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采用固相法制备YAG∶Ce3+黄色荧光粉,以油酸、聚乙二醇、十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠等表面活性剂作为后处理剂,考察其种类、浓度和性质等对荧光粉发光性能的影响,进一步对浸泡温度以及浸泡时间等工艺条件进行了对比研究,并通过荧光光谱和扫描电子显微镜等手段对处理前后YAG∶Ce3+荧光粉的发光性能、表面形貌和老化性能等方面进行了表征和分析。结果表明,YAG∶Ce3+荧光粉的最佳后处理工艺条件为:十二烷基硫酸钠较为理想,经2.4%十二烷基硫酸钠处理后,YAG∶Ce3+荧光粉的发光强度约提高8.4%,浸泡温度为50℃,浸泡时间为60 min。 相似文献
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采用高温固相法合成了SrMoO4:Dy3+荧光粉。在紫外光(λ=353nm)激发下,该样品发射出Dy3+的特征光谱。用热分析仪、X射线粉末衍射和荧光光谱对样品的结构、性能等进行了研究,考察了Dy的掺杂量、不同助熔剂对样品的结构和性能的影响,并讨论Dy3+浓度猝灭机理。研究表明:合成过程中添加适量的复合助熔剂Li2CO3+H3BO3,并当Dy3+的掺杂量为4%(摩尔分数)时,样品的荧光强度最强。这也说明了能量从基质MoO42–传递到Dy3+是十分有效的。 相似文献
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H3BO3对Zn2SiO4:Mn绿色荧光粉性能的影响 总被引:4,自引:2,他引:2
采用溶胶-凝胶法,通过选择合适的助熔剂、调整助熔剂添加比例等手段,制备了发光强度高、颗粒形貌良好的Zu2SiO4:Mn绿色荧光粉.结果表明:选择H3BO3作为助熔剂,经800℃预烧2h,900℃煅烧4h的二次煅烧,样品中形成了α-Zn2SiO4相,有效地控制了颗粒的形貌,并改善了发光性能.通过改变H3BO3的加入量,可控制颗粒形状和大小.光致发光测试表明:添加H3BO3作为助熔剂对Zu2SiO4:Mn的光谱未产生不利的影响,但添加助熔剂样品的发光强度较未添加助熔剂样品有很大的提高,且添加助熔剂样品的发光强度与商用荧光粉相当. 相似文献
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以实验室自制SiO2粉体和商用Ce∶YAG荧光粉为玻璃原料,采用放电等离子体烧结(SPS)技术,在1 200℃保温2 min烧结得到有望用于白光LED封装的Ce∶YAG荧光玻璃。用X射线衍射仪(XRD)、荧光光谱(PL)等方法对制备获得的荧光玻璃样品进行表征。结果显示,烧结并没有破坏Ce∶YAG荧光粉的晶体结构,且荧光玻璃主体相仍为玻璃体,该荧光玻璃在460nm具有强吸收峰,在此波长激发下发射出530 nm左右的黄光。研究结果表明,本实验制备的Ce∶YAG荧光玻璃是一种具有重要应用前景的LED封装用新型荧光材料。 相似文献
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采用高温固相法制备了Ce3+激活的钇铝石榴石荧光粉Y3Al5O12:Ce3+(YAG:Ce3+)。采用X射线衍射法对所制备的样品进行结构分析,采用荧光光谱仪对样品进行发光分析。结果表明,在YAG:Ce3+的高温固相法制备过程中原材料和助熔剂用量以及稀土离子掺杂量、研磨时间、灼烧温度和时间等,都会对所制备样品的成相和发光性能产生影响。 相似文献
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在碳酸铝铵法制备氧化铝工艺的基础上,通过控制沉淀条件及加入晶体生长促进剂等方法,有效控制了颗粒的大小和形貌,改善了氧化铝的结晶;并使用自制的α-Al2O3粉为原料合成了铝酸盐荧光粉。结果表明:促进剂对α-Al2O3颗粒的大小和形貌影响很大,适量加入可以获得粒径1~2μm,厚度0.2~0.3μm的规则外形α-Al2O3颗粒,且分散性良好;该α-Al2O3粉反应活性高,以该α-Al2O3粉为主原料无需添加助熔剂即可通过高温固相反应法合成物相纯净、结晶良好、且粒径细小的铝酸盐荧光粉。 相似文献
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采用固相微波法研究了助熔剂对MgAl2O4∶ Eu3+荧光粉发光性能的影响.利用XRD和荧光光谱仪对合成产物的物相和发光光谱进行研究,分别探讨了助熔剂的类型及含量对发光性能影响.结果表明,加入NaF,CaF2,B2O3和GeO2为助熔剂时可得到红色发光材料;MgAl2O4∶Eu3+荧光粉主发射峰位于612 nm处,对应Eu3+的5D0→7 F2电偶极跃迁,次强发射峰位于589 nm处,为Eu3+的5D0→7F0的跃迁,Eu3+离子处于非对称中心格位.相对于氟化物,氧化物助熔剂有助于提高样品的发光强度,其中,以B2O3为助熔剂时荧光粉的发光强度最高,其最佳掺杂量为4.5wt%. 相似文献
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采用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)辅助水热法合成了GdF3∶Eu3+和NaGdF4∶Eu3+发光粉。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜和荧光光谱对样品的结构、形貌和发光性能进行了研究。XRD分析表明:GdF3晶相到NaGdF4晶相的转换可以通过改变初始溶液pH值、PVP加入量和NaF与稀土离子(Gd3+和Eu3+)摩尔配比等合成条件实现。NaGdF4∶Eu3+发光粉的形貌受合成条件的影响。荧光光谱研究表明:GdF3∶Eu3+发光粉主发射峰位于593nm处,来自于Eu3+的5 D0→7 F1磁偶极跃迁;NaGdF4∶Eu3+发光粉主发射峰位于616nm,来自于Eu3+的5 D0→7 F2电偶极跃迁。2个样品中Gd3+与Eu3+离子之间存在较好的能量传递,而NaGdF4晶格更有利于2种离子的能量传递。 相似文献