高压功率集成电路中LDMOS的设计研究

高压功率集成电路(HVPIC),是指将需要承受高电压(达数百伏)的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容,制作在同一块IC芯片上。本文以器件模拟软件MEDICI为工具,用计算机仿真的方法,研究了一种适用于高压功率集成电路的单晶结构的LDMOS的设计问题,其中包括器件的N阱掺杂浓度、衬底浓度、P反型层浓度和结深等主要参数对击穿电压的影响,重点分析了N阱中P型反型层与漏极N^ 区距离Lp对器件耐压的影响,并分析了相应的物理意义。仿真结果表明,Lp对器件耐压有明显的影响。通过优化设计对应于各个参数器件的击穿电压变高,并且受工艺参数波动影响较小,达到了功率集成电路耐压的要求。     

三端自由高压LDMOS器件设计

应用RESURF原理，设计了三端自由的高压LDMOS器件。采用虚拟制造技术，分析比较了多种结构，对器件结构进行了优化。设计了与常规CMOS兼容的高压器件结构的制造方法和工艺。采用虚拟制造，得到NMOS和PMOS虚拟器件，击穿电压分别为350V和320V。     

一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件

高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路，高压集成电路的研究与发展，主要是高压器件、高压集成电路工艺以及设计技术的发展。文章提出了一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件，并对该器件结构进行了耐压分析，给出了该器件的击穿特性；等势线和电流线等模拟曲线。对不同参数模拟的曲线进行了分析和比较。结果表明，该结构具有比较高的击穿电压，并且工艺简单，受工艺参数波动的影响较小，不失为一种提高集成电路耐压的新途径。     

高压运算放大器LF143的研制

本文报道了电源电压为±４０Ｖ、共模输入电压范围为±３７Ｖ、输出峰—峰电压为±３７Ｖ的通用高压运算放大器ＬＦ１４３的研制情况。该电路可以广泛应用于音频功率电路及有过电压尖峰的环境中。     

高压大功率运算放大器PA85

1.概述 PA85是Apex公司生产的高电压、大功率宽带MOSFET运算放大器,它在安全操作区(SOA)没有二次击穿的限制,通过选择合适的限流电阻可在任何负载下选择适当的内部功耗.PA85可适应较大的电源电压范围并达到很好的电源电压抑制.MOSFET输出级可偏置成线性运放;用户通过外接补偿可轻松的使用PA85.     

600伏高压LDMOS的实现

综合利用RESURF技术、内场限环技术及双层浮空场板技术，充分降低高压LDMOS的表面电场，使用常规低压工艺，最终实现600伏高压LDMOS。本文介绍了此高压LDMOS的设计方法、器件结构、制造工艺和测试结果。     

Intersil推出新的高压精密运算放大器

Iiqtersil公司宣布，推出采用该公司新的专利双极工艺技术的运算放大器家族中新成员——ISL28127。     

一种适用于高低压电路单片集成的LDMOS器件

利用RESURF与场板结构结合的技术,设计了一种可以兼容低压BiCMOS工艺的LD-MOS器件。该器件的漂移区长度l≤60μm,就可实现600 V以上的耐压,适用于高低压单片集成电路芯片开发。基于一款荧光灯交流电子镇流器驱动芯片的高低压集成电路功能及其器件耐压要求,介绍了该LDMOS器件的结构和设计方法。采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具,分析优化影响LDMOS器件耐压的关键参数;最后,对实际芯片的PCM器件参数进行了测试和分析。     

一种高性能运算放大器的设计

应用0.35μm工艺,在10mw功耗下设计了一个放大倍数为124db、单位增益带宽为233MHz(负载为2pF)的全差分运算放大器,可以同时满足一定的高速、高精度指标.其中,高的直流电压增益通过两级的cascode结构提高运放的输出电阻得到,同时,采用两个全差分运算放大器替代传统的四个单端运算放大器作为增益自举结构,而增益自举运放的共模反馈利用单MOS管来实现.仿真表明,这种新型结构的全差分运算放大器在面积、功耗以及建立时间上都优于传统的运算放大器.     

一种轨至轨CMOS运算放大器的设计

采用华虹NEC0．35μml P2M工艺，设计了一种利用比例电流镜控制的恒跨导R2R输入级及AB类控制输出级的运放结构。仿真结果表明，在2．5V共模输入电压，10pF负载电容和1M负载电阻并联时取得了56dB开环电压增益，60°相位裕度和2．4MHz的单位增益带宽。     

一种高CMRR高增益运算放大器的设计

设计了一种基于TSMC 0.5 μm工艺的高共模抑制比、高增益运算放大器。针对该运放的结构,提出了相应的频率补偿方法,使得电路具有较好的稳定性。该运放可用于生物电势信号检测等对共模抑制比要求较高的场合。仿真结果表明,电路的共模抑制比高达137 dB,低频增益为117 dB,单位增益带宽为6.36 MHz,功耗仅为227 μW。     

恒跨导轨对轨CMOS运算放大器的设计

为了提高运算放大器对电源电压的利用率,基于GSMC 0.18 μm CMOS工艺模型,设计了一种高增益恒跨导轨对轨CMOS运算放大器。该运算放大器的输入级采用了互补差分对,并通过3倍电流镜法保证输入级总跨导在整个共模输入范围内恒定;为了获得较大的增益和输出摆幅,中间级采用了折叠式共源共栅结构;输出级采用了AB类输出控制电路,使输出摆幅基本实现了轨对轨。在3.3 V供电电压以及1.6 V输入电压下,该放大器的直流增益为126 dB,单位增益带宽为50 MHz,相位裕度为65°。电路结构简单,易于调试,可大大缩减设计周期和成本。     

用于雷达的LDMOS微波功率放大器设计

硅LDMOS晶体管以其大输出功率和高效率等优点作为微波功率放大器广泛应用于雷达发射机中.在大信号S参数无法获得而厂家提供的1710 MHz～2110 MHz范围内的源阻抗和负载阻抗参数又不能用时,利用一公司的ADS软件,采用负载牵引法得到了输入和输出阻抗.在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,运用共轭匹配,成功设计出P-1大于30W、功率增益在1580MHz～1650 MHz频率范围内、增益保持在30dB以上和PAE大于30%的2级LDMOS微波功率放大器.同时,得到了最终的版图并且运用MOMENTUM对它进行了2.5D仿真,得到了理想的结果.     

LDMOS线性微波功率放大器设计

LDMOS以其大功率、高线性度和高效率等优点得到广泛的应用.采用2-tone负载牵引法得到了LDMOS晶体管MRF18030的输入和输出阻抗.在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,运用共轭匹配法设计出匹配网络,并将匹配网络转化为MOMENTUM元件运用在电路设计中,大大提高了设计的准确性.采用载波复幂级数法对PA的AM-AM和AM-PM非线性特性进行了准确计算,弥补了传统泰勒级数只能分析AM-AM的不足.得到了用来消除PA非线性的反载波复幂级数.根据所得反载波复幂级数,利用二极管非线性特性设计出一种新的结构简单、易于实现的预失真器,给出其准确的电路模型表达式,得到了幅值、角度等参数的精确值.ADS仿真结果表明,IMD3改善了27dB.最终,成功设计出大功率、高效率、高线性的LDMOS微波功率放大器.     

表面电场整形高压RESURF LDMOST

提出了采用对ＬＤＭＯＳ漂移区表面进行分段离子注入，对表面电场进行了整形的一种新结构高压ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳＴ。利用二维数值模拟对这种器件结构的分析表明，这种新结构显著降低了表面电场峰值，降低了采用ＲＥＳＵＲＦ技术导致的耐压对工艺参数变化的敏感性，并在耐压不降低的情况下缩短器件漂移区长度，得到低的比导通电阻Ｒｏｎ．Ａ。     

一种新型超低电压运放的设计与仿真

本文详细介绍了一种超低电压运放的设计过程,对低电压运放与传统运放的设计进行了比较。最后,给出了仿真的结果。     

CMOS运算放大器的设计与Cadence仿真

本文根据运算放大器的设计要求(开环电压增益、相位裕度),分析了CMOS运算放大器的性能参数,设计出器件的几何尺寸,最后通过Cadence仿真得到性能指标的仿真结果.     

LDMOS微波功率放大器分析与设计

在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,根据负载牵引得到的晶体管的输入输出阻抗运用共轭匹配,成功设计出2级LDMOS微波功率放大器,P-1大于45 dBm,在1580～1650 MHz功率增益30 dB以上,PAE大于30%.同时,得到了最终的版图并且运用MOMENTUM对它进行了2.5D仿真,得到了理想的结果.