掺碘酞菁镍多晶的导电性转变

研究了掺碘酞菁镍粉末压片的电导率随温度的变化规律。观察到了“金属—半导”性转变。作者用非均相结构模型及掺碘酞菁镍晶粒内部遵循紧束缚模型的导电机理而在晶粒间界、缺陷处和掺碘区间隙载流子的传输是一个热激活过程的假设,导出了其电导率随温度变化的简化关系式:σ=[AT~2+B+Cexp(△E/2k(?)T)]~(-1)。由此式所得的计算曲线与实验结果相符很好。用此式对文献中的实验结果进行拟合,也得到十分满意的结果。这表明掺碘酞菁镍多晶压片的“金属—半导”性转变并不是相转变引起的,而是非均相结构的存在所致。     

酞菁硅二醇晶体颗粒的固态聚合及其聚合物晶体颗粒的导电性能

酞菁硅二醇进行固态聚合,其晶体颗粒聚合时在DSC谱图上出现吸热峰。当升温速率为20℃/分时,DSC的聚合量热曲线在420℃处出现吸热极大。在420℃的DSC恒温聚合曲线上,约一分钟后吸热量达到极大值。随恒温聚合温度的下降,吸热极大迅速右移。本文在光学显微镜的观察下对尺寸为10~(-1)mm数量级的单体、部分聚合产物、未掺碘聚合物及掺碘聚合物晶体颗粒的电导率进行了直接的测量。观察到未掺碘的聚合产物的本征电导率随聚合时间t而增大的关系式为:σ=2.20×10~(-6)—2.17×10~(-6)exp[1/37.3(t+2.5)]。掺碘聚合物晶体颗粒的电导率可达3×10~(-2)(Ωcm)~(-1)左右。本文还在偏光显微镜下观察到了掺碘使该聚合物晶体颗粒的尺寸增大并产生双折射条纹的现象。     

共面堆积的一维线性聚合酞菁

本文论述了共面堆积的一维线性聚合酞菁的合成方法、结构表征及电学性质。聚合酞菁按中心原子的化合价可分成三类 ,其中第一类的研究报道较多。聚合物的电导率主要受 3个因素的影响 :中心原子 ,桥连配体 ,外围取代基。其中对电导率影响最大的是桥连配体 ,由氰根、硫氰酸根、吡嗪、四嗪等含有π电子的化合物作为配体形成的聚合物在未掺杂时即具有较高的电导率。     

酞菁及类酞菁的结构与紫外可见光谱研究

介绍了酞菁、亚酞菁和超酞菁的典型结构及其吸收光谱,分别介绍了酞菁和亚酞菁的衍生物、缩合物的结构与最大吸收波长之间的关系以及它们潜在的应用前景,同时分析讨论了几种扩展的酞菁类似物的结构特点和它们吸收性能差的原因.     

真空共蒸发沉积制备酞菁铜-酞菁铅复合膜及性能研究

本文通过真空共蒸发制备了酞菁铜 酞菁铅复合膜。光电子谱测试发现真空共蒸发制备的复合膜中同时具有铜和铅的成分 ,相对含量与源中酞菁铜与酞菁铅的含量有关。光吸收谱分析表明复合膜的吸收带 (Q带 )明显发生宽化 ,其波长覆盖范围扩展到 6 0 0～ 12 0 0nm。进一步分析表明复合膜的吸收谱并不是酞菁铜和酞菁铅吸收谱的简单叠加 ,尤其是在近红外波段复合膜的吸收有所加强 ,吸收边有明显的红移现象 ,本文对这一现象进行了简单的描述。     

α(β)-四-苯氧基金属酞菁的合成、表征和光谱性质

以3-硝基邻苯二腈和4-硝基邻苯二腈为原料分别合成了1,8,15,22-四-苯氧基酞菁铜(镍)和2,9,16,23-四-苯氧基酞菁铜(镍),通过IR和UV-Vis光谱进行了表征,并讨论了取代基的取代位置和中心离子对酞菁Q带最大吸收波长的影响。     

电化学沉积法制备ZnO及ZnO/酞菁锌杂化薄膜

采用电化学沉积法在ITO玻璃基体上成功地制备出各种形态且均匀的ZnO及ZnO/酞菁锌薄膜.利用SEM、XRD以及UV-Vis光谱仪等分析方法对不同工艺下制备的薄膜进行了研究,结果显示所制备的纯ZnO薄膜为具有特定晶形的多晶,晶粒尺寸约为0.5～2 μ m;而ZnO/酞菁锌杂化薄膜为非晶态,染料分子与ZnO分子间的相互作用既影响了ZnO的晶体生长又改变了染料的光谱特性,形成了ZnO/酞菁锌杂化薄膜.     

含酞菁功能基聚苯胺的合成及性能研究Ⅰ.酞菁铜磺酸掺杂聚苯胺的合成与表征

以耐晒翠蓝为原料合成了酞菁铜磺酸(CuPcS),用其对本征态聚苯胺分别在水相和油相中进行掺杂,获得了具有酞菁功能基聚苯胺的分子结构.该聚合物具有优良的溶解性能和成膜能力,电导率达到10S/m,红外谱图证实了所合成产物的结构,紫外吸收分析表明,用酞菁铜磺酸掺杂聚苯胺后在可见光区、近红外区具有较强的吸收,可大幅度提高其光电导性能.     

四氯苯醌/三苯磷可控掺杂四取代酞菁铜薄膜材料的导电性能研究

本文通过电化学沉积方法制备了一种四氯苯醌/三苯磷可控掺杂四取代酞菁铜薄膜材料体系,研究了该可控掺杂有机薄膜材料的导电性能.研究结果表明,四取代酞菁铜可控掺杂薄膜材料的电导率,随着温度的升高或掺杂剂浓度的增加而显著增加,其原因是酞菁铜给体与四氯苯醌和三苯基磷等小分子电子受体之间发生了较强的氧化还原作用.     

回顾与展望：酞菁及其应用

本文介绍了酞菁化合物和简史;综述了酞菁化的薄的制备方法。     

回顾与展望:酞菁及其应用

本文介绍了酞菁化合物的简史;综述了酞菁化合物薄膜的制备方法。对酞菁化合物在光电导体,能量转换器,非线性光学,发光,气体传感器,变色和有机超晶格结构等方面的应用和存在的问题作了详细描述;并对酞菁化合物的应用前景作了展望     

含酞菁功能基聚苯胺的合成及性能研究：Ⅰ.酞菁铜磺酸掺杂聚苯胺的合成与表

以耐晒翠蓝为原料合成了酞菁铜磺酸（ＣｕＰｃＳ）,用其对本征态聚苯胺分别在水相和油相中进行掺杂,获得了具有酞菁功能基了聚苯胺的分子结构。该聚合物具有优良的溶解性能和成膜能力,电导率达到１０Ｓ／ｍ,红外谱图证实了所合成产物的结构,紫外吸收分析表明,用酞菁铜磺酸掺杂聚苯胺后在可见光区、近红外区具有较强的吸收,可大幅度提高其光电导性能。     

真空共蒸发沉积制备酞菁酮—酞菁铅复合膜及性能研究

本通过真空共蒸发制备了酞菁铜-酞菁铅复合膜。光电子谱测试发现真空共蒸发制备的复合膜中同时具有铜和铅的成分，相对含量与源中酞菁铜与酞菁铅的含量有关。光吸收谱分析表明复合膜的吸收带（Q带）明显发生宽化，其波长覆盖范围扩展到600-1200nm。进一步分析表明复合膜的吸收谱并不是酞菁铜和酞菁铅吸收谱的简单叠加，尤其是在近红外波段复合膜的吸收有所加强，吸收边有明显的红移现象，本对这一现象进行了简单的描述。     

金属酞菁的微波合成研究进展

微波合成与传统合成方法相比因具有效率高、节省能源、产品纯度高、安全等优点已被广泛应用。以金属酞菁的存在形式分类,分别从金属酞菁单体、金属酞菁聚合体、改性金属酞菁及金属酞菁复合材料4方面概述了近几年国内外对金属酞菁微波合成的研究进展,并与传统的合成方法进行了对比,展望了微波合成的发展前景。     

高纯金属酞菁的制备及其对TiO2光催化性能的影响研究

通过简易的溶液沉淀分离方法制得了纯度>97%的高纯金属酞菁的二甲基亚砜(DMSO)溶液。应用制得产物对TiO2 薄膜进行敏化,发现经酞菁铁(FePc)、酞菁钴(CoPc)、双核酞菁钴铁(CoFePc)敏化的TiO2 薄膜的光催化性能分别较未经敏化的TiO2薄膜提高67.3%、63.0%、16.1%,并通过一系列的对比实验解释了双核酞菁钴铁催化效率低于前两者的原因,为后继利用酞菁敏化TiO2 及其它光催化材料提供借鉴。     

酸基取代酞菁铜化合物的合成及其光电性研究

合成了一种羧酸基取代的可溶性酞菁铜化合物，并对其光吸收性及导电性进行了研究。结果表明：（１）这种含有羧酸基的酞苯铜化合物在波长５００￣８００ｎｍ有强吸收，较无取代基的酞菁铜化合物吸收波谱范围增宽；（２）该正确性的具有一定的电导性，水解前化合物体电导率为１０＾－７／Ω·ｃｍ，较无取代基的酞菁铜提高了４个数量级。水解后化合物表面电导率为１０＾－２／Ω·ｃｍ；（３）随着电压的增加，羧酸基取代酞菁铜薄膜的     

β-环糊精与金属酞菁功能组装作用研究

采用紫外-可见分光仪研究了酞菁铜（Cupc）、酞菁锰（Mnpc）、酞菁铁（Fepc）与β-环糊精（β-CD）的组装作用。运用摩尔比率法、等摩尔系列法确定了它们的组装比;运用双倒数法确定了不同温度下的组装稳定常数;采用饱和溶液法和固相法制得了Cupc-β-CD、Mnpc-β-CD、Fepc-β-CD组装体;对组装体进行了UV、SEM分析。结果表明在稀溶液中Cupc、Mnpc、Fepc与β-CD的组装比近似为1∶2;热力学数据分析知该组装过程能自发进行,组装过程的作用力以范德华力和偶极-偶极作用力为主;组装体与金属酞菁单体相比,有序性增加,溶解性提高,光催化能力及生物识别能力有所改善,这些性能的改善有利于合成高效的抗癌光敏剂。     

耐高温抗静电聚合酞菁

本文论述了聚合酞菁的合成及应用 ,特别是对一些耐高温、具有导电性的酞菁聚合物进行了介绍 ,揭示了作为热稳定、抗静电型聚合酞菁潜在的应用价值     

酞菁铜纳米微粒的制备及其聚集态行为

利用气体冷凝法成功地制备了平均粒径约20～100 nm的有机半导体材料酞菁铜(CuPc)纳米微粒,并讨论了不同的热场空间分布范围,加热温度对CuPc纳米微粒的粒径及其聚集态行为的影响。     

酞菁化合物L—B薄膜的可逆光学变化和光记录特性

报导了酞菁化合物的吸收光谱随中心金属离子的有机基团的替代而产生的变化，以及酞菁铜（ＴＮＰｃＣｕ）和酞菁锌（ＴｎＰＰｃＺｎ）的单分子薄膜的吸收光谱随温度的变化。发现酞菁铜薄膜在７４０ｍｍ波长的光吸收的滞后回旋现象以及酞菁锌的可逆光吸收变化。报导了利用上述现象的可擦重写的光存储特性。