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阐述了太阳能工业应用的简况,重点介绍了各太阳能电池和太阳能集热器及供热装置中的焊接及表面工程技术,包括:硅太阳能电池的生产链、太阳能电池生产工艺、薄膜太阳能电池、聚光光伏太阳能电池、太阳能集热器及供热装置中的焊接及表面工程技术,最后讨论了几种用于太阳能焊接的可能性。 相似文献
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正近年薄膜太阳能电池发展迅速,以铜铟镓硒(CIGS)和碲化镉(CdTe)为代表的薄膜太阳能电池的发展速度最为突出,特别是美国、日本、德国等,长期保持着技术优势,但随着我国国内企业的不断发展,国产率水平的不断提高,我国自主研发生产的薄膜太阳能电池逐渐实现赶超。21世纪初之前,太阳能电池主要以硅系太阳能电池为主,超过89%的光伏市场由硅系列太阳能电池所占领,但自2003年以来,晶体硅太阳能电池的主要原料多晶硅价格快速上涨,因此, 相似文献
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太阳能电池用多晶硅铸造技术研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
高性价比优势使多晶硅成为光伏市场的主要材料.随着太阳能电池向低成本化方向的发展,太阳能电池用多晶硅铸造技术的研究与开发有着重要的意义.综述了目前太阳能电池用多晶硅锭、多晶硅带和多晶硅薄膜的铸造技术的起源、原理、优点和缺点,以及采用不同铸造方法制备的硅组织特点,评述了新的太阳能电池用多晶硅的铸造方法,展望了新的铸造太阳能级多晶硅新技术. 相似文献
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J. Qian S. Steegen E. Vander Poorten D. Reynaerts H. Van Brussel 《International Journal of Machine Tools and Manufacture》2002,42(15):1657-1664
This paper presents a novel electrical discharge machining (EDM) texturing method for roughening mc-Si wafers and EFG ribbons for solar cell application. Experiments were carried out on an EDM die-sinker using a specially designed conductive and soft magnetic brush to texture the workpiece. The textured substrates were investigated and analysed using scanning electron microscope, and solar cells were made on textured samples to evaluate the effect of this method. Preliminary experimental results show that the throughput of this method can be over 1000 mm2 minute with a brush of 100 mm diameter. Solar cells made on textured substrates give reasonable output. 相似文献
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本文介绍了新型高性能高速烧嘴护套所用的材料-Si3N4结合SiC的特性,根据实验确定了工艺路线。在简介氮化烧成机理的基础上,对试验结果及现场使用情况进行了分析。作为替代进口产品,具有良好的推广应用价值。 相似文献
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冶金硅定向凝固法制备太阳能级多晶硅及其微观组织与位错(英文) 总被引:1,自引:0,他引:1
以冶金硅为原料,探索采用具有高温度梯度的真空定向凝固技术制备低成本太阳能级多晶硅,并研究其在不同生长条件下的微观组织特征、晶界与晶粒大小、固液界面形貌以及位错结构。结果表明,当凝固速率低于60μm/s时,能获得具有高密度和良好取向的定向凝固多晶硅棒状试样,硅晶粒大小随凝固速率的增大而减小;在控制凝固过程,获得平的固液界面形貌是获得沿凝固方向排列柱状晶的关键;由于硅的小平面生长特性,微观组织中出现了位错生长台阶和孪晶结构;在晶粒中,位错分布呈现不均匀性,并且位错密度随凝固速率的增加而增加;在此基础上,讨论了多晶硅的生长行为以及位错形成机制。 相似文献
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高强度多孔氮化硅陶瓷的制备与研究 总被引:3,自引:0,他引:3
以氮化硅为基体,通过加入一定量的纳米碳粉等添加剂,成功的制备出了具有高强度和较高气孔率的氮化硅多孔陶瓷。采用阿摹米得法、一点弯曲法测试了材料的密度、气孔率及强度;用X射线衍射仪及扫描电镜对相组成及断口进行了研究。实验结果表明:加入的纳米碳粉同在Si3N4表面的SiO2或者同Si3N4颗粒本身反应,生成了极细的SiC颗粒,钉扎在β型氮化硅的晶界,可以有效的增加材料的强度。在含碳量为5%(质量分数),1780℃下保温60min,可以制得强度大于100MPa,气孔率大于40%的氮化硅多孔陶瓷。 相似文献
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Correlations of Photoluminescence and Size Evolution of Si Quantum Dots in Amorphous Silicon Carbide
通过磁控溅射技术和1100 ℃的高温后续退火处理,在富硅碳化硅中形成高密度、小尺寸的硅量子点。其微结构和光学特性由高分辨电镜和光致发光技术进行表征。结合斯托克斯偏移和高分辨电镜分析表明,由非晶碳化硅包覆的硅量子点存在α-Si、c-Si两种结构,并呈现多带隙特征,子带隙分布范围从2.3到3.5 eV,出现紫外光到绿光的光致发光特征峰;发现此特征的硅量子点尺寸分布在~1.0~4.0 nm;通过改变薄膜中的Si和C原子比例,以及改变退火参数可进一步优化和控制硅量子点的微结构 相似文献