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碱性条件下,非离子型表面活性剂在阻挡层化学机械平坦化中起着重要的作用。分别对阻挡层材料Cu、Ta以及SiO2介质进行抛光,然后测量铜表面粗糙度。对含有不同浓度活性剂的抛光液进行接触角和Zeta电位的测试,并对活性剂的作用机理进行分析。活性剂体积分数达到3%时,铜表面粗糙度可达0.679 nm,抛光液在铜膜表面的接触角低至10.25°,Zeta电位达到-50.2 mV。实验结果表明,活性剂在减小粗糙度的同时可提高抛光液的湿润性和稳定性,便于抛光后清洗和长时间放置。 相似文献
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以甲基丙烯酸甲酯(MMA)、苯乙烯(St)为主要原料,通过微流控技术制得复合微球(PMS),利用扫描电镜(SEM)和红外光谱(FTIR)初步表征其结构。以甲基紫(MV)为吸附对象,考察染料溶液pH酸碱度、染料初始溶液质量浓度、吸附时间和温度对吸附过程的影响。结果表明:在投加量为50 mg、pH为9、温度30℃、甲基紫溶液浓度为50 mg/L时吸附效率高达92.59%,吸附过程符合准二级动力学模型,重复利用7次内的吸附效率仍可达到80%以上,该材料具有较好的吸附能力。 相似文献
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介绍了无线射频识别技术的主要原理及其特点,通过对化学机械抛光(CMP)设备中片盒(Cassette)识别模块的分析,将无线射频识别技术(RFID)应用到化学机械抛光设备中,对Cassette上射频标签进行数据读写操作。射频标签中含有晶圆加工工艺信息,可用于成品质量追踪、回馈,便于晶圆管理,并为工厂自动化管理晶圆调度系统提供数据。 相似文献
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张燕刘玉岭王辰伟闫辰奇邓海文 《微纳电子技术》2015,(11):737-740
为实现TSV硅衬底表面铜去除速率的优化,对影响TSV铜去除速率的最主要因素抛光液组分(如磨料、螯合剂、活性剂和氧化剂)中的氧化剂进行分析。通过对不同体积分数的氧化剂电化学实验进行钝化机理的研究,从而得到最佳的氧化剂体积分数,再进行铜的静态腐蚀实验和抛光实验对铜的去除速率进行验证。实验结果表明,氧化剂体积分数为0.5%时铜具有较高的去除速率,能够满足工业需要。最后,对CMP过程机理和钝化机理进行分析,进一步验证了氧化剂在TSV铜化学机械平坦化中的作用。 相似文献
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化学机械抛光(CMP)工艺由IBM于1984年引入集成电路制造工业,并首先用在后道工艺的金属间绝缘介质(IMD)的平坦化,然后通过设备和工艺的改进用于钨(W)的平坦化,随后用于浅沟槽隔离(STI)和铜(Cu)的平坦化。化学机械抛光(CMP)为近年来IC制程中成长最快、最受重视的一项技术。其主要原因是由于超大规模集成电路随着线宽不断细小化而产生对平坦化的强烈需求。本文重点介绍CMP在集成电路中的非金属材料的平坦化应用。 相似文献
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GLSI多层铜互连线的平坦化中,抛光液中的SiO2磨料对铜的平坦化效率具有重要的作用。研究了碱性纳米SiO2质量分数对300 mm铜去除速率和300 mm铜布线平坦化作用的影响。结果表明,随着磨料质量分数的增大,铜的去除速率增大,晶圆的均匀性变好,但磨料质量分数过高时,铜的去除速率略有降低,可能由于纳米SiO2表面硅羟基吸附在金属铜表面,导致质量传递作用变弱,引起速率降低。通过对图形片平坦化实验研究表明,随着磨料质量分数的增大,平坦化能力增强,这是因为磨料的质量分数增大使得高低速率差增大,能够有效消除高低差,实现平坦化。 相似文献
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提出了一种基于聚合物微球腔的温度传感器,该温度传感器利用微球腔谐振波长漂移量测量外界环境温度变化量,兼具结构紧凑和高度灵敏的特点。首先利用有限时域差分法对拉锥光纤耦合聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微球的谐振结构进行了仿真分析,验证了拉锥光纤激发聚合物微球腔中回音壁模式的可行性。实验结果表明,束腰直径为1.8 μm的拉锥光纤与直径为数十微米的聚合物微球之间通过消逝场耦合的方式能够激发品质因子为104量级的回音壁模式。利用点式封装和全包裹封装相结合的方式将拉锥光纤和聚合物微球封装一体,一方面可保持两者之间稳定的耦合状态,另一方面保护拉锥光纤和微球腔免受外界污染。由于聚合物微球腔的负热光系数大于其热膨胀系数,其谐振光谱随外界温度降低发生红移。当外界环境温度在20~30 ℃范围内变化时,聚合物微球腔温度灵敏度为68 pm/℃。与传统光纤温度传感器相比,该传感器的高品质因子使其具有更低的探测极限,在受限空间内的原位温度精密测量中具有潜在的应用前景。 相似文献
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为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-I型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验. 抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征. 结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-I型抛光液不仅提高抛光速率40% (14μm/h vs 10μm/h) ;而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度. 相似文献
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抛光雾(Haze)是硅晶圆精抛过程中表面质量评定的重要参数之一.主要研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液磨料质量分数、pH值、FA/O型非离子表面活性剂和混合表面活性剂对Haze值的影响.实验结果显示,磨料质量分数为0.1%是影响Haze值变化的拐点.当磨料质量分数由2%降至0.1%时Haze值下降迅速;当磨料质量分数由0.1%降至0.01%乃至0%时Haze值稍有增加.抛光液pH值约为9.5时Haze值最低,硅片表面质量最好,在此基础上提高或降低pH值都会增加Haze值.随着非离子表面活性剂体积分数的增加,Haze值快速下降.渗透剂脂肪醇聚氧乙烯醚(JFC)和FA/O型非离子表面活性剂混合使用比单独使用其中任何一种更有利于降低Haze值,且当JFC与FA/O的体积比为3∶1时,Haze值降到0.034,满足了工业生产的要求. 相似文献
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Chemical mechanical polishing(CMP) is the most effective wafer global planarization technology.The CMP polishing head is one of the most important components,and zone back pressure control technology is used to design a new generation of polishing head.The quality of polishing not only depends on slurry,but also depends on the precise control of polishing pressures.During the CMP polishing process,the set pressure of each chamber is usually not the same and the presence of a flexible elastic diaphragm causes coupling effects.Because of the coupling effects,the identification of multi-chambers and pressure controls becomes complicated.To solve the coupling problem,this paper presents a new method of multi-chamber decoupled control,and then system identification and control parameter tuning are carried out based on the method.Finally,experiments of multi-chambers inflated at the same time are performed.The experimental results show that the presented decoupling control method is feasible and correct. 相似文献