Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料分子束外延的生长热力学

建立Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料的分子束外延生长热力学模型。该模型与实验材料InGaP/GaAs,InGaAs/InP及已发表的GaAsP/GaAs,InAsP/InP的数据吻合得很好。将晶格应变能△G及脱附对温度敏感这两个因素同时纳入热力学模型中,束流和生长温度直接影响合金组分,晶格应变能是合金组分的函数。热力学模型计算结果反映了束流和生长温度是生长过程中最主要的影响因素。讨论和分析了四元半导体材料InGaAsP/GaAs的热力学生长模型。     

开拓上海半导体材料科研生产新局面

叙述上海半导体材料在科研、生产方面取得的重大进展，着重介绍单晶硅、多晶硅，以及Ⅲ－Ⅴ族，Ⅱ－Ⅵ族为代表的化合物半导体材料近年来在科研和产业化方面取得的丰硕成果．     

常压下MOCVD法制备Al2O3薄膜工艺的研究

在常压条件下,采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统在Fe-Cr-Ni合金基片上沉积Al2O3薄膜。以仲丁醇铝（ASB）为原料,纯氮为载气,研究基片温度、ASB温度和载气流量对沉积速率的影响。采用EDS、SEM技术对Al2O3薄膜的组成进行分析。研究表明,ABS温度为125℃的工艺条件下,薄膜厚度为500μm,结合强度是梯度涂层（NiAl和Al2O3的梯度沉积）的结合强度的两倍。     

焊缝内夹杂物的热力学分析

采用Ｘ射线能谱仪（ＥＤＡＸ），扫描电镜（ＳＥＭ），电子探针（ＥＰＭＡ）以及微粒分析仪（ＭＰＡ）实验手段和热力学分析方法，研究了轻稀土合金对焊缝金属内夹杂物的冶金作用。结果表明，轻稀土合金过渡到焊缝后，起着净化和变质处理作用。而且，它的脱氧作用比其脱硫作用要强。     

MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析

在不通入活性气体的条件下，采用三乙酰丙酮铱金属有机物化学气相沉积方法制备铱薄膜。结果表明：低于190℃长时间加热使先驱体分子结构改变，其C-H和C-O键断裂活性升高，导致沉积薄膜中含有显著数量的碳杂质；高于220℃加热先驱体和550℃沉积，可获得致密连续、无杂质碳并且呈亮银白色的铱薄膜。     

化学气相沉积钨铼合金工艺研究

以ReF6、WF6及H2为原料,用化学气相沉积法,成功地在铜基体表面沉积出钨铼合金。试验分析表明：合金成分均匀,且可由反应气体配比控制,随ReF6增加,合金中铼含量增加;沉积层组织和形貌随沉积温度升高或反应气体中ReF6的增加,由致密的柱状晶发展为杂乱的树枝晶;沉积层结构随ReF6的增加由单一固溶体向固溶体＋金属间化合物＋铼单质发展。     

Thermodynamic Analysis of In As Sb C H System and Design of MOVPE Process for In(As,Sb) Semiconductor

１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅＩｎ（Ａｓ,Ｓｂ）ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓａｒｅｉｎｔｅｒｅｓｔｉｎｇｄｕｅｔｏｔｈｅｉｒｐｏｓｉｂｌｅｕｓｅｉｎｉｎｆｒａｒｅｄｌｉｇｈｔｓｏｕｒｃｅｓ,ｄｅｔｅｃｔｏｒｓａｎｄｍｉｃｒｏｗａｖｅｄｅｖｉｃｅ...     

Thermodynamic Analysis of Ga-As-Sb-C-H System and Design of MOVPE Process for Ga(As,Sb) Semiconductor

ＴｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＧａＡｓＳｂＣＨＳｙｓｔｅｍａｎｄＤｅｓｉｇｎｏｆＭＯＶＰＥＰｒｏｃｅｓｆｏｒＧａ（Ａｓ，Ｓｂ）ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＬｉＪｉｎｇｂｏ，ＺｈａｎｇＷｅｉｊｉｎｇ，ＬｉＣｈａｎｇｒｏｎｇａｎｄＤ...     

MOCVD Growth of Quaternary Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_yAlloys:Solid Composition

ＭＯＣＶＤＧｒｏｗｔｈｏｆＱｕａｔｅｒｎａｒｙＧａｘＩｎ１－ｘＡｓ１－ｙＳｂｙＡｌｏｙｓ：ＳｏｌｉｄＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎＺｈａｎｇＢａｏｌｉｎ，ＪｉｎＹｉｘｉｎ，ＺｈｏｕＴｉａｎｍｉｎｇ，ＮｉｎｇＹｏｎｇｑｉａｎｇ（张宝林）（金亿鑫）（周天明）（宁永强）ＪｉａｎｇＨｏｎｇａｎｄＬｉＳｈｕｗｅｉ（蒋红）（李树纬）ＣｈａｎｇｃｈｕｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｃｈａｎｇｃｈｕｎ，１３００２１，ＣｈｉｎａＲｅｃｅｉｖｅｄ２５Ｊｕｌｙ１９９…     

A Comprehensively Optimized Diagram in (Ga,In)(As,Sb) Reciprocal System

ＡＣｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅｌｙＯｐｔｉｍｉｚｅｄＤｉａｇｒａｍｉｎ（Ｇａ,Ｉｎ）（Ａｓ,Ｓｂ）ＲｅｃｉｐｒｏｃａｌＳｙｓｔｅｍＬｉＪｉｎｇｂｏ,ＺｈａｎｇＷｅｉｊｉｎｇ,ＬｉＣｈａｎｇｒｏｎｇａｎｄＤｕＺｈｅｎｍｉｎ（李静波）（张维敬）（李长荣）（...     

Phase Equilibria Calculation of the Ga-In-Sb Ternary System

ＰｈａｓｅＥｑｕｉｌｉｂｒｉａＣａｌｃｕｌａｔｉｏｎｏｆｔｈｅＧａＩｎＳｂＴｅｒｎａｒｙＳｙｓｔｅｍＸｉｅＹｕｎ′ａｎ，ＱｉａｏＺｈｉｙｕ，ＸｉｎｇＸｉａｎｒａｎａｎｄＷａｎｇＣｏｎｇ（谢允安）（乔芝郁）（邢献然）（王聪）Ｄｅｐｔ．ｏｆＰｈｙｓ...     

Chemical Thermodynamic Analysis of Silicon Doping in MOCVD of GaAs System

With chemical thermodynamic method,enthalpies,entropies and heat capacities of(SiH_3)_nAsH_(3-n)(1≤n≤3),(CH_3)_mSiH_(4-m)(1≤m≤4)and their radicals were calculated.Homogeneous reactions equilibrium of 65gas phase species in SiH_4(or Si_2H_6)doped MOCVD GaAs by TMG and AsH_3 system was analyzed,the re-lations of gas phase partial pressures with growth temperatures and input partial pressures were calculated.When the gas phase is saturated with a GaAs:Si solid,the gas phase partial pressures and solid phase siliconimpurity(Si_(Ga)-As,Ga-Si_(As),Si_(Ga)-Si_(As))concentrations were calculated under different growth temperatures andinput partial pressures.With the above results,some of the Si doping behavior in MOCVD of GaAs are ex-plained.     

Mg-Li合金熔炼反应的热力学分析及铸锭显微组织

采用LiCl与LiF质量比为3:1的熔剂覆盖和氩气保护,在铸铁坩埚中熔炼,在铜模中浇注制备了Mg-6.1Li、Mg-8.2Li、Mg-10.8Li合金铸锭,获得了满意的铸锭显微组织.化学反应热力学分析表明,石墨、MgO不适合作Mg-Li合金熔铸的工具材质,适合Mg-Li合金熔铸的工具材质是铸铁、低碳钢、Mo、Cu、SiC.对反应进行了热力学分析,与试验结果基本一致.     

锑在铝硅合金中变质机理分析

提出了在铝硅合金液中加锑之后．可在共晶同阶段形成熔点外于α（Al）与共晶硅相之间的地锑质点．影响了共晶硅相的横向生长．从而起到变质作用的假说。合金的成分不同，加锑量也不同．对于典晶铝硅合金以0．3％为宜，对于亚共晶合金以0．2％为宜．加锑方法庄控制在炉温约700℃的熔化期，用漏勺加入。实践证明．这些观点是可行的。     

Sb及Sb-Bi合金在冷却过程中电阻率与结构的变化

通过DSC测试确定了Sb和Sb-Bi合金实现过冷的能力,并且发现放热量随着Sb含量的增加而增加.电阻率的测量结果显示,在冷却过程中,Sb及Sb-Bi合金的电阻率都经历了几次突变,其中Sb及Sb90Bi10处于过冷态时电阻率出现回升现象,并且冷却过程中的温度突变与电阻率突变同时发生.经分析认为,放热量的不同是由于金属释放潜热的能力不同造成的;电阻率出现突变与Sb的斜方六面体结构中的Peicrls畸变及原子团尺寸变化有关;温度突变与电阻率突变相对应说明凝固过程中的结构转变对电阻率有一定的影响.     

Cu-Al合金内氧化的热力学分析——Ⅱ热力学函数的应用

这是(Cu-Al合金内氧化的热力学分析》一文的第Ⅱ部分。对Cu-Al合金内氧化的热力学条件进行了分析，绘制了内氧化的热力学条件区位图。结果表明：区位图中择优氧化区位很大，范围由上、下限氧分压确定，其中：lgPo2max=(-17611／T) 12．91，lgPo2min=(-55830／T)-(4／3)lg[％Al] 19．95，但实际的内氧化区位是靠近上限Po2的一个很小区域；溶度积Ksp和残余Al浓度都是极小量，内氧化可进行得很彻底；内氧化控制中温度和氧分压的调节必须同步：理想的内氧化工艺条件应是：采用1223K左右的高温，介质中的氧分压力求接近或等于上限Po2;为了避免氧化，降温过程宜采用通H2急冷的方法。