基于FHQZn发光的新结构有机黄光器件

利用一种新型材料(E)-2-(2-(9H-fluoren-2-yl)vinyl)quinolato-Zinc(FHQZn)制备了一种新结构的黄光OLED,器件的结构为:indium-tinoxide(ITO)/4,4′,4″-{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine(2T-NATA)(15nm)/FHQZn(xnm)/4,4′-bis(2,2′-diphenylvinyl)-1,1′-biphenyl(DPVBi)(20nm)/2,2′,2″-(1,3,5-phenylene)tris(1-phenyl-1H-benzimidazole-(TPBi):6%factris(2-phenylpyridine)iridium(Ir(ppy)3)(45nm)/LiF(0.5nm)/Al,FHQZn作空穴传输层和黄色发光层,DPVBi作空穴阻挡层,TPBi中掺杂Ir(ppy)3作电子传输层;研究了发光层FHQZn的厚度对该器件的发光性能的影响。当FHQZn厚度x=25时,得到了效率和亮度最大的黄光器件,最大电流效率为1.31cd/A(at13V),最大亮度为5705cd/m2(at14V),此时色坐标为(0.4,0.5516)。     

基于DOPPP的高效白光OLED器件

采用真空热蒸镀的方法,以荧光染料1-(2,5-d imethoxy-4-(1-pyrenyl)-phenyl)pyrene (DOPPP)为蓝发光 层,5,6,11,2-Tetraphenylnaphthacene (Rubrene)为黄发光层,制备了结构为ITO/m-M TDATA(10nm)/NPB(30nm)/ Rubrene (0.2nm)/ DOPPP (x nm)/TAZ(10nm)/Alq₃(30nm)/LiF(0.5nm)/Al的双发光层的高效白色有机电 致发光器件(OLED)。通过调整DOPPP层的厚度,研究器件的发光性能。当DOPPP层厚小 于25nm时,器件以 黄光发射为主;当DOPPP层厚为25nm时器件的性能最佳,在电流密度为209.18mA/cm²时,获得最 大亮度为9232cd/m²,在电流密度为103.712mA/cm²时获得最大电流效率4.68cd/A, 并随着驱动电压 的升高,器件的色坐标从(0.366,0.365)变化到(0.384,0.399),都在白光的范围之内;当DOPPP层厚度超过25nm时,器件的效率和亮度 都开始下降。     

用BPhen作基质的铕配合物OLED发光机制研究

用具有良好电子传输/空穴阻挡性能的BPhen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)作基质,Eu(DBM)3pyzphen(pyzphen=pyrazino-[2,3-f][1,10]-phenanthroline,DBM=Dibenzoylmethane)作发射材料,成功制得了高效率、高亮度的有机电致发光器件OLED.器件的最大外量子效率为2.5%,最大电流效率为5.3 cd/A,最大亮度为1 320 cd/m2.在亮度为200和1 000 cd/m2时,器件的色坐标分别为(0.66,0.33)和(0.65,0.34).深入研究了该器件的发光机制,发现在电致发光(EL)过程中,载流子直接被Eu(DBM)3pyzphen陷获是主要的发光机制,同时在BPhen与Eu(DBM)3pyzphen间还存在着有效的能量传递.     

基于FHQZn发光的色度稳定的有机白光器件

研究了一种新型发光材料(E)-2-(2-(9H-fluoren-2-yl)vinyl)quinolato-Zinc的发光性能,利用它的空穴传输和发光特性制备了有机白光器件,器件的结构为:ITO/2T-NATA(15nm)/FHQZn(38nm)/NPB(25nm)/BCP(10nm)/Alq(30nm)/LiF(0.5nm)/Al,其中,(E)-2-(2-(9H-fluoren-2-yl)vinyl)quinoato-Zinc(FHQZn)作为空穴传输层和黄橙色发射层,N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPBX)作为蓝光发射层。器件最大的电流效率为1.68cd/A(at7V),最大的亮度为4624cd/m2(at12V),此时色坐标为(0.28,0.25)。器件的色坐标由7V(66.83cd/m2)时的(0.27,0.29)到12V(4624cd/m2)时的(0.28,0.25)几乎不变,是一个基于新型材料的色度较稳定的有机白光器件。     

基于BTHQZn的黄色有机电致发光器件

通过研究新型荧光材料2-(2-溴-5-乙烯-噻吩)-8-羟基喹啉锌(BTHQZn)的电致发光特性,发现BTHQZn具有良好的电致发光特性和空穴传输特性,利用此特性制备了掺杂型有机电致黄光器件,结构为ITO/2T-NATA(30nm)/CBP∶5%Ir(ppy)3∶10%BTHQZn(20nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Al,器件在12V时实现了黄绿光发射,最大发光亮度为4552cd/m2,色坐标为(0.3954,0.4976),在11V电压下的最大发光效率为2.82cd/A。     

利用石墨烯掺杂在NPB中的OLED性能研究

采用NPB掺杂石墨烯作为空穴传输层,制备有机电致发光器件(OLED),器件结构为ITO/NPB:Graphene(20wt.%)(50nm)/Alq3(80nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。将其与标准器件ITO/NPB(50nm)/Alq3(80nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)作性能比较,研究石墨烯对OLED性能的影响。结果表明,在NPB中掺杂石墨烯薄层的器件,在同等条件下性能最佳,当电流密度为90mA/cm2时器件电流效率达到最大值3.40cd/A,与标准器件最高效率相比增大1.49倍;亮度在15V时达到最大值10 070cd/m2,比标准器件最大亮度增大5.16倍。     

以CzHQZn为空穴传输及发光层的有机黄光器件

和(0.48,0.49)的范围内,属于黄光器件.     

以9,99'-联蒽和红荧烯为发光层的白色OLED研制

利用旋涂技术,将蓝光材料9,9'-bianthracene和黄光材料rubrene以一定的比例混合达到白光的效果,制备了白色有机电致发光器件(WOLED).当掺杂比为0.9%时得到近白光器件,色坐标为(0.308,0.347),器件的启亮电压为8 V,当外加电压达到25 V时,器件发光亮度达3120 cd/m2.     

基于ADN的非掺杂高效蓝色OLED器件

采用真空蒸镀的方法,制备了以ADN为发光层的高效率非掺杂蓝色有机电致发光器件.器件的结构为ITO/2T-NATA(15 nm)/NPBx(15 nm)/ADN(25+d nm)/BCP(8 nm)/ Alq_3(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.通过调整ADN层的厚度,研究了器件的发光性能.测试结果表明,器件在6 V电压时电流效率达到最大,为2.77 cd/A;在16 V时亮度达到最大,为7 227 cd/m~2.当ADN的厚度为30 nm、器件的电压从5 V变化到16 V时,色坐标在(0.21,0.32)至(0.19,0.29)之间,均在蓝光区域.

Abstract：

Using ADN as the emitting layer, high efficient undoped blue organic light-emitting diodes(OLEDs) with a typical structure of (ITO)/ 2T-NATA(15 nm)/ NPBx(15 nm)/ ADN(25+d nm)/BCP(8 nm)/Alq_3 (30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al were fabricated via thermal vacuum deposition method. This device has a maximum luminous efficiency of 2.77 cd/A at 6 V and maximum luminance of 7 227 cd/m~2 at 16 V. The CIE coordinates of the device are within the blue region when the thickness of ADN is 30 nm and the voltage changes among the range of 6～16 V.     

以9,9′-联蒽和红荧烯为发光层的白色OLED研制

利用旋涂技术,将蓝光材料9,9′-bianthracene和黄光材料rubrene以一定的比例混合达到白光的效果,制备了白色有机电致发光器件(WOLED)。当掺杂比为0.9%时得到近白光器件,色坐标为(0.308,0.347),器件的启亮电压为8V,当外加电压达到25V时,器件发光亮度达3120cd/m2。     

基于NPBX掺杂CzHQZn的黄色有机电致发光器件

利用一种既具有空穴传输特性又具有发光特性的新型荧光染料N-乙基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌[(E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl)quinolato-zinc,CzHQZn]掺杂在NPBX中作为空穴传输层,CzHQZn同时还作为发光的主体,制备了结构为ITO/2T-NATA(30nm)/NPBX:25%CzHQZn(xnm)/BCP(10nm)/Alq3(60-x)nm/LiF(0.5nm)/Al的有机发光器件(x为掺杂发光层的厚度),掺杂发光层的厚度按照15,20,25,30nm进行变化,相应改变Alq3的厚度,使得这两者的总厚度为60nm保持不变。当掺杂发光层的厚度是20nm,Alq3的厚度是40nm,其他层厚度保持不变时,器件在4V电压下实现了黄光发射,色坐标为(0.514 6,0.470 5),亮度是1.078cd/m2。在14V的电压下,器件最大发光亮度为449 0cd/m2,最大发光效率为0.98cd/A。     

基于DSA-ph的高效率超薄层蓝色有机电致发光器件

讨论了基于蓝色荧光染料DSA-ph作为发光层的蓝色有机电致发光器件,器件结构为：ITO/2T-NATA/NPBX/DSA-ph（xnm）/TAZ/Bphen/LiF/Al。通过改变DSA-ph的超薄层厚度,相应器件的性能指标也有所不同。研究表明,在超薄层厚度为0.5nm,驱动电压为4V时,器件的最大发光效率为6.57cd/A;在超薄层厚度为0.3nm时,驱动电压为10V时,器件的最大亮度为5 122cd/m^2。器件的色坐标在（0.17,0.36）附近,属于蓝光发射。     

Luminescent Enhancement of Heterostructure Organic Light-Emitting Devices Based on Aluminum Quinolines

High performance organic light-emitting devices （OLEDs） have been investigated by using fluorescent bis （2-methyl-8-quinolinolato）（para-phenylphenolato）aluminum（BAlq） as an emissive layer on the performance of multicolor devices consisting of N, N＇-bis-（1-naphthyl）-N,N＇diphenyl- 1,1＇-biphenyl-4,4＇- diamine （NPB） as hole transport layer. The results show that the performance of heterostructure blue light-emitting device composed of 8-hydroxyquinoline aluminum （Alq3） as an electron transport layer has been dramatically enhanced. In the case of high performance heterostructure devices, the electroluminescent spectra has been perceived to vary strongly with the thickness of the organic layers due to the different recombination region, which indicates that various color devices composed of identical components could be implemented by changing the film thickness of different functional layers.     

Tris（8—Hydroxyquinoline）Aluminum／2—（4—Biphenylyl）—5—（4—Tertbutylphenyl）—1,3,3—O—xadiazole Organic Multiple Quantum Wells for Electroluminescent Devices

Organic multiple quantum wells(OMQWs) consisting of alternating layers of organic materials have been fabricated from tris(8-hdroxyquinoline) aluminum(Alq)and 2-(4-biphenylyl)-5-(4-tertbutylphenyl)-1,3,3-oxadiazole(PBD)by a multisource-type high-vacuum organic molecular deposition.From the small-angle X-ray diffraction patterns of Alq/PBD OMQWs,a periodically layered structure is confirmed through the entire stack.The Alq layer thickness in the OMQWs was varied from 1 nm to 4 nm.From the optical aborption, photoluminescence and electroluminescence measurements,it is found that the exciton energy shifts to higher energy with decreasing Alq layer thickness,The changes of the exciton energy could be interpreted as the confinement effects of exciton in the Alq thin layers.Narrowing of the emission spectrum has also been observed for the electroluminescent devices(ELDs)with the OMQWs structure at room temperature.     

2-TNATA对蓝与黄二基色分离的堆叠式白色有机发光器件性能的影响(英文)

研究了2-TNATA厚度对蓝与黄二基色分离的堆叠式白色有机发光器件性能的影响。器件结构为:2-TNATA(xnm)/NPB(25nm)/ADN(30nm)∶TBPE(2%)∶DCJTB(1%)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。根据实验结果,2-TNATA的厚度对载流子的注入、色稳定性、热稳定性影响明显。发光器件的颜色可以通过改变加入的2-TNATA层的厚度来改变。这种器件使用2-TNATA作为空穴注入层显示出了色纯度高的白光发射,CIE色坐标x=0.3197,y=0.3496,亮度能够达到12230cd/m2。     

钙铝合金作为阴极对OLED器件性能的影响

为了研究阴极材料对有机电致发光器件的影响,在不改变其他功能层的情况下,分别采用不同比例的Ca/Al合金和纯Al作为器件的阴极制备了4种绿光OLED器件,器件结构分别为:ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/Alq3:C545T(20nm)/Alq3(30nm)/Ca(X%):Al(100nm)和ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/Alq3:C545T(20nm)/Alq3(30nm)/Al(100nm)。从电流-电压、电压-亮度、器件的外量子效率和光谱特性等几个方面,对不同比例的Ca/Al合金作为阴极的器件与Al作为阴极的器件进行了对比分析,发现当Ca的质量分数为10%时,器件的亮度达到最大值10100cd/m2,并且器件的效率最高。对上述现象产生的原因进行了探讨,分析了器件光谱与不同阴极和不同驱动电流间的关系,从机理上阐述了OLED器件阴极的选取准则。     

基于MCzHQZn的有机电致发光器件

通过结构为ITO/2T-NATA(20nm/NPBx(20nm)/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(20nm/MCzHQZn(30nm)/NPBx(16nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED),证明了MCzHQZn既具有空穴传输特性,又具有较好的发光特性。MCzHQZn在器件1中作发光层,器件最大亮度在电压16V时达到3692cd/m2,电压13V时的最大效率为0.90cd/A,发光的峰值波长为564nm;MCzHQZn在器件2中既作发光层又作空穴传输层,器件最大亮度在电压为13V时达到1929cd/m2,电压12V时的最大效率为0.57cd/A,发光的峰值波长也为564nm;MCzHQZn在器件3中作空穴传输层,由NPBx作发光层,器件最大亮度在电压为14V时达到3556cd/m2,电压9V时的最大效率为1.08cd/A,发光的峰值波长为444nm。