在波长300～1 100nm范围内,对GaAs进行了电反射光谱的研究。建立了电反射光谱的测试系统,并对实验和理论作了详细分析。推导了某一固定波长电反射光谱与半导体表面掺杂浓度的理论关系。并利用电反射光谱的实验曲线计算了GaAs的表面掺杂浓度,所得结果与电化学C—V的测试结果一致,其精度为5％。     

半导体低维材料中的超快速激光光谱研究进展

文章结合作者近年来的工作，评述了半导体低维材料中的超快速激光光谱研究的近期进展，介绍了超快光谱研究半导体低维材料的原理，讨论了一些有待解决的问题。     

半导体条形DH激光器在高速调制下光相位分布不均匀效应的精确理论

用精确理论模型,分析了半导体条形DH激光器在高速正弦电极电压调制下,沿平行结面方向激光调制延迟相位或延迟时间的空间分布不均匀效应(PIE)的规律性及其与内外因素的关系和物理机制。得出偏置和调制频率对PIE的影响都有一个转折点,从而提供抑制甚至消除这种严重限制相位法测距精度的本征PIE的有效途径。     

直接调制半导体激光器技术初探

阐述了影响高速调制半导体激光器的主要因素,着重从理论上对半导体激光器的阻抗匹配网络设计进行了分析,结合採用微波 CAD 技术,给出了理论上的结果。     

高速半导体激光器的设计与制造

对于 Gb/s 量级的光纤通信系统,高速半导体激光器光源是关键器件。文章分析了限制半导体激光器速率的因素,提出了改善激光器带宽的途径,讨论了器件的制造。     

受相干反射波影响的单模半导体激光器非线性失真特性预测

在HPMDS上实现了包括相干反射波效应的单馍半导体激光器大信号等效电路模型，准确地预测了LD非线性失真特性，并把二阶谐波和三阶交调失真的模拟结果同以前报道的实验结果进行了比较。     

用喇曼光谱测定Ⅲ-Ⅴ族半导体带隙和载流子浓度

用共振喇曼散射研究半导体的能带结构,实验观察了Ga_(1-x)Al_xAs直接带隙单声子和GaP在间接带隙(г_(3v)—X_(3c))附近的双声子共振特性。阐述了由喇曼光谱测量确定Ⅲ—V族半导体的载流子浓度。