纳米MOS器件RTS噪声测量与分析

提出了一种基于虚拟仪器的纳米MOS器件随机电报信号噪声测量方法．应用虚拟仪器平台采集随机电报信号噪声的时间序列,采用逐点差分和高斯函数拟合方法,提取了随机电报信号噪声的相对幅度,再通过数字滤波和指数函数拟合方法提取随机电报信号噪声时常数．通过对90nm MOS器件的测量分析,结果表明该方法不但计算速度远高于传统方法,而且在相同精度要求下,需要的采样点仅为传统方法的1/10．在随机电报信号时常数较小的情况下,测量精度为传统方法的几倍到几十倍．     

1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础

分析了MOSFET静电损伤的机理，发现在静电应力期间，随着应力次数的增加，在SiO2体内的Si/SiO2界面同时产生潜在损伤积累。Si/SiO2界面较SiO2层体内更容易产生缺陷，而且缺陷浓度更大，用逾渗理论模拟了MOSFET中1/?噪声与边界陷阱浓度的关系，提出了与实验相一致的定性结果，为MOSFET静电潜在损伤的沟通漏源电流1/?噪声检测方法提供了理论依据。     

一种亚微米模拟电路中MOS器件的设计方法

提出一种可用于亚微米金属氧化物场效应晶体管的器件模型,它兼具了形式简洁和精度相当于ＢＳＩＭ３模型的特点,在此基础上讨论了器件电性能与结构之间的关系,设计结果与实验结果符合良好。     

高取向膜的1／f噪声

测量了几种高取向ＹＢＣｕｏ膜的１／ｆ噪声．结果显示，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－　材料的噪声可能来源于样品中的晶粒边界．改善膜的微粒结构是减少１／ｆ噪声的一条有效途径．     

两种子波用于1／f噪声相似性分析比较

应用样条子波和Daubechies子波分别对高斯白噪声和4种不同类型的1/f噪声信号进行了相似性分析,对比了分析结果。两种子波在对1/f信号进行相似性分析时,定性结果是一致的;在定量分析中,样条子波优于daubechies子波。     

MOS器件中热载流子效应有关电场的计算方法

采用线性近似的方法，对ＭＯＳ器件中的沟道水平加速电场及栅氧化层中的垂直电场进行了研究，给出了一种较精确的简便计算方法．在该电场模型的基础上，建立了整个热载流子效应的模型框架．     

短波信道的噪声监测

提出一种短波信道自动监测系统，采用频道估算技术和噪声监测方法，使最佳工作频率的选择及噪声电平的自动实时测量成为现实，并通过试验得出频道噪声随时间变化的情况。     

MOSFET辐照损伤1/f噪声产生机制的定量鉴别方法

用小波极大模统计参量研究了MOSFET器件辐照损伤低频噪声的时间序列.将辐照前后实验测量的低频噪声信号与数值模型产生的噪声信号统计特性相比较,发现nMOSFET和pMOSFET的低频噪声小波极大模统计结果均与随机电报噪声叠加模型数值信号的统计特性相接近.辐照前nMOSFET和pMOSFET的统计结果很接近,以致无法区分;辐照后两种器件的小波极大模分布出现明显差异.根据小波极大模统计量判断,随机电报噪声叠加是nMOSFET和pMOSFET低频噪声的主导产生机制,辐照并没有在器件中引入新的缺陷类型,而是使原有缺陷浓度增大,散射增强,辐照引起的nMOSFET损伤比pMOSFET严重.     

弹药仓库检修作业平台的静电安全监测电路设计

以某弹药仓库为研究对象,针对弹药仓库检修车间潜存的静电隐患,分析了弹药仓库检修作业工作平台的静电特性,设计了针对检修作业平台静电电位的监测电路,给出了静电电位监测电路中各主要元器件的技术要求,实现了对弹药仓库检修作业平台的静电电位监测报警的目的.     

基于小波和FFT的组合分形噪声生成方法

1/f类噪声是光学陀螺信号中的主要误差源,研究仿真生成这类信号的方法对分析光学陀螺的输出信号具有重要意义.基于常用的FFT和小波生成方法,考虑到这两种方法的特点和不足之处,提出了将两者结合来生成1/f类信号的新方法.与目前性能最好的小波方法相比,新方法不仅具有其优点,即可生成具有任意谱指数的1/f信号,而且,从所生成1/f信号的功率谱密度和Allan方差两方面进行比较,新方法的性能优于小波方法.     

High-Speed Noise-Based Random Bit Generator by Removing 1/f Noise with Differential Comparison

A design scheme of high-speed physical random bit generator is proposed by utilizing a wideband white noise as an entropy source. The difference operation between the wideband noise signal and its delayed signal is done to produce a series of binary code by a differential comparator.The D flip-flop,which is triggered by a clock, samples the output of the comparator. A random bit sequence at rates of up to 720.Mbit/s is obtained after the exclusive-OR operation. The differential comparison on noise signals can effectively eliminate 1/f characteristics of the amplified noise, and correct the probability density distribution deviation of noise signal amplitude. The quality of the resulting random sequence is verified using common tests of statistical randomness.     

1/f类分形信号的小波去噪方法

提出了一种用基于分形信号在不同尺度下小波系数方差来估计噪声方差及分形信号参数的新方法,进而从加性白噪声背景下估计出1/f类分形信号。仿真实验结果表明:该方法简单可靠,有效可行,且事先不需要知道分形信号参数及加性白噪声的统计特性,并对信噪比估计误差有很好的鲁棒性。     

VLSI金属互连电迁移1/fγ噪声特性研究

通过对超大规模集成电路金属互连进行电迁移加速寿命实验和不同电迁移损伤程度的金属薄膜电阻及1/f^γ噪声的测量和分析,得到了1/f^γ噪声3Hz点功率谱密度和频率指数γ均随电迁移损伤程度加剧而变大的实验规律.分析表明,在同样的电迁移损伤程度条件下,1/f^γ噪声点功率谱密度的相对变化量是电阻相对变化量的大约2000倍.此外,得到了1/f^γ噪声频率指数随电迁移过程逐渐变大的实验规律.因此,1/f^γ噪声功率谱密度和频率指数有可能作为比现在应用的电阻相对变化量更为灵敏的金属互连电迁移表征参量.     

估计1/f类分形信号信噪比的新方法

提出了一种通过拟合自相关函数估计1/f类分形信号信噪比的新方法。其总的延迟可以由带噪分形信号的互信息曲线在第一区域内达到极小值的时间来确定。仿真实验结果表明,该方法简单可靠,有效可行,且事先不需要知道分形信号参数及加性白噪声的先验知识,因此具有很好的适应性。     

基于正交小波变换合成拟1/f过程

在正交小波基分析1/f过程的Kahunen Loeve展开式的基础上,利用1/f过程正交小波变换系数和尺度的关系,推导出一种拟1/f过程的合成方法。仿真中,分析了所选用的正交小波基的消失距和数据长度对合成的拟1/f过程的精确性的影响,同时说明了本合成方法的有效性。