LM386集成功放自激振荡成因分析及消除方法

以LM386为重点研究了负反馈放大器自激振荡产生的原因及一般消除方法,着重就实际应用中因电源睁阻或测试仪器仪表内阻引起的自激振荡的成因进行分析。     

Er/Yb共掺双包层光纤放大器的自激振荡

基于自行设计并搭建的Er/Yb共掺双包层光纤放大器,实验研究了自激振荡与抽运光和信号光功率之间的关系。结果表明:随着抽运光功率的增大,自激振荡也逐渐加强,并趋于饱和;在抽运光一定的情况下,增加入射信号光功率可以有效抑制放大器的自激振荡;当端面缺陷引起的光反射不可避免时,可以通过调整信号光或抽运光功率使其匹配来消除自激振荡,优化系统性能。     

放大器的噪声及低噪声电路研究

抑制噪声是改善大性能途径之一,本文用混合π型噪声模型,讨论了共发射极放大器的主要噪声来源,最佳源电阻和最小噪声系数,指出在多级放大器中降低总噪声系数的方向,设计了一种低噪声偏置电路,对放大器的设计个有一定的参考价值。     

移动通信中的外部噪声、干扰及抑制

本文综述了移动通信中的常见噪声、同频干扰、邻频干扰、互调干扰的危害.分析了产生的原因.提出了消除或抑制的措施。     

CDMA移动通信中基于自适应干扰消除的多用户检测

对多用户检测中的两种非线性干扰消除检测器，即串行干扰消除检测器和并行干扰消除检测器进行改进，加入自适应滤波因子，从而提高这两种算法的性能．通过Matlab仿真，仿真结果表明在同等条件下，自适应干扰消除检测器比原有干扰消除检测器在降低误码率方面有较为明显的改善，可以消除原有干扰消除算法中固有的误差累积缺陷．     

模拟电路噪声的来源和消除

模拟电路噪声的消除更多地依赖于经验而非科学依据.设计人员经常遇到的情况是电路的模拟硬件部分设计出来以后,却发现电路中的噪声太大,而不得不重新进行设计和布线.这种"试试看"的设计方法在几经周折之后最终也能获得成功.不过,避免噪声问题的更好方法是在设计初期进行决策时就遵循一些基本的设计准则,并运用与噪声相关的基本原理等知识.本文将探讨12位A/D转换系统中的不同噪声源(包括器件噪声、发射噪声和传导噪声)及其消除方法.     

原子吸收光谱分析中多元干扰效应的计算消除及利用

研究了火焰原子吸收光谱分析中多元干扰效应的计算消除及利用干扰效应进行多元同时测定的方法。用多元高次多项式作为表达干扰体系中元素浓度与吸光度之间关系的数学模型。编制了可自动确定模型参数及定量计算的程序。     

CDMA移动通信中基于自适应干扰消除的多用户检测

对多用户检测中的两种非线性干扰消除检测器,即串行干扰消除检测器和并行干扰消除检测器进行改进,加入自适应滤波因子,从而提高这两种算法的性能.通过Matlab仿真,仿真结果表明在同等条件下,自适应干扰消除检测器比原有干扰消除检测器在降低误码率方面有较为明显的改善,可以消除原有干扰消除算法中固有的误差累积缺陷.     

3～6GHz SiGe HBT Cascode低噪声放大器的设计

基于Jazz 0.35μm SiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16 mm×0.78 mm;在带宽为3~6 GHz范围内,最大增益为26.9 dB,增益平坦度为±0.9 dB.放大器的输入输出匹配良好,其回波损耗S₁₁和S₂₂均小于-10dB,输入与输出驻波比小于1.5,1 dB压缩点为-22.9 dBm.在整个频段内,放大器无条件稳定.     

CMOS低噪声放大器电路结构分析与设计

介绍了CMOS低噪声放大器的几种结构,研究了该放大器的噪声性能和相关制约因素,分析了电感反馈共源共栅结构,并在此基础上,讨论了在低功耗技术中采用的电流偏置复用结构,最后展望了CMOS低噪声放大器的发展趋势.     

光纤拉曼放大器中的前向自发拉曼散射噪声

本文提出了光纤拉曼放大器中的前向自发拉曼散射噪声的数学描述及其机理,并从实验上得到了前向自发拉曼散射噪声的光谱,前向自发拉曼散射光强不但与输出端的泵浦光的强度和线型有关,还与自发发射光谱在光纤中的传输特性有关.     

L波段低噪声放大器的分析与设计

利用Advanced Design System（ADS）完成了L波段低噪声放大器（LNA）的设计。分析了实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响,并针对这些因素利用ADS进行了电磁仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终电路及测试结果。采用ATF-35143器件设计,达到了预定的技术指标,工作频率1.21GHz,增益G大于14dB,噪声系数NF小于0.5 dB,输入1dB压缩点大于5dbm。     

一种增益可多重调节的低功耗双频段低噪声放大器

为了同时满足无限局域网(wireless local area network,WLAN)和新一代无限保真(wireless fidelity,WIFI)无线通信标准,设计实现了一款增益可多重调节的低功耗双频段低噪声放大器(dual-band low noise amplifier with multiple gain-tunability,MGT-DBLNA).输入级采用串-并联谐振滤波网络以实现双频段输入匹配.放大级采用可调谐的有源电感作负载和偏置电压可变的电流复用结构,一方面,可通过调节有源电感的外部偏压和偏置电路的电压2种不同方式,对MGT-DBLNA的增益进行单独或联合调节,另一方面降低了功耗.输出级采用由电流镜以及共集电极放大器构成的可控缓冲器,可实现增益的进一步调节.基于WIN 0.2μm Ga As HBT工艺库进行验证,结果表明:在不同工作频率2.4、5.2 GHz下,MGT-DBLNA的增益(S21)可分别在3.9~12.3 d B、12.6~20.2 d B范围内调节;输入回波损耗(S_(11))与输出回波损耗(S_(22))均小于-10.0 d B;噪声系数(noisefigure,NF)小于3.4 d B;在5.0 V的工作电压下,静态功耗小于20.0 m W.所提出的MGT-DBLNA不仅实现了增益的大范围调节,同时也降低了功耗.     

光纤放大器原理及其应用

本文介绍了光纤通信中光放大器的发展，阐述了掺铒光纤放大器的放大机理、特点及应用，分析了掺铒光纤放大器对通信工作的影响。     

铁电薄膜电滞回线测量高压激励源放大器研制

为了测量有些矫顽场较高铁电薄膜的电滞回线,通过分析原有电滞回线测试系统的测量原理,为其配备了一套激励信号高压放大系统.该系统能在0.1 Hz~10 kHz频段内不失真的放大原设备的激励波形,并且最大能提供±100 V的电压及10 mA的电流输出.针对该放大器电压较高的特点,采取了输入端限压、限流,输出端瞬态抑制等一些行之有效的解决方案,使其最终满足了设计要求.     

兼容5G毫米波n257和n258频段的氮化镓低噪声放大器设计研究

基于100 nm的氮化镓(Gallium Nitride, GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT)工艺设计了一款毫米波低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA)单片式微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC)芯片。该款低噪声放大器采用三级级联的拓扑结构,对带宽、噪声和增益进行了联合优化设计。测试结果显示,工作频率范围覆盖24～30 GHz,可兼顾5G毫米波n257(26.5～29.5 GHz)和n258(24.25～27.5 GHz)频段,噪声系数可达到2.4～2.5 d B的水平,小信号增益在21.1～24.1 d B之间,输出1 d B功率压缩点大于14.4 d Bm的水平。     

测量放大器的参考端加入电平的研究

从理论上分析了测量放大器的参考端加入电平时其各主要参数指标的变化。实验中在其参考端加入不同伏值的电平,重点测试了差动增益及其输入范围、共模输入范围和零偏并记录了数据,证实了在一定范围内测量放大器的输入信号、参考端电平和输出信号的关系式成立。     

谐振放大器过压状态下集电极电流凹陷分析

将不同情况下晶体管特性和放大器负载特性表达为微变量之间的关系,使对于物理量的变化趋势讨论显得完整清晰.以此方式分析了负载为谐振回路及负载为纯电阻下集电极电流的特点.